Temat: interface traps - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Charge-pumping characterization of FILOX vertical MOSFETs
Autorzy:: Głuszko, G.
Łukasiak, L.
Ashburn, P.
Tematy:: charge-pumping
FILOX
interface traps
MOSFET
vertical MOSFET; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308623.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: This paper presents for the first time the results of charge-pumping (CP) measurements of FILOX vertical transistors. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the Si-SiO2 interface fabricated in a non-standard process. Flat-band and threshold voltage, as well as density of interface traps are determined. Good agreement between threshold-voltage values obtained from CP and I-V measurements is observed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping
Autorzy:: Głuszko, G.
Szostak, S.
Gottlob, H.
Lemme, M.
Łukasiak, L.
Tematy:: charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI MOSFET; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308671.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: This paper presents the results of charge-pumping measurements of SOI MOSFETs. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the front and back Si-SiO2 interface. Three-level charge-pumping is used to obtain energy distribution of interface traps at front-interface.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities
Autorzy:: Głuszko, G.
Łukasiak, L.
Kilchytska, V.
Chung, T. M.
Olbrechts, B.
Flandrie, D.
Raskin, J. P.
Tematy:: charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI
water bonding
Si layer transfer; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308669.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It is demonstrated that thanks to the chemical activation step, the quality of the bonded interface is remarkably good. Good agreement between values of front-interface threshold voltage determined from CP and I-V measurements is obtained.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja