Temat: InGaN - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate
Autorzy:: Wójcik, M.
Strupiński, W.
Rudziński, M.
Gaca, J.
Tematy:: HRXRD
heterostruktura
interfejs
GaN
InGaN
heterostructure
interface; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192140.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków A^IIIN, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.
A procedure for forming a graphical chemical composition profile in the interface region was developed for A^IIIN compounds. It greatly simplifies and shortens the process of creating the model of InGaN/GaN heterostructures. The three-step-method was successfully worked out and used for modeling the InGaN/GaN structure, and finally applied to the investigation of the real structure of epitaxial systems produced at ITME by means of the MOCVD technique.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Influence of InGaN waveguide on injection efficiency in III-nitride laser diodes
Autorzy:: Hajdel, Mateusz
Muzioł, Grzegorz
Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir
Siekacz, Marcin
Wolny, Paweł
Skierbiszewski, Czesław
Tematy:: InGaN
laser diode
waveguide
injection efficiency; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/173219.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The influence of using InGaN waveguides on blue laser diodes was theoretically studied using 1D drift diffusion model and 2D optical mode calculation. Despite of the known effect of increased confinement of an optical mode, especially for long wavelengths, an unexpected influence on the efficiency of carrier injection into the active region is discussed. It is found that InGaN-AlGaN interface is crucial to achieving high injection efficiency. A numerical model is created, which describes the influence of InGaN waveguide and Mg doping of electron blocking layer on basic properties of laser diodes. It is found that an increase of injection efficiency allows to reduce the doping level in an electron blocking layer and take advantage of decreased optical losses.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature
Autorzy:: Veleschuk, V
Vlasenko, A
Kisselyuk, M
Vlasenko, Z
Khmil, D
Borshch, V
Tematy:: electroluminescence at reverse bias
InGaN/GaN heterostructures
defect; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/174776.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The electroluminescence spectra at reverse biases in LED InGaN/GaN heterostructures at liquid nitrogen temperatures were studied. At the reverse bias and T = 77 K, avalanche microplasmas breakdowns were observed. Electroluminescence spectra demonstrate two peaks caused by the recombination of carriers in different parts of the structure (quantum well and p-GaN layer). The temperature narrowing the half-width and the shift of electroluminescence spectra peaks inherent to microplasmas were observed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers
Autorzy:: Kuc, M.
Sokół, A. K.
Piskorski, Ł.
Dems, M.
Wasiak, M.
Sarzała, R. P.
Czyszanowski, T.
Tematy:: edge-emitting lasers
InGaN/GaN
computer simulation
ITO
optical confinement; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/200863.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: This paper presents the results of a numerical analysis of nitride-based edge-emitting lasers with an InGaN/GaN active region designed for continuous wave room temperature emission of green and blue light. The main goal was to investigate whether the indium thin oxide (ITO) layer can serve as an effective optical confinement improving operation of these devices. Simulations were performed with the aid of a self-consistent thermal-electrical-optical model. Results obtained for green- and blue-emitting lasers were compared. The ITO layer in the p-type cladding was found to effectively help confine the laser mode in the active regions of the devices and to decrease the threshold current density.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
Autorzy:: Wójcik Marek
Współwytwórcy:: Rudziński Mariusz
Gaca Jarosław
Strupiński Włodzimierz
Wydawca:: ITME
Powiązania:: Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:: s. 48-57 : il. 30 cm
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Modelowanie zjawiska spadku sprawności dla dużych gęstości prądów w diodach elektroluminescencyjnych z azotków
Modeling of efficiency droop effect in GaN leds
Autorzy:: Cegielski, T.
Tematy:: oświetlenie
elektroliminescencja
LED
GaN
InGaN
wewnetrzna sprawność kwantowa
studnia kwantowa
rekombinacja
spadek sprawności
solid state lighting
internal quantum efficiency
quantum well
recombination
efficiency droop; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/160001.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Pomimo rozwoju, który nastąpił w technologii wytwarzania białych elektroluminescencyjnych źródeł światła, w urządzeniach tych ciągle istotną ograniczającą rolę pełni zjawisko spadku sprawności generacji światła dla dużych gęstości prądu. Ponadto wciąż nierozpoznane dostatecznie są jego fizyczne podstawy. W referacie przedstawiono możliwe modele opisujące ten efekt, opierając się na dyskutowanych w literaturze hipotetycznych przyczynach: różnych rodzajach rekombinacji Augera, efektach termicznych, występowaniu silnych pól elektrycznych i asymetrii występowania nośników, itp. Poznanie potencjalnych powodów zjawiska spadku efektywności pozwoli na dalszy rozwój źródeł światła opartych na elektroluminescencji. Przełoży to się na niższy koszt uzyskania zamienników tradycyjnych źródeł światła i większe ich rozpowszechnienie, co w istotny sposób może ograniczyć wzrost światowego zużycia energii.
Despite the development that occurred in the technology of white Light-Emitting Diodes, this devices are still limited by the phenomenon of the efficiency droop that occurs in light generation for large current densities. Moreover, its physical basis is still not sufficiently recognized. The paper presents possible models describing this effect, based on the hypothetical reasons discussed in the literature: different types of Auger recombination, thermal effects, the presence of strong electric fields and the occurrence of the asymmetry of carriers, etc. Knowing the potential reasons for the droop phenomenon will allow the further development of Solid State Light sources. This leads to lower cost retrofits or replacements of traditional light sources and greater their market penetration, which may significantly reduce global energy consumption increase.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "InGaN" wg kryterium: Temat