Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Suzuki, N." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Thermodynamic Temperature and Density of Ar(I) for 4S[1/2]0 State in a Facing Target Sputtering System
Autorzy:
Yasuda, Y.
Nishimiya, N.
Hoshi, Y.
Suzuki, M.
Tematy:
32.30.-r
42.62.Fi
52.70.-m
Pokaż więcej
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791238.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
The 4S' [1/2]0 → 4P' [3/2]1 transition of Ar(I) in a facing target sputtering chamber is measured using a Ti:sapphire ring laser at several operating conditions. Doppler width and line intensity are determined by analysis using the Voigt function. The thermodynamic temperature determined from the Doppler width increases linearly with discharge current and gas pressure. The population density from the line intensity is reduced to the reference temperature obtained by interpolating the discharge current to zero. The empirical relationship to describe population density at a discharge current and a gas pressure is discussed.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of Coincidence Doppler Broadening Spectroscopy to Hydrocarbons at Different Substance States
Autorzy:
Yu, R.
Suzuki, T.
Ito, Y.
Djourelov, N.
Kondo, K.
Shantarovich, V. P.
Tematy:
36.10.Dr
82.30.Gg
78.70.Bj
Pokaż więcej
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2042205.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
Coincidence Doppler broadening spectroscopy was applied to study n-hexane (C$\text{}_{6}$H$\text{}_{14}$), cyclohexane (C$\text{}_{6}$H$\text{}_{12}$) and cyclohexanone (C$\text{}_{6}$H$\text{}_{10}$O), at solid, as well as liquid states. The experiments were performed in parallel with traditional positron annihilation lifetime spectroscopy. Significant positron trapping by oxygen was observed in cyclohexanone; the oxygen effect is stronger in liquid state than in solid one, which can possibly be attributed to positron solvation in polar solution. Coincidence Doppler broadening results for n-hexane and cyclohexane indicate an existence of higher energetic annihilation electrons in Ps-bubble forming liquids than that in solids.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Some Aspects of Free Volume Studies in Molecular Substances Using Positron Annihilation Experiments
Autorzy:
Shantarovich, V. P.
Suzuki, T.
Djourelov, N.
Shimazu, A.
Gustov, V. W.
Kevdina, I. B.
Tematy:
78.70.Bj
Pokaż więcej
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2042187.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
Positron annihilation lifetime spectroscopy is accepted now as a method for the studies of elementary free volumes (free volume holes) in solids, in polymers in particular. The aim of this paper is to discuss some problems, the difficulties on the way of this application and to illustrate them by several examples obtained by the authors.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of a Pulsed Slow-Positron Beam to Low-Density Polyethylene Film
Autorzy:
Hamada, E.
Oshima, N.
Katoh, K.
Suzuki, T.
Kobayashi, H.
Kondo, K.
Kanazawa, I.
Ito, Y.
Tematy:
78.70.Bj
Pokaż więcej
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2024257.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
A pulsing system for a slow-positron beam was applied to study the region near the surface of low-density polyethylene film using positron-annihilation lifetime measurement. The lifetime and intensity of ortho-positronium near the surface were measured as a function of the incident positron energy (1.6-9.1 keV). The size of intermolecular spaces in the surface region (~ 1500 nm) was larger than that in the bulk region. This tendency was especially strong in the region around 200 nm below the surface. On the other hand, the intensity of ortho-positronium decreased at lower incident positron energies, which was attributed to a decrease in the density of the spur electrons and/or an increase in the number of reemitted positrons from the surface.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Detection of Shallow Dislocations on 4H-SiC Substrate by Etching Method
Autorzy:
Ishikawa, Y.
Yao, Y.
Sato, K.
Sugawara, Y.
Danno, K.
Suzuki, H.
Bessho, T.
Kawai, Y.
Shibata, N.
Tematy:
61.72.uj
81.65.Cf
68.37.Lp
Pokaż więcej
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492539.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
Correlation between dislocation types in epitaxial 4H-SiC and etch pit types on the 4H-SiC wafer surface were investigated by etch pit method and transmission electron microscope. Shallow dislocation on the wafer was found to form round pit without core. The shallow dislocation was estimated half-loop type in wafer and this estimation explains that step-flow growth converts half-loop dislocation into complex dislocation composed by threading dislocation and basal plane dislocation.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies