Autor: Teodorczyk, M. - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The use of a concrete testing machine as teaching equipment in engineering education
Zastosowanie maszyny wytrzymałościowej do badania właściwości betonu w dydaktyce
Autorzy:: Michałowska-Maziejuk, D.
Teodorczyk, M.
Tematy:: maszyna wytrzymałościowa
beton
wytrzymałość na ściskanie
moduł sprężystości
badania niszczące
zajęcia laboratoryjne
materials testing machine
concrete
compressive strength
modulus of elasticity
destructive testing
laboratory classes; Pokaż więcej
Wydawca:: Centralny Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Aparatury Badawczej i Dydaktycznej, COBRABiD
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/271386.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The paper describes how a materials testing machine can be used during laboratory classes to evaluate the properties of concrete and to demonstrate destructive testing techniques. The lab classes are designed to help students understand the concepts and determination methods for random dispersion, stress-strain and force-strain relationships, ultimate strain and concrete quality through the comparison of the results to the requirements set forth in Eurocode 2. The machine is used to test the compressive strength of concrete and the modulus of elasticity of concrete, including high-strength concrete. The testing system offers electronic measurement and simultaneous registration of the basic test parameters (destructive force, strain - also for individual load levels, modulus of elasticity of the test specimen, duration of the test, etc.), graphical representation of quantities and statistical calculations for the test specimens. The parameters measured during the test allow the evaluation of concrete class in the tested specimens and the quality control of a given batch of concrete, important for the safety of the structure and its serviceability.
W artykule przedstawiono zastosowanie maszyny wytrzymałościowej w celu zilustrowania właściwości betonu i metod realizacji badań niszczących podczas zajęć laboratoryjnych, pod kątem wykazania losowego rozrzutu wyników, oceny zależności siła-odkształcenie, naprężenie-odkształcenie, odkształcenia granicznego, jakości betonu i porównania wyników z normą EC2. Maszyna wytrzymałościowa daje możliwość przeprowadzenia m.in. badania wytrzymałości betonu na ściskanie, jak również badania modułu sprężystości betonu, w tym betonów wysokiej wytrzymałości. Zestaw badawczy umożliwia elektroniczną formę jednoczesnego pomiaru i zapisu podstawowych parametrów danego badania (siły niszczącej, odkształceń – również dla poszczególnych poziomów obciążenia, modułu sprężystości badanej próby, czasu trwania badania itp.), generowanie podczas badania wykresów zależności żądanych wielkości, a także dokonanie obliczeń statystycznych dla badanych elementów. Mierzone podczas badania wielkości parametrów pozwalają m.in. na dokonanie oszacowania klasy betonu badanych prób, modułu sprężystości oraz jakości produkcji danej partii betonu, ważnej dla bezpieczeństwa konstrukcji i jej użytkowania.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii
Dynamics of active region self-heating in laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design - a comparison by time-resolved spectroscopy
Autorzy:: Malag, A.
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Tematy:: dioda laserowa
heterostruktura
procesy cieplne
rozdzielczość czasowa
spektroskopia
sprawność energetyczna
laser diode
heterostructure
self-heating
time resolution
power conversion efficiency; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192216.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Przedstawiono wyniki prac porównawczych nad diodami laserowymi dużej mocy o symetrycznej i asymetrycznej konstrukcji heterostruktury, na pasmo 800 nm. Istotą konstrukcji asymetrycznej jest zastosowanie pasywnej warstwy falowodowej po stronie n, przez co rozkład pola optycznego generowanego promieniowania przesuwa się na tę stronę. Związane z tym zmniejszenie strat na swobodnych nośnikach umożliwia zwiększenie mocy emitowanego promieniowania diod laserowych poprzez rozszerzenie (w płaszczyźnie prostopadłej do złącza) przesuniętego rozkładu pola optycznego i wydłużenie rezonatora. Przesunięcie pola optycznego na stronę n umożliwia jednocześnie zmniejszenie grubości warstwy p-emitera, przez co oczekiwane jest zmniejszenie rezystancji (termicznej i elektrycznej) heterostruktury. Zostało to potwierdzone przez pomiary niestacjonarnych procesów cieplnych techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. W pracy impulsowej diod laserowych zaobserwowano znacznie mniejsze przesunięcie termiczne widma promieniowania w ciągu pierwszych mikrosekund od czoła impulsu w przyrządach skonstruowanych na bazie heterostruktury asymetrycznej w porównaniu z diodami wykonanymi z heterostruktur symetrycznych. Tak szybkie (rzędu pojedynczych μs) procesy cieplne mogą być związane tylko z najbliższym otoczeniem warstwy aktywnej, zatem głównie z wysokorezystywną warstwą p-emitera. W artykule przedstawiono technikę badania procesów cieplnych w obszarze aktywnym DL metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii z zastosowaniem kamery ICCD firmy Andor. Ze względu na rozdzielczość czasową znacznie poniżej l μs (z bramką do 2 ns), technika ta dostarcza informacji o szybkich, niestacjonarnych procesach w obszarze aktywnym i jego najbliższym otoczeniu. Jest zatem bardzo pomocna w ocenie konstrukcji przyrządów. Przedstawione wyniki pokazują, że konwencjonalna technika wyliczania rezystancji termicznej diod pracujących w warunkach CW może prowadzić do wniosków niezgodnych z wnioskami z pomiarów techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. Wskazano możliwe przyczyny tych rozbieżności.
The results of comparative investigations on 800-nm-band high-power laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design are presented. The idea of asymmetric heterostructure design is the insertion of a passive waveguide layer at the heterostructure's n-side whereby a field distribution of generated radiation shifts toward this side. Resulting decrease in free-carrier loss allows increasing of emitted radiation power by widening (perpendicular to the junction plane) of shifted optical field distribution and by laser cavity elongation. The shift of the optical field distribution toward the heterostructure n-side makes simultaneously possible a reduction of p-cladding layer thickness, which should cause a decrease of its thermal and electrical resistances. This has been confirmed by time-resolved spectroscopy measurements of transient thermal processes in laser diodes. In pulse operation, distinctly less thermal shift of lasing spectrum during the first (2 to 5) microseconds after the pulse start has been observed in asymmetric-design devices compared to symmetric ones. Such fast thermal processes can be connected only with the nearest vicinity of the active region i.e. mainly with the highly resistive p-cladding layer. Presented results show that conventional steady-state technique of thermal resistance measurements for CW operating laser diodes can sometimes lead to conclusions inconsistent with these obtained by the time-resolved spectroscopy. Possible reasons of the discrepancy are indicated.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn
Investigation of solder-induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn
Autorzy:: Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Maląg, A.
Tematy:: dioda laserowa
heterostruktura
montaż DL
In
eutektyk AuSn
laser diode
heterostructure
LD mounting
indium
eutectic AuSn; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192281.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Montaż diod laserowych wprowadza naprężenia do warstwy aktywnej chipu laserowego, zmieniając jej parametry elektrooptyczne. Dla ich charakteryzacji w ramach niniejszego opracowania badano charakterystyki mocowo--prądowe, spektralne promieniowania laserowego, nisko-prądowe I-V oraz charakterystyki promieniowania spontanicznego poniżej progu dla samego chipu i po każdym etapie montażu. Diody montowano do chłodnic w próżni i w atmosferze azotu przy użyciu lutowia miękkiego (In), a także przy zastosowaniu lutowia twardego (eutektycznego AuSn). W drugim przypadku chipy lutowano do miedzianej chłodnicy bezpośrednio i z zastosowaniem przekładki diamentowej. Stosowane lutowie AuSn było w postaci folii, jak również w postaci cienkich warstw Au i Sn lub stopu eutektycznego AuSn napylanych na chłodnicę lub przekładkę diamentową. Na każdym etapie montażu w diodach obserwowano różne naprężenia w zależności od zastosowanej metody. Sprawdzono również skuteczności procesów termicznej relaksacji naprężeń w diodach wykonanych poprzez wygrzewanie.
Mounting of laser diodes (LDs) introduces strains into LD's heterostructures, affecting their electro-optical parameters. In this paper, for the strain characterization various device characteristics, such as light-current, low current I-V, spectral characteristics above and below lasing threshold have been investigated, after each step of the mounting process. Diodes have been soldered in vacuum or in N2 atmosphere, using soft (In) and hard solder (eutectic AuSn). In the second case laser chips have been mounted on Cu heat sinks directly or using a diamond heat-spreaders between a chip and Cu heat sink. Various kinds of AuSn solder alloy have been used such as a perform foil or evaporated on the heat sink or the heat-spreader thin films of Sn and Au or sputtered eutectic AuSn layers. At each step of the mounting process LDs featured different strain magnitudes, depending on the mounting method (as mentioned above). Effectiveness of the strains relaxation by LDs after-mounting heating sequence has been investigated as well.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych
Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements
Autorzy:: Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Malag, A.
Tematy:: dioda laserowa
rezystancja termiczna
złącze p-n
pomiar termowizyjny
pomiar dynamiczny
charakterystyka spektralna
laser diode
thermal resistance
p-n junction
thermovision measurement
dynamics measurement
spectral characteristic; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192110.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: W pracy przeanalizowano przesuwanie się charakterystyk spektralnych w diodach laserowych (DL) z różną rezystancją termiczną (R₁), a także zmianę ich charakterystyk mocowo-prądowych na różnych etapach montażu. Mierzono wzrost temperatury złącza DL podczas przyłożonego impulsu prądowego poprzez dynamiczne (z rozdzielczością czasową) pomiary spektralne przy pomocy kamery ICCD. Porównano przesunięcia widm DL w czasie trwania impulsu o długości l ms w pomiarach dynamicznych i przesunięcia widm w czasie pomiarów przy stałej repetycji i zwiększającym się czasie trwania impulsu w zależności od wartości R₁. Wyniki te posłużyły do opracowania metody oceny jakości montażu na etapie pomiarów impulsowych.
In this paper, the shift of spectral characteristics measured at a constant rate of bias pulse repetition and various pulse duration for laser diodes (LDs) with different thermal resistances has been presented. The temperature increase of the p-n junction of LDs during the current pulse has been investigated by dynamic (time-resolved) spectral measurements using an ICCD camera. For LDs with a different thermal resistance spectral shift during a 1 ms long pulse in dynamic measurements and in the measurements at a constant rate of pulse repetition with variable pulse duration has been demonstrated.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge
Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds
Autorzy:: Dumiszewska, E.
Knyps, P.
Teodorczyk, M.
Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Tematy:: ogniwo słoneczne
MOCVD
złącze InGaP/ Ge
solar cells
InGaP/Ge junction; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192120.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: W pracy przedstawiono proces wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych opartych o związki A_III-B_V z wykorzystaniem technik osadzania MOCVD. Zaprezentowano także wstępne wyniki pomiarów elektrooptycznych pojedynczego złącza struktury Ge/InGaP:Si wykonanego w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych. Złącze to powstało w wyniku dyfuzji atomów fosforu z warstwy InGaP. Wszystkie prace technologiczne zostały przeprowadzone w ITME.
This work has been devoted to presenting the process of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on A_III-B_V compounds using MOCVD deposition techniques. Moreover, preliminary results of electro-optical measurements performed on a single junction of a Ge/InGaP:Si structure produced in the Institute of Electronic Materials Technology have been introduced. This junction has been created as a result of the diffusion of phosphorus atoms from an InGaP layer. All technological processes have been carried out in ITME.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: The Influence of Pressure on the Roughness of InGaP Layers
Autorzy:: Dumiszewska, E.
Knyps, P.
Wesolowski, M.
Teodorczyk, M.
Strupinski, W.
Tematy:: 77.55.dj
78.30.Fs
73.61.Ey
81.10.-h; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1492628.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Today, the technology of typical silicon-solar cells is fully developed and mature. In spite of its continuous improvements, the record efficiencies of 25.0% are approaching theoretical solar conversion limits of around 33.7%. Values much beyond this limit are likely to be achieved using III-V semiconductor compounds, electrical and optical properties are more suitable for solar energy conversion. They are the most promising candidates for realizing solar cells, which can achieve efficiencies of 50% and more. In this paper we studied the influence of pressure in the reactor chamber on the roughness of an InGaP "nucleation layer" grown on Ge. The growth of the layers was performed in a metalorganic vapour phase epitaxy reactor AIX 200/4. The source gases were trimethylgallium, trimethylindium and $AsH_3$. The rate of pressure in the reactor was raised from 100 mbar to 400 mbar by 50 mbar. The InGaP layers with the lowest roughness were achieved at the pressure of 400 mbar. The layers were characterized by very low roughness (RMS < 0.3) measured by atomic force microscopy. The quality of the surface was perfect enough to be applied in a solar cell structure.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Badanie centrów defektowych w heterostrukturach laserowych AlGaAsy GaAs ze studnią kwantową GaAsP
Investigation of defect centres in laser heterostructures of AIGaAs/GaAs with GaAsP quantum well
Autorzy:: Kamiński, P.
Kozubal, M.
Kozłowski, R.
Kozłowska, A.
Teodorczyk, M.
Tematy:: heterostruktura laserowa
centra defektowe
studnia kwantowa
warstwa falowodowa
metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192180.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Metodę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) zastosowano do badania centrów defektowych w laserach heterozłączowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP emitujących promieniowanie o długości fali X = 808 nm. W warstwach falowodowych laserów wykryto 5 pułapek oznaczonych jako T1a, T1b, T2, T3 i T4 o energii aktywacji odpowiednio 205, 215, 370, 380 i 470 meV. Pułapki T1a (205 meV), T2 (370 meV), T3 (380 meV) i T4 (470 meV) zidentyfikowane zostały jako pułapki elektronowe występujące w niedomieszkowanej warstwie falowodowej A10.35Ga0.65As typu n. Stwierdzono ponadto, że pułapki T2, T3, T4 są centrami DX zlokalizowanymi w otoczeniu o różnej konfiguracji atomowej, spowodowanej fluktuacjami składu warstwy Al035Ga065As. W szczególności dominujące pułapki T3 (380 meV) są centrami DX zlokalizowanymi w sąsiedztwie jednego atomu A1 i dwóch atomów Ga. W laserach nie poddanych starzeniu koncentracja tych pułapek jest dwukrotnie większa od koncentracji pułapek T4 (470 meV), pięciokrotnie większa od koncentracji pułapek T1a (205 meV) i T2 (370 meV) oraz ponad trzykrotnie większa od koncentracji pułapek T1b (215 meV). W wyniku procesu starzenia najsilniej (ponad dwukrotnie) wzrasta koncentracja pułapek T2 (370 meV). W przybliżeniu dwukrotny wzrost koncentracji obserwowany jest również w przypadku pułapki T1a (205 meV). W obszarze studni kwantowej wykryto 3 pułapki elektronowe charakteryzujące się energią aktywacji równą odpowiednio 200, 205 i 250 meV, które przypisano centrom DX zlokalizowanym w otoczeniu o różnej konfiguracji atomów arsenu i fosforu, spowodowanej fluktuacjami składu warstwy GaAs0.9P0.1. W obszarze tym wykryto ponadto pułapki o energii aktywacji 310 meV, które związane są prawdopodobnie z rodzimymi defektami punktowymi generowanymi wskutek wspinania się dyslokacji nachylonych pochodzących od dyslokacji niedopasowania.
Deep level transient spectroscopy (DLTS) has been applied to investigation of defect centres in heterostructures of AIGaAs/GaAs with GaAsP quantum well used for production of high-power laser diodes emitting the beam with the wavelength of 808 nm. In undoped A1035Ga065As cladding layers, five traps Tla(205 meV), T1b (215 meV), T2 (370 meV), T3 (380 meV) and T4 (470 meV) were revealed. The traps T1a, T2, T3 and T4 were found to be electron traps located in the cladding layer of w-type. The latter three traps are related to DX centres surrounded by different atomic composition due to alloy fluctuation effect. The traps T3 (380 meV), identified as DX centres localized in the vicinity of one Al atom and two Ga atoms, are predominant and their concentration is two times higher than that of traps T4 (470 meV), five times higher than the concentrations of traps T1a (205 meV) and T2 (370 meV) and three times higher than the concentration of traps T1b (215 meV). As a result of the aging processes, a strong increase (more than twofold) in the concentration of traps T2 (370 meV) was observed. The concentration of trap T1a (205 meV) was also approximately doubled. In the quantum well layer of GaAs0.9P0.1, three electron traps with activation energies of 200, 205 and 250 were revealed. These traps are likely to be related to DX centres surrounded by different quantity of arsenic and phosphorus atoms due to alloy fluctuation effect. Moreover, a trap with the activation energy of 310 meV was detected. This trap is presumably related to a native defect resulting from climbing of inclined dislocations originated from the misfit dislocations.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy
Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation
Autorzy:: Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Krzyżak, K.
Romaniec, M.
Sobczak, G.
Maląg, A.
Tematy:: dioda laserowa
test starzeniowy
degradacja diod
elektroluminescencja
laser diode
degradation of laser diode
life test
electroluminescence; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192166.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.
The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Towards improvement of beam quality of wide-stripe high-power laser diodes
Kierunki poprawy jakości wiązki promieniowania szerokopaskowych diod laserowych dużej mocy
Autorzy:: Maląg, A.
Sobczak, G.
Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Dąbrowski, A.
Nakielska, M.
Tematy:: laser diode
laser beam
heterostructure
directional characteristics of emission
dioda laserowa
wiązka laserowa
heterostruktura
charakterystyki kierunkowe emisji; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192421.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Selected ways of improving an emitted beam quality of high-power laser diodes (LDs) are proposed in both vertical and horizontal directions. Appropriate heterostructure design leads to a vertical beam divergence reduction to 12^º (FWHM) while simultaneously maintaining a high power conversion efficiency of LDs. In turn, the spatial stabilization of an optical field distribution in the junction plane results in horizontal beam profile stabilization as a function of the device drive current. This spatial stabilization (with preferred high-order lateral modes) is forced by ion-implanted lateral periodicity built into the wide-stripe waveguide of a LD.
Przedstawione zostały wybrane przykłady poprawy jakości wiązki promieniowania diod laserowych (DL) dużej mocy w płaszczyźnie prostopadłej do złącza (pionowej) i w płaszczyźnie złącza (poziomej). Odpowiedni projekt heterostruktury umożliwia ograniczenie rozbieżności wiązki w płaszczyźnie pionowej do 12^º przy utrzymaniu wysokiej sprawności energetycznej DL. Z kolei stabilizacja pola optycznego w płaszczyźnie złącza wymuszona przez strukturę periodyczną wbudowaną w szerokopaskowy światłowód heterostruktury laserowej prowadzi do stabilizacji profilu wiązki w płaszczyźnie poziomej w funkcji poziomu wysterowania przyrządu. Ta struktura periodyczna (preferująca wysokie mody boczne) jest formowana techniką implantacji jonów.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm
The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band
Autorzy:: Dąbrowska, E.
Nakielska, M.
Teodorczyk, M.
Sobczak, G.
Romaniec, M.
Malag, A.
Tematy:: dioda laserowa
heterostruktura
badania starzeniowe
niezawodność diody laserowej
laser diode
heterostructure
burn-in tests
degradation; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192203.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Celem pracy było zbadanie przyczyn degradacji laserów mocy i ich związku z wykonywaniem poszczególnych operacji technologicznych (processing, montaż, napylanie luster) na degradację diod na pasmo 880 nm. Dla badanych diod o długości ich życia decydowały przede wszystkim poprawność wykonania luster oraz wprowadzający naprężenia montaż. Praca posłużyła do modernizacji technologii wytwarzania diod laserowych celem zwiększenia zysku.
The influence of following technology processes (such as: wafer processing, montage, mirror deposition) on degradation of laser diodes emitting at 880 nm band was studied. Those investigations helped to improve technology of laser diode production.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Teodorczyk, M." wg kryterium: Autor