- Tytuł:
- Study of DI-Hydrogen-Monovacancy Defect in Silicon
- Autorzy:
-
Stallinga, P.
Nielsen, B. B. - Tematy:
-
76.30.Lh
76.70.Hb
76.30.-v - Pokaż więcej
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/1968423.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
- Opis:
- A careful analysis of the alleged electron paramagnetic resonance spectrum of VH$\text{}_{2}$ in silicon is made. The parameters of this spectrum coincide with those of the well-known excited state (S=1) spectrum of the oxygen vacancy defect. The conclusion is reached that they are one and the same.
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł