Autor: Monemar, B. - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Optically Detected Magnetic Resonance Studies of Te-Related Shallow Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:: Godlewski, M.
Fronc, K.
Chen, W. M.
Monemar, B.
Tematy:: 71.55.Eq
72.20.Jv
76.70.Hb
78.55.Cr; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1890838.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The first studies of the Optically Detected Magnetic Resonance (ODMR) of Te-doped (x = 0.42) are presented. The ODMR data indicate an efficient energy transfer between epilayer and GaAs substrate.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Influence of Growth Conditions on Optical Properties of ZnCdSe/ZnSe Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:: Godlewski, M.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Kurtz, E.
Hommel, D.
Tematy:: 68.60.-p
71.35.+z
76.70.Hb; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950749.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The results of investigations of photoluminescence, time-resolved photoluminescence, photoluminescence kinetics and their temperature dependencies are discussed for two types of ZnCdSe/ZnSe multi quantum well structures - for pseudomorphic and for strain relaxed structure. Densities of 2D localized states and averaged localization energies, as seen by excitons, are determined from the photoluminescence kinetics measurements. We show distinct differences between exciton properties in two multi quantum well structures studied.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Optical Properties of GaN Epilayers grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy on AlN Buffer Layer on (111) Si
Autorzy:: Godlewski, M.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Rossner, U.
Barski, A.
Tematy:: 71.55.Eq
71.35.+z
78.47.+p; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950766.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Optical properties of GaN/AlN/Si (111) epilayers grown by MBE are studied. The observed decay transients of excitonic emissions and their temperature dependence is explained by an efficient transfer link between bound and free excitons.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Excitation and Recombination Processes in InAs$\text{}_{x}$P$\text{}_{1-x}$:Yb (x=0.04, 0.07 and 0.11)
Autorzy:: Godlewski, M.
Kozanecki, A.
Karpińska, K.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Tematy:: 71.55.Eq
78.55.Cr
71.35.+z; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1932083.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Excitation and recombination mechanisms of Yb$\text{}^{3+}$ 4f-4f intra-shell emission in InP and InAsP (4, 7 and 11% of As) are analyzed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Impact Ionization Driven Chaotic Photoluminescence Oscillations in Ga$\text{}_{0.47}$In$\text{}_{0.53}$As
Autorzy:: Godlewski, M.
Fronc, K.
Gajewska, M.
Chen, W.M.
Monemar, B.
Tematy:: 71.35.+z
72.70.+m
76.90.+d; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1888119.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: A new application of the Optically Detected Cyclotron Resonance (ODCR) is presented. We report impact ionization studies of bound exciton: (BE) and shallow donor related recombination processes in Ga$\text{}_{0.47}$In$\text{}_{0.53}$As. An appearance of chaotic oscillations in photoluminescence (PL) intensity is observed under condition of impact ionization of deeper donors.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Recombination Processes in Doped CdTe/CdMnTe Multiple Quantum Well Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:: Godlewski, M.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Kossut, J.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Tematy:: 78.47.+p
78.55.Et; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968089.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: An influence of doping level on exciton properties in n-doped multiple quantum well structures of CdTe/CdMnTe is studied for multiple quantum well structures prepared in the way that donor (indium) concentration changes within the length of the sample. We show that the formation scenario for neutral donor bound excitons in low-dimensional structures can be different from that observed in bulk samples. We further show that in the case of such quantum well structures we can selectively excite either photoluminescence emission of localized or donor bound excitons, which is a consequence of surprisingly weak energy transfer link between two types of excitonic transitions.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Optical Characterization of CdZnSe/ZnSe Multiquantum Well System
Autorzy:: Godlewski, M.
Karpińska, K.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Kurtz, E.
Hommel, D.
Tematy:: 68.60.-p
71.35.+z
76.70.Hb; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1932081.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Optical properties of Cd$\text{}_{x}$Zn$\text{}_{1-x}$Se/ZnSe (x = 0.12) multiquantum well system are discussed. The transient photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments demonstrate a strong contribution of bound exciton emission to the low temperature photoluminescence spectra.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Inter-Island Energy Transfer in AlGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:: Godlewski, M.
Holz, P. O.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Tematy:: 78.66.Fd
78.47.+p
73.20.Jc; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1952469.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The results of photoluminescence, time-resolved photoluminescence, photoluminescence excitation and photoluminescence kinetics studies are presented for a Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As/GaAs quantum well system grown without growth interruptions at the interfaces. The time-resolved photoluminescence measurements show drift of excitons towards lower energy states induced in a quantum well by potential fluctuations. We present also a first direct evidence for migration of free excitons from the 24 to 25 ML regions of the quantum well and interpret these results within a linear rate model, deriving the transition rate of 290 ps$\text{}^{-1}$. Such inter-island migration processes have been observed till now only in growth interrupted structures.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of CdMnTe/CdTe Multiquantum Wells and CdMgTe/CdMnTe Superlattices
Autorzy:: Godlewski, M.
Świątek, K.
Harris, C. I.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Waag, A.
Tematy:: 78.47.+ρ
76.70.Hb
68.55.Ln
71.35.+z; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1932082.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The results of photoluminescence, time resolved photoluminescence (decay times), optically detected cyclotron and magnetic resonances investigations of CdMnTe/CdTe multiquantum wells and CdMgTe/CdMnTe super-lattices are presented. The role of defects and quantum well width fluctuations in recombination processes of 2D carriers is discussed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Photoluminescence Studies of Cubic Phase GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy on (001) Silicon Covered with Sic Layer
Autorzy:: Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Barski, A.
Langer, R.
Tematy:: 71.55.Eq
78.47.+p; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968103.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In this work we evaluate optical properties of cubic phase GaN epilayers grown on top of (001) silicon substrate prepared by a new process. Prior to the growth Si substrate was annealed at 1300-1400°C in propane. The so-prepared substrate is covered with a thin (≈ 4 nm) SiC wafer, which allowed a successful growth of good morphological quality cubic phase GaN epilayers. The present results confirm recent suggestion on smaller ionization energies of acceptors in cubic phase GaN epilayers.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Monemar, B." wg kryterium: Autor