Autor: Barcz, M. - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Kolejne stwierdzenia płochacza syberyjskiego Prunella montanella w Polsce na tle nalotu jesienią 2016 w Europie
Records of the Siberian Accentor Prunella montanella in Poland as a part of the species European irruption in 2016
Autorzy:: Sikora, A.
Lawicki, L.
Stepniewski, K.
Solowiej, M.
Malczyk, P.
Czerwinski, B.
Janczyszyn, A.
Barcz, M.
Czastkiewicz, D.
Borowik, M.
Chodkiewicz, T.
Tematy:: ptaki
plochacz syberyjski
Prunella montanella
wystepowanie
Polska
naloty jesienne
dynamika liczebnosci
obraczkowanie ptakow
rok 2016
Europa; Pokaż więcej
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Zoologiczne
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2080543.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Płochacz syberyjski Prunella montanella jest gatunkiem wyjątkowo pojawiającym się w Europie poza stałymi lęgowiskami w Rosji. W okresie 1800–1974 został stwierdzony tylko 5 razy. W latach 1975–2015 liczba stwierdzeń w Europie (poza Rosją) wzrosła i odnotowany został 29 razy (łącznie 31 os.). Jesienią 2016 roku miał miejsce niespotykany nalot płochacza syberyjskiego do Europy. Stwierdzono 231 ptaków, w tym 75 w Finlandii, 72 w Szwecji, 14 w Wielkiej Brytanii, 13 w Danii, 11 w Norwegii, 10 w Polsce, 9 na Łotwie, po 8 w Niemczech i Estonii, po 4 na Litwie i Ukrainie oraz pojedyncze w Holandii, Czechach i na Węgrzech. Najwięcej ptaków stwierdzono na obszarze nadbałtyckim i przy Cieśninach Duńskich (195 ptaków; 84%). Zdecydowana więk- szość stwierdzeń pochodzi z morskiej strefy przybrzeżnej do 5 km i wysp morskich (177 ptaków; 77%). Szczyt liczebności gatunku wystąpił pomiędzy 14 a 20 października, kiedy odnotowano 41% wszystkich nowych osobników (12–16 ptaków/dzień). W sumie w październiku i listopadzie odnotowano 95% (N=220) płochaczy syberyjskich, a pozostałe ptaki (N=11) od grudnia 2016 do marca 2017. Liczba ptaków ponownie stwierdzonych zaczynała przewyższać liczbę nowo stwierdzonych osobników począwszy od drugiej pentady listopada i stan taki utrzymał się do marca 2017 r. 57% ptaków obserwowano w ciągu jednego dnia, a pozostałe (43%) przebywały w miejscach stwierdzeń od 2 do 95 dni. Średni czas pobytu na stanowisku wynosił 5 dni. Dla 23% osobników (N=55) oznaczono wiek, wszystkie były osobnikami pierwszorocznymi. Jesień roku 2016 charakteryzowała się również niespotykaną wcześniej liczbą rzadkich gatunków wróblowych pochodzących ze wschodniej Syberii odnotowanych w Europie. Prawdopodobnie czynniki pogodowe, które wystąpiły w Rosji (masowe pożary na Syberii, korzystne wschodnie wiatry i wczesna zima), odegrały kluczową rolę w tym bezprecedensowym nalocie na Europę. Z wielkiej liczby płochaczy syberyjskich, które dotarły w październiku i listopadzie do Europy, liczba ptaków notowanych w okresie zimowo-wiosennym była bardzo niewielka, co sugeruje ich wysoką śmiertelność lub być może powrót w kierunku wschodnim
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon
Autorzy:: Kalisz, M.
Beck, R. B.
Barcz, A.
Ćwil, M.
Tematy:: fluorine
reactive ion etching
silicon fluoride
boron thermal diffusion
fluorocarbon plasma; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308657.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: We have investigated the influence of silicon dioxide reactive ion etching (RIE) parameters on the composition of the polymer layer that is formed during this process on top of the etched layer, and finally, the role of this layer in high-temperature thermal diffusion of boron into silicon. The polymeric layer formed on the etched surface appeared to consist of fluorine and silicon fluoride (SiOF and SiF). Concentration of these components changes depending on the parameters of RIE process, i.e., rf power, gas pressure and etching time. The composition of this polymeric layer affects, in turn, boron thermal diffusion into silicon. With increasing rf power, the depth of boron junction is increased, while increasing time of etching process reduces boron diffusion into silicon.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Mechanism of Thermal Interaction of In with GaAs
Autorzy:: Barcz, A.
Adamczewska, J.
Baranowski, J. M.
Kwiatkowski, S.
Tematy:: 73.40.Ns; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929763.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: General behavior of In/GaAs couple heat-treated at 570°C for 2 hours was studied with secondary-ion-mass spectrometry, scanning electron microscopy, Rutherford backscattering spectroscopy and Nomarski microscopy. It is shown that, besides the well-known InGaAs crystallites which epitaxially grow upon dissolution of the substrate, In interacts with the substrate dislocations to form In(Ga)As dendrites. The driving force for this process is presumably excess arsenic reported to be present in the vicinity of the individual dislocations.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: High Mobility 2D Electron Gas in CdTe/CdMgTe Heterostructures
Autorzy:: Karczewski, G.
Jaroszyński, J.
Kutrowski, M.
Barcz, A.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Tematy:: 73.40.Hm; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968126.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: We report on iodine doping of molecular beam epitaxy (MBE)-grown Cd(Mn)Te quasi-bulk films and modulation-doped CdTe/Cd$\text{}_{1-y}$Mg$\text{}_{y}$Te two-dimensional (2D) single quantum well structures. Modulation doping with iodine of CdTe/Cd$\text{}_{1-y}$Mg$\text{}_{y}$Te structures resulted in fabrication of a 2D electron gas with mobility exceeding 10$\text{}^{5}$ cm$\text{}^{2}$/(V s). This is the highest mobility reported in wide-gap II-VI materials.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Study of the Local Environment of Mn Ions Implanted in GaSb
Autorzy:: Wolska, A.
Lawniczak-Jablonska, K.
Klepka, M.
Barcz, A.
Hallen, A.
Arvanitis, D.
Tematy:: 78.70.Dm
61.72.U-
61.05.cj; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1538865.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The first attempts to establish an implantation process leading to formation of ferromagnetic inclusions inside the GaSb matrix are presented. Gallium antimonide containing ferromagnetic MnSb precipitations is considered as a promising material for novel spintronic applications. It is possible to obtain such inclusions during the molecular beam epitaxy (MBE) growth. However, for commercial application it would be also important to find an optimal way of producing this kind of inclusions by Mn ions implantation. In order to achieve this goal, several parameters of implantation and post annealing procedures were tested. The ion energy was kept at 10 keV or 150 keV and four different ion doses were applied, as well as various annealing conditions. The analysis of X-ray absorption spectra allowed to estimate the local atomic order around Mn atoms. Depending on the implantation energy and annealing processes, the manganese oxides or manganese atoms located in a heavily defected GaSb matrix were observed. The performed analysis helped in indicating the main obstacles in formation of MnSb inclusions inside the GaSb matrix by Mn ion implantation.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Shallow Ohmic Contact System to n-GaAs
Autorzy:: Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Piotrowski, T. T.
Barcz, A.
Guziewicz, M.
Adamczewska, J.
Kwiatkowski, S.
Tematy:: 73.40.Ns; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929764.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Low resistance (Au)GeNi ohmic contacts to n-GaAs with smooth morphology and restricted penetration into the substrate have been fabricated. Rapid thermally nitrided tungsten has been demonstrated to be an effective capping layer during the contact processing.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Dyskusja
Autorzy:: Ananicz, Andrzej
Makarczyk, Jerzy
Nowak, Jerzy M.
Ciosek, Stanisław
Koźmiński, Maciej
Miszczak, Krzysztof
Barcz, Jan
Wydawca:: Uniwersytet Warszawski. Wydawnictwa Uniwersytetu Warszawskiego
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/chapters/973477.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation
Autorzy:: Barcz, A.
Pągowska, K.
Kozubal, M.
Guziewicz, E.
Borysiewicz, M.
Dyczewski, J.
Jakieła, R.
Ratajczak, J.
Snigurenko, D.
Dynowska, E.
Tematy:: 61.82.Fk
61.85.+p
68.35.Dv; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1402192.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In this paper we report on the analysis of Al⁺-implanted ZnO/GaN bilayers in search for the damage production mechanism and possible ion mixing. 100 nm or 200 nm thick ZnO epitaxial layers were grown on GaN substrates by either sputter deposition or atomic layer deposition technique followed by adequate annealing. Ion irradiations of ZnO/GaN were carried out at room temperature using 200 keV Al⁺ ions with fluences of 2×10¹⁵ and 10¹⁶ at./cm². Unprocessed and irradiated samples were characterized by the Rutherford backscattering spectrometry in channeling geometry (RBS\c), X-ray diffraction and transmission electron microscopy. Additionally, secondary ion mass spectrometry was employed for the aforementioned samples as well as for the implanted samples subjected to further annealing. It was found that the damage distributions in ZnO/GaN differ considerably from the corresponding defect profiles in the bulk ZnO and GaN crystals, most probably due to an additional strain originating from the lattice mismatch. Amount of intermixing appears to be relatively small; apparently, efficient recombination prevents foreign atoms to relocate to large distances.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Properties of Si:V Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure
Autorzy:: Misiuk, A.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Barcz, A.
Bak-Misiuk, J.
Chow, L.
Vanfleet, R.
Prujszczyk, M.
Tematy:: 61.72.Dd
61.72.uf
64.75.Qr
66.30.Xj
81.40.Xj; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1504150.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: It is known that processing of silicon implanted with vanadium, Si:V, at high temperature-pressure, HT-HP, can lead to magnetic ordering within the V-enriched area. New data concerning structure of Si:V (prepared using $V^{+}$ doses, D = (1-5) × $10^{15} cm^{-2}$, and energy, E = 200 keV), as implanted and processed for up to 10 h at HT ≤ 1400 K under enhanced hydrostatic pressure, HP ≤ 1.1 GPa, are presented. In effect of implantation, amorphous (a-Si) area is produced near range of implanted species. Transmission electron microscopy, secondary ion mass spectrometry, X-ray, and synchrotron methods were used for sample characterisation. At HT-HP the a-Si layer is subjected to solid phase epitaxial re-growth. Depending on HP, distinct solid phase epitaxial re-growth and formation of $VSi_2$ are observed at HT ≥ 720 K. HP applied at processing results in the improved solid phase epitaxial re-growth in Si:V. This can be related, among others, to the effect of HP on diffusivity of $V^{+}$ and of implantation-induced point defects. Our results can be useful for development of the new family of diluted magnetic semiconductors.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Ohmic Contacts To GaN by Solid-Phase Regrowth
Autorzy:: Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Barcz, A.
Ilka, L.
Guziewicz, M.
Kasjaniuk, S.
Dynowska, E.
Kwiatkowski, S.
Bremser, M. D.
Davis, R. F.
Tematy:: 73.40.Ns
73.40.Cg; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968123.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Ni/Si-based contact schemes based on the solid-phase regrowth process have been developed to form low-resistance ohmic contacts to GaN with a minimum contact resistivity of 1×10$\text{}^{-3}$ Ωcm$\text{}^{2}$ and ≈1×10$\text{}^{-2}$ Ωcm$\text{}^{2}$ to GaN:Si (n ≈ 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$) and GaN:Mg (p ≈ 3×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$). The solid-phase regrowth process responsible for the ohmic contact formation was studied using X-ray diffraction, secondary ion mass spectrometry and Rutherford backscattering spectrometry.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Barcz, M." wg kryterium: Autor