Autor: Popko, K. - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Impairment of Immune Function in Children with Familial Hemophagocytic Lymphohistiocytosis
Autorzy:: Wachowiak, J.
Badowska, W.
Górska, E.
Jasińska, J.
Drabko, K.
Popko, K.
Malinowska, I.
Maciejka-Kembłowska, L.
Demkow, U.
Balwierz, Walentyna
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Systemy informacji zintegrowanej
Systems of integrated information
Autorzy:: Popko, A.
Lenik, K.
Tematy:: systemy informacyjne
informacja zintegrowana; Pokaż więcej
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/395274.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Przedstawiono informacje dotyczące eksploatacji systemu typu GIS. Omówiono kluczowe kryteria procesu integracji eksploatowanych systemów informacyjnych wpływające na efektywność realizowanego procesu.
The article concentrates on the most significant information concerning exploitation process and data integration of GIS system. The author describes main criterions that determine efficiency of realized process.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: DLTS Study of Be-Doped p-Type AlGaAs/GaAs MBE Layers
Autorzy:: Szatkowski, J.
Płaczek-Popko, E.
Sierański, K.
Hansen, O.
Tematy:: 71.55.-i
71.55.Eq; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1992215.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Deep-level transient spectroscopy method was applied to study deep hole traps in p-type Al$\text{}_{0.5}$Ga$\text{}_{0.5}$As grown on GaAs semi-insulating substrate by MBE. Five hole traps labelled by us as H0 to H4 were found. For the traps H1, H3 and H4 thermal activation energies obtained from Arrhenius plots were equal to: E$\text{}_{H1}$=0.15 eV, E$\text{}_{H3}$=0.4 eV, and E$\text{}_{H4}$=0.46 eV. Hole emission from the trap H2 was electric field dependent with the thermal activation energy extrapolated to zero-field equal to 0.37 eV. Capture cross-sections for the traps H1 and H4 were thermally activated with energetic barriers 0.04 eV (for H1) and 0.18 eV (for H4).
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Deep Levels in Cd$\text{}_{0.99}$Mn$\text{}_{0.01}$Te:Ga
Autorzy:: Szatkowski, J.
Płaczek-Popko, E.
Sierański, K.
Bieg, B.
Tematy:: 71.55.-i
71.55.Gs; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1992339.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Two types of samples were studied. In the material with higher donor concentration four electron traps labelled by us as E1 to E4 were found. For the traps E2 and E3 energies obtained from Arrhenius plots are equal to 0.24 eV and 0.36 eV, respectively. Electric field enhanced electron emission from the levels E1 and E4 was observed and described in terms of Frenkel-Poole mechanism. Capture process from the traps E2 was found to be thermally activated with energetic barriers equal to 0.20 eV for E2.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Non-Exponential Photoionization of the DX Centers in Gallium Doped CdTe and $Cd_{0.99}Mn_{0.01}Te$
Autorzy:: Trzmiel, J.
Płaczek-Popko, E.
Weron, K.
Szatkowski, J.
Wojtyna, E.
Tematy:: 71.55.Gs
61.72.jj
78.20.Bh; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1812001.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The low temperature non-exponential transients of photoconductivity build-up in gallium doped $Cd_{0.99}Mn_{0.01}Te$ and CdTe alloys possessing DX centers were studied. It was found that the two-exponential model commonly used to explain the persistent photoconductivity growth in semiconductors with DX centers describes properly solely the photokinetics obtained for CdTe:Ga. In the case of $Cd_{0.99}Mn_{0.01}Te:Ga$ the stretched-exponential approach is more appropriate, for it explains the short-time power-law exhibited by the experimental data.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Studying of Perovskite Nanoparticles in PMMA Matrix Used as Light Converter for Silicon Solar Cell
Autorzy:: Lipiński, M.
Socha, R. P.
Kędra, A.
Gawlińska, K.
Kulesza-Matlak, G.
Major, Ł.
Drabczyk, K.
Łaba, K.
Starowicz, Z.
Gwóźdź, K.
Góral, A.
Popko, E.
Tematy:: perovskite nanoparticles
light converters
solar cells
solar energy materials; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/356850.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The nanoparticles of CH₃NH₃PbBr₃ hybrid perovskites were synthesized. These perovskite nanoparticles we embedded in polymethyl methacrylate (PMMA) in order to obtain the composite, which we used as light converter for silicon solar cells. It was shown that the composite emit the light with the intensity maximum at about 527 nm when exited by a short wavelength (300÷450 nm) of light. The silicon solar cells were used to examine the effect of down-conversion (DC) process by perovskite nanoparticles embedded in PMMA. For experiments, two groups of monocrystalline silicon solar cells were used. The first one included the solar cells without surface texturization and antireflection coating. The second one included the commercial cells with surface texturization and antireflection coating. In every series of the cells one part of the cells were covered by composite (CH₃NH₃PbBr₃ in PMMA) layer and second part of cells by pure PMMA for comparison. It was shown that External Quantum Efficiency EQE of the photovoltaic cells covered by composite (CH₃NH₃PbBr₃ in PMMA) layer was improved in both group of the cells but unfortunately the Internal Quantum Efficiency was reduced. This reduction was caused by high absorption of the short wavelength light and reabsorption of the luminescence light. Therefore, the CH₃NH₃PbBr₃ perovskite nanoparticles embedded in PMMA matrix were unable to increase silicon solar cell efficiency in the tested systems.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si
Photovoltaic Structures Based on Heterojunction Zno/Si
Autorzy:: Pietruszka, R.
Łuka, G.
Witkowski, B. S.
Kopalko, K.
Zielony, E.
Biegański, P.
Płaczek-Popko, E.
Godlewski, M.
Tematy:: fotowoltaika
tlenek cynku
metoda osadzania warstw atomowych
photovoltaic
zinc oxide; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/952439.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.
We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Si/ZnO nanorods with Ag nanoparticles/AZO heterostructures in PV applications
Autorzy:: Gwóźdź, K.
Płaczek-Popko, E.
Gumienny, Z.
Zielony, E.
Pietruszka, R.
Witkowski, B. S.
Wachnicki, Ł.
Gierałtowska, S.
Godlewski, M.
Chang, L. B.
Tematy:: solar cells
ZnO
Si
heterojunction
nanorods
nanoparticles
ogniwa słoneczne
nanopręty
nanocząstki; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/201432.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Our studies focus on test structures for photovoltaic applications based on zinc oxide nanorods grown using a low-temperature hydrothermal method on a p-type silicon substrate. The nanorods were covered with silver nanoparticles of two diameters – 20–30 nm and 50–60 nm – using a sputtering method. Scanning electron microscopy (SEM) micrographs showed that the deposited nanoparticles had the same diameters. The densities of the nanorods were obtained by means of atomic force microscope (AFM) images. SEM images and Raman spectroscopy confirmed the hexagonal wurtzite structure of the nanorods. Photoluminescence measurements proved the good quality of the samples. Afterwards an atomic layer deposition (ALD) method was used to grow ZnO:Al (AZO) layer on top of the nanorods as a transparent electrode and ohmic Au contacts were deposited onto the silicon substrate. For the solar cells prepared in that manner the current-voltage (I-V) characteristics before and after the illumination were measured and their basic performance parameters were determined. It was found that the spectral characteristics of a quantum efficiency exhibit an increase for short wavelengths and this behavior has been linked with the plasmonic effect.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Popko, K." wg kryterium: Autor