Temat: 72.80.Ey - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The Temperature Dependence of the Three-Dimensional Analogue of the Quantum Hall Effect in Semimagnetic Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se
Autorzy:: Laue, I.
Portugall, O.
Von Ortenberg, M.
Tematy:: 72.80.Ey; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1886976.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Due to the pinning of the Fermi energy to a localised donor state in Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se the free carrier concentration oscillates in an applied external magnetic field. We measured the resulting modulations of the Hall resistance in fields up to 17.5 T and at temperatures between 4.2 K and 30 K.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Magnetotransport Characterization of HgCdTe Solid Solutions Structural Quality
Autorzy:: Berchenko, N. N.
Kurbanov, K. R.
Nikiforov, A. Yu.
Tematy:: 72.80.Ey; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933722.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: It has been demonstrated that variable-magnetic-field Hall measurements for n-Hg$\text{}_{1-x}$Cd$\text{}_{x}$Te samples in the extrinsic and intrinsic conductivity regions permit to identify and to evaluate semiqualitatively electrical activity of extended defects in this material.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: A New Type of Semi-Insulating Materials
Autorzy:: Leon, R. P.
Weber, E. R.
Tematy:: 72.80.Ey; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1921578.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The introduction of Cu in InP at 700°C and higher temperatures results in both initially p-type and n-type InP become semi-insulating. It is also observed that thermally stable In-Cu rich precipitates form, that the concentration of deep levels is negligible and that InP:Cu samples exhibit inhomogeneities and anomalous transport behavior. The buried Schottky barrier model is the only model thus far studied which is consistent with these experimental observations. This model has general applicability, and its possible relevance to other semiconductors is examined. The conditions necessary for forming quasi-intrinsic semiconductors by metallic precipitation are discussed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Electrical and ESR Studies of GaN Layers Grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition
Autorzy:: Suchanek, B.
Palczewska, M.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Kamińska, M.
Tematy:: 72.80.Ey
73.61.Ey; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968425.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Electrical transport and ESR studies were performed on the state-of-theart GaN layers grown on sapphire substrate using metal organic chemical vapour deposition technique. For undoped samples electron concentration below 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-1}$ and mobility up to 500 cm$\text{}^{2}$/(V s) were achieved whereas hole concentration up to 7×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ and mobility about 16 cm$\text{}^{2}$/(V s) were obtained for intentionally Mg doped samples and subsequently annealed. Temperature dependence of mobility was discussed. ESR revealed the presence of two resonance absorption lines. One of them with g$\text{}_{⊥}$=1.9487 and g$\text{}_{∥}$=1.9515, commonly observed in n-type GaN was due to shallow donor. The second ESR line was an isotropic one of g=2.0032 and it is discussed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Spatial Correlations of Donor Charges in MBE CdTe
Autorzy:: Suski, T.
Wiśniewski, P.
Litwin-Staszewska, E.
Wasik, D.
Przybytek, J.
Baj, M.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Zakrzewski, A.
Kossut, J.
Tematy:: 72.80.Ey
71.55.Gs; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1934021.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: We present experimental evidence that at high pressures indium donors in CdTe localize electrons in spatially correlated manner. We have studied Hall mobility, μ$\text{}_{H}$, as a function of electron concentration, n$\text{}_{H}$, at T=77 K. Changes of n$\text{}_{H}$ have been achieved by two methods. High pressure freeze-out of electrons onto localized states of In-donors leads to the mobility enhancement with respect to the situation when n$\text{}_{H}$ has been modified by means of a subsequent annealing of the sample. As a result, depending on the degree of spatial correlations in the impurity charges arrangement, different values of μ$\text{}_{H}$ correspond to the same value of n$\text{}_{H}$. The variation of mobility with electron concentration suggests that the localized state of In-donor represents likely negatively charged DX state.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Deep Level Studies in Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se Layers Grown by MBE
Autorzy:: Płachetko, S.
Ząbik, G.
Łukasiak, Z.
Borowski, P.
Bała, W.
Tematy:: 71.55.Eq
72.80.Ey; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1992065.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The deep levels present in semiconducting Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.4) were investigated by means of deep level transient spectroscopy, photocapacitance transient and thermally stimulated depolarization. The thermal activation energy levels estimated from the deep level transient spectroscopy measurements are: E$\text{}_{T1}$=0.28 eV and E$\text{}_{T2}$=0.56 eV. For the Zn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Se epilayers thermally stimulated depolarization curves consist of four overlapping peaks: 227.4 K, 243.6 K, 265.7 K, and 285.0 K.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Optically-Determined Exciton Transport in GaAs Structures
Autorzy:: Gililand, G. D.
Wolford, D. J
Hjalmarson, H. P
Petrovic, M. S.
Klem, J.
Kuech, T. F.
Northrop, G. A.
Bradley, J. A.
Tematy:: 78.47.+p
72.80.Ey; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929606.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: We have used an all-optical photoluminescence-imaging technique to measure excitonic transport in three types of GaAs structures in which the excitonic transitions vary from allowed direct-gap excitons to forbidden, doubly-indirect Type-II excitons. We f nd remarkable differences in the transport properties of these excitons. Our studies show that bulk free-exciton transport exhibits an anomalous laser power-dependent diffusivity, whereas quasi-2D interfacial excitons and Type-II cross-interface excitons do not. Additionally, we observe localization of cross-interface excitons at the potential disorder induced by the heterointerface roughness.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: 35×4 Substates of DX Centers in AlGaAs:Si
Autorzy:: Ostermayer, G.
Brunthaler, G.
Stöger, G.
Jantsch, W.
Wilamowski, Z.
Tematy:: 71.55.Eq
72.80.Ey; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929749.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The measured temperature dependent free carrier concentration in AlGaAs:Si samples is compared with a model calculation where we take the full 35 × 4 alloy statistics of the DX center and potential fluctuations into account. Within this statistics we are able to describe the electron capture by a single barrier E$\text{}_{B}$ for all Al-configurations. We compare the alloy statistics with the simple 4 × 1 statistics.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Alloy Splitting of the Te-DX States in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:: Ostermayer, G.
Jantsch, W.
Dobosz, D.
Żytkiewicz, Z. R.
Wilamowski, Z.
Tematy:: 71.55.Eq
72.80.Ey; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929750.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: We report investigations of the Hall effect and conductivity of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (x = 0.3). After illumination at low temperature, the conductivity decreases in two steps on warming. These steps are explained in terms of the two sets of energy levels associated with two types of Te-DX centers depending on the neighboring host cation (Ga or Al) which undergoes the 1attice relaxation. The observed persistent increase in mobility is also explained in terms of the two different capture barriers.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Anisotropy of Magnetic Interactions in HgFeSe
Autorzy:: Wilamowski, Z.
Przybylińska, H.
Joss, W.
Guillot, M.
Tematy:: 72.80.Ey
75.20.Hr; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1921599.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Magnetic properties (susceptibility, high-field torque and magnetization) of cubic HgFeSe are analyzed. Van Vleck magnetism of Fe$\text{}^{2+}$ is well evidenced. The energy splitting of the Fe levels in HgSe is shown to differ considerably from that in other II-VI compounds.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "72.80.Ey" wg kryterium: Temat