Temat: 85.30.Mn - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Study of the Electrical Behavior of Metal/α-SiC:H/poly-Si(N) Structure Using Simulation
Autorzy:: Papadopoulou, P.
Stavrinides, S.
Hanias, M.
Magafas, L.
Tematy:: 85.30.De
85.30.Mn
85.30.Hi; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1401377.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In this report, a study of the electrical behavior for the Metal/a-SiC/poly-Si(n) structure, appears. Different thicknesses of a-SiC:H thin films are considered; in specific the a-SiC:H layer thickness is varied between 100 Å up to 800 Å. The 2-D ATLAS advanced numerical simulator has been utilized in order to simulate the material's electrical behavior and produce the reported hereby results. The study of the I-V (current-voltage) characteristics of these Metal/α-SiC:H/poly-Si(N) structures, reveals a very interesting hysteretic behavior that is a function of the a-SiC:H thin-film thickness. Such materials have lately raised the engineering community's interest because of their possible utilization as memristive elements.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Tunnel Current Features Caused by Defect Assisted Process in Resonant-Tunnelling Structures
Autorzy:: Belyaev, A. E.
Vitusevich, S. A.
Glavin, B. A.
Konakova, R. V.
Dobrowolski, W.
Mąkosa, A.
Kravchenko, L. N.
Gornev, E. S.
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1947897.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: An extra channel of electron tunnelling through a double-barrier resonant-tunnelling GaAs/AlGaAs heterostructure caused by impurity assisted tunnelling was identified. We argue that it is due to DX centres associated with dopant donor atoms which diffused into the AlGaAs barrier layer.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Three- versus Two-Dimensional Electron Gas Injection in Resonant Tunnelling
Autorzy:: Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkοsa, A.
Kaniewska, M.
Regiński, K.
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933735.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: A small "precursor" of resonance is observed before the main resonance peak in the current-voltage characteristic of double-barrier resonant-tunnelling devices. The competition between the precursor and main-peak current is examined within the temperature range 4.2-400 K. The precursor is interpreted as 3DEG contribution to the resonant tunnelling dominated by a 2DEG injection from a triangular well formed under bias in the emitter spacer layer.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Traversal Time through Double-Barrier Resonant Tunneling Structure
Autorzy:: Figielski, T.
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929681.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: There are certain confusing statements in the literature concerning a physical time that is responsible for a high-frequency limit in operation of double-barrier resonant tunneling devices. Here, it is shown that an electron traversal time, introduced earlier by ours, exhibits no singularity on resonance and might be a good candidate for the quantity in question.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Fine Structure of Resonant-Tunneling Peak in GaAs/AlAs Double-Barrier Heterostructure
Autorzy:: Vitusevich, S. A.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Belyaev, A. E.
Konakova, R. V.
Kravchenko, L. N.
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1872937.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: For the first time we observed a fine oscillatory structure, with the period of 36 mV, of the resonant tunneling peak in the current-voltage characteristic of a double-barrier heterostructure. We attribute it to a sequential single-phonon emission of ballistic electrons which tunneled out from the quantum well through the collector barrier.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Inelastic Electron Scattering in Double-Barrier Resonant Tunneling Structure Revealed with Photoexcitation
Autorzy:: Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Harness, P. C.
Singer, K. E.
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1929767.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: We investigated current-voltage and photocurrent-voltage characteristics of a double-barrier resonant tunneling structure based on AlGaAs. To explain the observed "double-step" feature of the characteristics, we have proposed a mechanism including a multiple phonon emission of an electron dwelling in the quantum well.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Coherent and Sequential Tunneling in High Magnetic Field
Autorzy:: Belyaev, A. E.
Vitusevich, S. A.
Maude, D.
Portal, J. C.
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968012.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In the resonant tunneling diode incorporating a wide one-sided spacer layer, an oscillation picture has been studied in both polarities of the applied voltage in high magnetic field. The results lead to the conclusion that the interference between the electron waves running in the forward direction and the ones reflected at some potential step can occur in both the emitter and collector regions. The characteristic lengths corresponding to the path of the ballistic motion of electrons were estimated. An exchange enhancement of the electronic g-factor in two-dimensional systems was observed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Capacitance Spectroscopy of Single-Barrier GaAs/AlAs/GaAS Structures Containing InAs Quantum Dots
Autorzy:: Belyaev, A. E.
Eaves, L.
Main, P. C.
Polimeni, A.
Stoddart, S. T.
Henini, M.
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1969042.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: An electrostatic profile of single-barrier heterostructures with InAs quantum dots encased into barrier has been studied. The role of growth conditions and structure's design is investigated. The charging state and position of energy levels for InAs quantum dots embedded in AlAs matrix are discussed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Magnetically Controlled Interference of Ballistic Electrons Tunnelled throughout the Double-Barrier Resonator
Autorzy:: Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Vitusevich, S. A.
Belyaev, A. E.
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950748.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: An effect of magnetic field normal to the tunnel current on the amplitude and phase of the fine oscillatory structure, discovered in the resonance current-voltage curve in double-barrier AlAs/GaAs heterostructures, has been examined. All the obtained results are consistently explained in terms of the interference of ballistic electrons, escaped from the quantum well, in the collector part of the structure.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Effect of Magnetic Field on Fine Structure of Tunnel Current in Double-Barrier Resonant-Tunneling Devices
Autorzy:: Belyaev, A. E.
Vitusevich, S. A.
Glavin, B. A.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933716.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: An effect of magnetic field on a fine oscillatory structure revealed in the resonant current flowing through double-barrier resonant-tunneling devices is examined. It is found that the observed variation of the fine structure in a magnetic field parallel to the current direction differs considerably from that appearing in tunnel current flowing through single-barrier structures. Experimental results are explained in terms of the quantum interference effect arising in structures having wide spacer layers.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "85.30.Mn" wg kryterium: Temat