Temat: base transit time - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator
Autorzy:: Linkowski, A.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Tematy:: base transit time
cut-off frequency
HBT
SiGe-base; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2004
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308023.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 36-38
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Opis:: The paper is devoted to optimization of SiGe-base HBT with respect to operation speed by means of numerical simulation. The influence of design parameters on f(T) is studied.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
Autorzy:: Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Tematy:: heterojunction bipolar transistor
base transit time
current gain; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2000
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309306.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 15-18
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Opis:: SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja