Temat: 72.20.Fr - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Improvement of Electrical Properties of Hg$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Se upon Doping with Fe
Autorzy:: Dobrowolski, W.
Grodzicka, E.
Kossut, J.
Witkowska, B.
Tematy:: 72.80.Ey
72.20.Fr
71.55.Fr; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1921589.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Results of measurements of electron concentration and mobility in mixed crystals of Hg$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.07) doped with resonant Fe donors (0 ≤ n$\text{}_{Fe}$ ≤ 5 × 10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$) at liquid helium temperatures are presented. The data show that there is a considerable improvement of the electrical properties of the material when Fe impurities are present. The analysis of the mobility in terms of the scattering from ionized centers (accounting for possible spatial correlation of impurity charges) and the alloy scattering is in agreement with the measured data.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Metastability of Localized Neutral Donor State In GaAs
Autorzy:: Skierbiszewski, C.
Jantsch, W.
Lübke, K.
Wilamowski, Z.
Suski, T.
Tematy:: 72.20.Fr
71.55.-i; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933994.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Investigations of the photoconductivity of GaAs:Ge under hydrostatic pressure show, in addition to the well known persistent photoconductivity due to the DX state, another giant photoconductivity caused by a neutral localised "A₁" state of the donor. We find that the top of the barrier for the electron recapture to the Α₁ state is pinned to the conduction band edge and the capture cross-section σ(T → ∞) is surprisingly small.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Peculiarities of Electron Transport in PbTe:Cr due to Presence of Resonant Impurity State
Autorzy:: Grodzicka, E.
Dobrowolski, W.
Kossut, J.
Story, T.
Witkowska, B.
Tematy:: 72.20.Fr
72.10.Fk
72.80.Jc; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929686.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The results of transport investigation of Pb$\text{}_{1-x}$Cr$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.009) in temperature range 3.5-300 K are presented. The obtained electron concentration and electron mobility vs. temperature and Cr concentration data are interpreted and discussed within the model assuming that Cr in PbTe forms a donor state resonant with the conduction band.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Self-Compensation Mechanism in Semi-Insulating CdMnTe Crystals Intended for X/γ-Ray Detectors
Autorzy:: Yurtsenyuk, N.
Kosyachenko, L.
Sklyarchuk, V.
Maslyanchuk, O.
Sklyarchuk, O.
Grushko, E.
Tematy:: 72.20.Fr
72.80.Ey
78.20.Ci; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1492970.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The electrical properties of single $Cd_{1 - x}Mn_{x}Te$ (x= 0.07 - 0.39) crystals with a resistivity of ≈ $10^8$ Ω cm at 300 K have been studied. The electrical conductivity is explained in the terms of statistics of electrons and holes in a semiconductor taking into account the compensation process in impurity-defect complexes. The energy of ionization and the degree of compensation levels have been found.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Coulomb versus Madelung Gap: Ordering in a System of Point Charges
Autorzy:: Sobkowicz, P.
Wilamowski, Z.
Kossut, J.
Tematy:: 71.55.-i
72.20.Fr; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929618.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Spatial correlations of impurity charges in a mixed valence regime are studied with the use of Monte Carlo simulations. The influence of various kinds of disorder on the one-particle density of states is determined. A continuous transitions from a "soft" Coulomb gap (density of states vanishing only at the chemical potential) to a "hard" gap (with a finite range of energies with vanishing density of states) is found, driven by decreasing amount of built-in disorder in the system. The "hard" Coulomb gap resembles the Madelung gap, found in crystalline arrangements of charges. The similarity reflects the fact that both the Coulomb and Madelung gaps are manifestations of the same phenomenon, resulting from ordering of the positions of point charges, the only difference being the range of correlations.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Evidence for Alloy Splitting of Ge Related DX State in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:: Skierbiszewski, C.
Piotrzkowski, R.
Lubke, K.
Tematy:: 71.55.-i
72.20.Fr; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1992190.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Thermal emission from resonant DX levels in Ge-doped GaAlAs was studied by measuring the temperature transients of free electron concentration. Pressure was used to fill the levels with electrons. Two emission peaks are observed in AlGaAs:Ge. This enables us to confirm that Ge, similarly to Si dopant, is stabilized upon dangling bond C$\text{}_{3v}$ configuration in AlGaAs. Analysis of experimental data allows us to determine parameters of two components of the DX multilevel system. Evaluated alloy splitting of ground and top of the barrier states: 45 meV is comparable with determined for Si donor.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Hole Scattering in GaSb: Scattering on Space Charge Regions Versus Dipole Scattering
Autorzy:: Pődör, B.
Tematy:: 72.20.Fr
72.20.Dp
72.80.Ey; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2044528.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Hole concentration and mobility were investigated by Hall measurements in nominally undoped p-type GaSb in the temperature range from 77 to 300 K. The dependence of the thermal ionization energy of native acceptors on the acceptor centre concentration and on the compensation degree was determined. The temperature dependence of the hole mobility was analyzed using a heuristic semi-empirical model as well as using a phenomenological two-hole band model. Space charge scattering and/or dipole scattering described with a mobility contribution with a~ T$\text{}^{-1}\text{}^{/}\text{}^{2}$ like temperature dependence dominated the hole mobility in the investigated temperature range.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Electrical Properties of InGaP Doped with Si
Autorzy:: Litwin-Staszewska, E.
Trzeciakowski, W.
Piotrzkowski, R.
Gonzalez, L.
Tematy:: 72.20.Fr
72.80.Ey
71.55.Eq; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1991938.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: We measured Hall concentration n in InGaP:Si epitaxial layers grown by MBE as a function of pressure P up to 2 GPa and of temperature T from 77 to 300 K. We interpreted our results in terms of the broad distribution of impurity states resonant with the conduction band. From the low-temperature n(P) dependence we can directly obtain the total density of impurity states around the Fermi level ρ(E$\text{}_{F}$). The Fermi level can be shifted with respect to impurity states by applying pressure and by using samples with different n. In this way we obtain ρ(E) in a wide energy range. We discuss the possible reasons for the observed broad distribution of ρ(E).
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Conductance of a Quantum Wire with Finite Length
Autorzy:: Suhrke, M.
Wilke, S.
Keiper, R.
Tematy:: 73.40.Lq
72.20.Fr
72.10.Bg; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1879929.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The conductance of a ballistic quantum wire between two reservoirs exhibits steps of height 2e$\text{}^{2}$/h, if the occupation of transverse subbands is changed. We investigate conditions for observation of these steps starting from Kubo-Greenwood formula. We show how the conductance steps are influenced by the properties of the external regions as well as by the nature of the connection between these regions and the wire. Furthermore we incorporate residual scattering in long wires.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Electron Scattering and the Band Structure of Mixed Crystals Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se
Autorzy:: Skierbiszewski, C.
Wilamowski, Z.
Suski, T.
Kossut, J.
Witkowska, B.
Tematy:: 72.10.Fk
72.20.Fr
72.80.Jc; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1923803.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In this paper the dependence of the band structure and the electron scattering mechanisms on the molar fraction x are studied in Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se. The crossover from the zero-gap band to the open band-gap configuration at x ≈ 0.08 is predicted. We explain the drop of the electron mobility for x > 0.002 by the alloy scattering mechanism.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "72.20.Fr" wg kryterium: Temat