Temat: GATE - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology
Autorzy:: Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Głuszko, G.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Tematy:: CMOS
dual gate oxide
gate stack
oxynitride
plasma implantation; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308685.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The goal of this work was to study nitrogen implantation from plasma with the aim of applying it in dual gate oxide technology and to examine the influence of the rf power of plasma and that of oxidation type. The obtained structures were examined by means of ellipsometry, SIMS and electrical characterization methods.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Challenges in scaling of CMOS devices towards 65 nm node
Autorzy:: Jurczak, M.
Veloso, A.
Rooyackers, R.
Augendre, E.
Mertens, S.
Rotschild, A.
Scaekers, M.
Lindsay, R.
Lauwers, A.
Henson, K.
Severi, S.
Pollentier, I.
Keersgieter de, A.
Tematy:: CMOS devices
gate dielectrics
shallow junctions
silicide
gate stack
lithography
gate patterning
silicon recess
device integration; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308984.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The current trend in scaling transistor gate length below 60 nm is posing great challenges both related to process technology and circuit/system design. From the process technology point of view it is becoming increasingly difficult to continue scaling in traditional way due to fundamental limitations like resolution, quantum effects or random fluctuations. In turn, this has an important impact on electrical device specifications especially leakage current and the circuit power dissipation.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Studies of simultaneous measurements using J-PET scanner and CT scanner.
Badania możliwości jednoczesnego dokonywania pomiarów za pomocą tomografu J-PET oraz tomografu komputerowego.
Autorzy:: Krawczyk, Nikodem
Opis:: Celem pracy było określenie możliwości połączenia prototypowego paskowego pozytonowego tomografu emisyjnego z tomografem komputerowym. Połączenie takie ma wiele zalet z punktu widzenia diagnostyki medycznej. W pracy zademonstrowane zostały wyniki uzyskane w wyniku przeprowadzenia symulacji napisanej w środowisku Geant4. Wniosek ze wstępnych wyników jest następujący: połączenie tych dwóch typów tomografów będzie możliwe.
The aim of this study was to determine the possibility of merging the J-PET scanner with CT scan. The connection has many advantages in terms of medical diagnosis. Presented results were obtained from the simulation written in Geant4 enviroment. The outcome of the preliminary results is as follows: the combination of these two types of scanners will be possible.
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Inne

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: A novel proposal for all-optical XOR/XNOR gate using a nonlinear photonic crystal based ring resonator
Autorzy:: Asghari, Mehrnoush
Moloudian, Gholamhosein
Hassangholizadeh-Kashtiban, Mahdi
Tematy:: photonic crystal
optical logics
XOR gate
XNOR gate
Kerr effect; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/173268.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Optical logic gates are very important structures required for creating all-optical digital signal processing systems. Optical XOR and XNOR gates can be used for designing optical adders and optical comparators, respectively. In this paper we proposed a novel structure which can be used for simultaneous implementation of optical XOR and XNOR logic gates. The proposed structure was designed using a nonlinear photonic crystal ring resonator. The delay time for XOR and XNOR gates are 1.7 and 3 ps, respectively.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Model of a sliding gate controlled by a PLC driver
Autorzy:: Majcher, Jacek
Tematy:: PLC
sliding gate
visualisation; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/376511.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Due to low costs, PLC controllers are used not only in technological processes but also in everyday life. The article presents the possibility of using a PLC controller to control the operation of a sliding gate. For this purpose, a design was created and a sliding gate model made controlled with a Siemens S7-1200 PLC controller. This model is used to develop various gate control algorithms, especially for appropriate gate protection against crushing or uncontrolled closing. In addition, this model is connected via the Internet to a stand equipped with the SCADA application. The iFix 5.8 PL application was used to visualise the operation of the door, which, by means of a communication driver, allows the elevator operation to be controlled remotely. In addition, elements are shown in a graphic way, whereby it is possible to assess the position of the gate.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors
Autorzy:: Ohata, A.
Ritzenthaler, R.
Faynot, O.
Cristoloveanu, S.
Tematy:: MOSFET
SOI
ultra-thin silicon
multiple-gate
mobility
coupling effect
thin gate oxide
gate-induced floating body effect
drain-induced virtual substrate biasing; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308994.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: State-of-the-art SOI transistors require a very small body. This paper examines the effects of body thinning and thin-gate oxide in SOI MOSFETs on their electrical characteristics. In particular, the influence of film thickness on the interface coupling and carrier mobility is discussed. Due to coupling, the separation between the front and back channels is difficult in ultra-thin SOI MOSFETs. The implementation of the front-gate split C-V method and its limitations for determining the front- and back-channel mobility are described. The mobility in the front channel is smaller than that in the back channel due to additional Coulomb scattering. We also discuss the 3D coupling effects that occur in FinFETs with triple-gate and omega-gate configurations. In low-doped or tall fins the corner effect is suppressed. Narrow devices are virtually immune to substrate effects due to a strong lateral coupling between the two lateral sides of the gate. Short-channel effects are drastically reduced when the lateral coupling screens the drain influence.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Z zachwytem. O „Drugiej bramie” Haliny Górskiej
.With Amazement. On Halina Górskas “The Second Gate”
Autorzy:: Graczyk, Ewa
Tematy:: Halina Górska
“The Second Gate”; Pokaż więcej
Wydawca:: Uniwersytet Gdański. Wydział Filologiczny
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/545570.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Review of the book “The Second Gate” by Halina Górska
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Projektowanie zamknięć hydrotechnicznych według Eurokodów na przykładzie klapy soczewkowej
Design of hydraulic gate (flap gate) according to European standards
Autorzy:: Machowska, A.
Kosiński, P.
Tematy:: zamknięcie hydrotechniczne
klapa soczewkowa
oddziaływania
parcie wody
hydraulic gate
actions
flap gate
water pressure; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/105305.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: W artykule przedstawiono wyniki analizy oddziaływań działających na zamknięcie hydrotechniczne w postaci klapy soczewkowej zainstalowanej na segmencie podnoszonym oraz nośności klapy pracującej jako ustrój cienkościenny o profilu zamkniętym. Obliczenia wykonano według obowiązujących norm – Eurokodów (PN-EN 1990, PN-EN 1993-1-1, PN-EN 1993-1-3, PN-EN 1993-1-7 oraz PN-EN 1993-4), oraz wycofanych norm (PN-B-03200 i PN-B-03203). Przeanalizowano wartości efektów oddziaływań dla sześciu położeń klapy. Analiza wyników wskazuje, że wartości oddziaływań wyznaczone według Eurokodów są wyższe dla warunków eksploatacyjnych i znacząco niższe dla warunków wyjątkowych pracy zamknięcia w porównaniu do oddziaływań wyznaczonych zgodnie z zasadami przedstawionymi w wycofanej normie. Wskazuje to na konieczność wydania opracowania do norm obowiązujących, które regulowałoby wartości współczynników częściowych stosowanych w projektowaniu zamknięć hydrotechnicznych, gdyż te podane w Eurokodach nie odzwierciedlają charakteru obciążenia działającego na budowle wodne. W dalszej części artykułu przedstawiono wyniki obliczeń statyczno - wytrzymałościowych dla najbardziej niekorzystnego przypadku obciążenia. Analiza wyników weryfikacji stanu granicznego nośności klapy soczewkowej wskazuje, że można bezpiecznie zaprojektować stalowe zamknięcie wodne bazując na zapisach zawartych w normach zharmonizowanych. Jest to proces pracochłonny, a największą trudność stanowi ustalenie obliczeniowych wartości efektów oddziaływań. Ze względu na specyfikę konstrukcji stalowych zamknięć wodnych i warunków ich pracy niezbędne jest opracowanie przepisów regulujących zasady jakie należy zachować podczas ich projektowania.
The article presents the results of calculations concerning actions on hydraulic gate: flap gate installed on a segment and resistance of flap gate designed as thin-walled cross-section. The calculations were conducted accordingly to valid standards PN-EN 1990, PN-EN 1993-1-1, PN-EN 1993-1-3, PN-EN 1993-1-7 and PN-EN 1993-4 and to standard which was withdrawn – PN-B- 03200 and PN-B-03203. The values of actions were calculated for six possible flap gate positions. The analysis of obtained results indicates that the values of impacts calculated acc. to European standards for common operational conditions are overestimated and values calculated for accidental design conditions are significantly underestimated. It indicates the necessity of implementing the regulations concerning the values of partial factors used in design process of hydraulic gates, because the factors implemented in Eurocodes do not reflect the character of actions on hydraulic structures. Furthermore in the article the calculations concerning mechanical resistance of elements of flap gate are presented. Analysis of obtained results reveals that a hydraulic gate such as flap gate may be designed using rules presented in Eurocodes, and the difficulty is in establishing the design values of actions’ effects. Due to specificity and operating conditions of hydraulic gates it is necessary to elaborate the document concerning the rules which must be fulfilled in design process.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Performance Comparison of Stacked Dual-Metal Gate Engineered Cylindrical Surrounding Double-Gate MOSFET
Autorzy:: Dargar, Abha
Srivastava, Viranjay M.
Tematy:: short-channel effects
metal oxide semiconductor
transistor
cylindrical surrounding double-gate
dual-material gate
microelectronics
nanotechnology; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1844602.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In this research work, a Cylindrical Surrounding Double-Gate (CSDG) MOSFET design in a stacked-Dual Metal Gate (DMG) architecture has been proposed to incorporate the ability of gate metal variation in channel field formation. Further, the internal gate's threshold voltage (VTH1) could be reduced compared to the external gate (VTH2) by arranging the gate metal work-function in Double Gate devices. Therefore, a device design of CSDG MOSFET has been realized to instigate the effect of Dual Metal Gate (DMG) stack architecture in the CSDG device. The comparison of device simulation shown optimized electric field and surface potential profile. The gradual decrease of metal work function towards the drain also improves the Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) and subthreshold characteristics. The physics-based analysis of gate stack CSDG MOSFET that operates in saturation involving the analogy of cylindrical dual metal gates has been considered to evaluate the performance improvements. The insights obtained from the results using the gate-stack dual metal structure of CSDG are quite promising, which can serve as a guide to further reduce the threshold voltage roll-off, suppress the Hot Carrier Effects (HCEs) and Short Channel Effects (SCEs).
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes
Autorzy:: Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Tematy:: CMOS
gate stack
oxynitride
plasma implantation; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308689.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Experiments presented in this work are a summary of the study that examines the possibility of fabrication of oxynitride layers for Si structures by nitrogen implantation from rf plasma only or nitrogen implantation from rf plasma followed immediately by plasma oxidation process. The obtained layers were characterized by means of: ellipsometry, XPS and ULE-SIMS. The results of electrical characterization of NMOS Al-gate test structures fabricated with the investigated layers used as gate dielectric, are also discussed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "GATE" wg kryterium: Temat