Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Pedagogiczna Biblioteka Wojewódzka im. Komisji Edukacji Narodowej w Lublinie Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaPedagogiczna Biblioteka Wojewódzka im. Komisji Edukacji Narodowej w Lublinie
Zmień bibliotekę

Wyszukujesz frazę "Beck, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 79
Tytuł:
Autonomous person following with 3D LIDAR in outdoor environment
Autorzy:
Bohlmann, K.
Beck-Greinwald, A.
Buck, S.
Marks, H.
Zell, A.
Tematy:
3D perception
person detection
person following,
car-like steering
Pokaż więcej
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/950916.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
The capability of a robot to follow autonomously a person highly enhances its usability when humans and robots collaborate. In this paper we present a system for autonomous following of a walking person in outdoor environments while avoiding static and dynamic obstacles. The principal sensor is a 3D LIDAR with a resolution of 59x29 points. We present a combination of 3D features, motion detection and tracking with a sampling Bayesian filter which results in reliable person detection for a lowresolu tion 3D-LIDAR. The method is implemented on an outdoor robot with car-like steering, which incorporates the target's path into its own path planning around local obstacles. Experiments in outdoor areas validate the approach.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Probing few-body nuclear dynamics via ^{3}H and ^{3}He (e, {e}p)pn cross-section measurements
Autorzy:
Gnanvo, K.
Gautam, T. N.
Tortorici, F.
Pomatsalyuk, R.
Topolnicki, Kacper
Bellini, V.
Hauenstein, F.
Ye, Z. H.
Owen, V.
Li, S.
Tadepalli, A. S.
King, D.
Szumila-Vance, H.
Armstrong, W.
Širca, S.
Gogami, T.
Bai, X.
Golak, Jacek
Papadopoulou, A.
Wood, S.
Duer, M.
Averett, T.
Hattawy, M.
Korover, I.
Pandey, B.
Hyde, C.
Jian, S.
Obrecht, R.
Biswas, D.
Premathilake, S.
McClellan, R. E.
Pandey, V.
Cruz-Torres, R.
Khachatryan, M.
Riordan, S.
Schmookler, B.
Puckett, A. J. R.
Keppel, C.
Lashley-Colthirst, N.
King, P.
Cohen, E. O.
Zhang, J.
Habarakada, A.
Covrig, S.
Aniol, K.
Duran, B.
Witała, Henryk
Khachatryan, V.
Mihovilovič, M.
Karki, A.
Alsalmi, S.
Mey-Tal Beck, S.
Dongwi, B.
Schmidt, A.
Patsyuk, M.
Ayerbe Gayoso, C.
Gu, C.
Meekins, D.
Liu, H.
Chen, J-P.
Tireman, W.
Santiesteban, N.
Nuruzzaman, N.
Hansen, O.
Bhatt, H.
Olson, M.
Ye, Z. Y.
Gomez, J.
Atac, H.
Castellanos, J.
Karki, B.
Abrams, D.
Katramatou, A. T.
Su, T.
Nelyubin, V.
Khanal, A.
Boeglin, W.
Sparveris, N.
Gilad, S.
Barcus, S.
Higinbotham, D. W.
Benmokhtar, F.
Markowitz, P.
Sawatzky, B.
Segarra, E. P.
Arrington, J.
Beck, A.
Rashad, M. N. H.
Fuchey, E.
Weinstein, L. B.
Petratos, G. G.
Joosten, S.
Urciuoli, G.
Park, S.
Hen, O.
Paul, S.
Dutta, D.
Meziani, Z-E.
Ransome, R.
Skibiński, Roman
Kutz, T.
Punjabi, V.
Laskaris, G.
Shahinyan, A.
Hague, T.
Bulumulla, D.
Hughes, E.
Michaels, R.
Piasetzky, E.
Bane, J.
Tang, L.
Bhetuwal, D.
Roche, J.
Suleiman, R.
Ou, L.
Wojtsekhowski, B.
Reimer, P. E.
Albataineh, H.
Nguyen, D.
Craycraft, K.
Androic, D.
Ibrahim, H.
Liyanage, N.
Nycz, M.
Gal, C.
Blyth, D.
Kamada, H.
Sargsian, M.
Camsonne, A.
Li, W.
Dostawca treści:
Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
Artykuł
Tytuł:
Ultrathin oxynitride films for CMOS technology
Autorzy:
Beck, R.B.
Jakubowski, A.
Tematy:
MOS technology
gate stack
ultrathin oxynitride layers
high temperature processing
plasma processing
Pokaż więcej
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308025.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
In this work, a review of possible methods of oxynitride film formation will be given. These are different combinations of methods applying high-temperature oxidation and nitridation, as well as ion implantation and deposition techniques. The layers obtained using these methods differ, among other aspects in: nitrogen content, its profile across the ultrathin layer,... etc., which have considerable impact on device properties, such as leakage current, channel mobility, device stability and its reliability. Unlike high-temperature processes, which (understood as a single process step) usually do not allow the control of the nitrogen content at the silicon-oxynitride layer interface, different types of deposition techniques allow certain freedom in this respect. However, deposition techniques have been believed for many years not to be suitable for such a responsible task as the formation of gate dielectrics in MOS devices. Nowadays, this belief seems unjustified. On the contrary, these methods often allow the formation of the layers not only with a uniquely high content of nitrogen but also a very unusual nitrogen profile, both at exceptionally low temperatures. This advantage is invaluable in the times of tight restrictions imposed on the thermal budget (especially for high performance devices). Certain specific features of these methods also allow unique solutions in certain technologies (leading to simplifications of the manufacturing process and/or higher performance and reliability), such as dual gate technology for system-on-chip (SOC) manufacturing.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
Autorzy:
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A.
Tematy:
MOS technology
plasma processing
shallow implantation
radiation damage
Pokaż więcej
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308830.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
The radiation damage caused by low energy r.f. plasmas has not been, to our knowledge, studied so far in the case of symmetric planar plasma reactors that are usually used for PECVD processes. The reason is that, unlike nonsymmetrical RIE reactors, such geometry prevents, basically, high-energy ion bombardment of the substrate. In this work, we present the results of experiments in which we have studied the influence of plasma processing on the state of silicon surface. Very low temperature plasma oxidation has been used as a test of silicon surface condition. The obtained layers were then carefully measured by spectroscopic ellipsometry, allowing not only the thickness to be determined accurately, but also the layer composition to be evaluated. Different plasma types, namely N2, NH3 and Ar, were used in the first stage of the experiment, allowing oxidation behaviour caused by the exposure to those plasma types to be compared in terms of relative differences. It has been clearly proved that even though the PECVD system is believed to be relatively safe in terms of radiation damage, in the case of very thin layer processing (e.g., ultra-thin oxynitride layers) the effects of radiation damage may considerably affect the kinetics of the process and the properties of the formed layers.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon
Autorzy:
Kalisz, M.
Beck, R. B.
Barcz, A.
Ćwil, M.
Tematy:
fluorine
reactive ion etching
silicon fluoride
boron thermal diffusion
fluorocarbon plasma
Pokaż więcej
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308657.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
We have investigated the influence of silicon dioxide reactive ion etching (RIE) parameters on the composition of the polymer layer that is formed during this process on top of the etched layer, and finally, the role of this layer in high-temperature thermal diffusion of boron into silicon. The polymeric layer formed on the etched surface appeared to consist of fluorine and silicon fluoride (SiOF and SiF). Concentration of these components changes depending on the parameters of RIE process, i.e., rf power, gas pressure and etching time. The composition of this polymeric layer affects, in turn, boron thermal diffusion into silicon. With increasing rf power, the depth of boron junction is increased, while increasing time of etching process reduces boron diffusion into silicon.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Challenges in ultrathin oxide layers formation
Autorzy:
Beck, R.B.
Jakubowski, A.
Łukasiak, L.
Korwin-Pawłowski, M.
Tematy:
silicon technology
oxidation
PECVD
RTO
gate oxide
ultrathin
layers
Pokaż więcej
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/307646.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
In near future silicon technology cannot do without ultrathin oxides, as it becomes clear from the "Roadmap'2000". Formation, however, of such layers, creates a lot of technical and technological problems. The aim of this paper is to present the technological methods, that potentially can be used for formation of ultrathin oxide layers for next generations ICs. The methods are briefly described and their pros and cons are discussed.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ogrody hortiterapeutyczne dla osób dorosłych z autyzmem - zasady projektowania
Horticultural therapy gardens for adults with autism - guidelines for designing
Autorzy:
Kalina-Gagnelid, A.
Kosiacka-Beck, E.
Myszka-Stąpór, I.
Skibińska, M.
Tematy:
choroby czlowieka
autyzm
ludzie chorzy
osoby dorosle
hortiterapia
ogrody terapeutyczne
projektowanie ogrodow
Pokaż więcej
Wydawca:
Uniwersytet Przyrodniczy w Lublinie. Wydawnictwo Uniwersytetu Przyrodniczego w Lublinie
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2184903.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 79

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies