Temat: MOVPE - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: MOVPE InP based material for millimeter and submillimeter wave generation and amplification
Autorzy:: Strupiński, W.
Kosiel, K.
Jasik, A.
Jakieła, R.
Jeleński, A.
Kollberg, E.
Dillner, L.
Nawaz, M.
Tematy:: epitaxy InP
MOVPE
microwave generation; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308777.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The potential of the MOVPE growth process for millimeter and submillimeter wave generation and amplification is presented. The increase in layer quality, the improved homogeneity and purity, the precision of mono-layers growth and wide spectrum III-V compounds makes MOVPE techniques very attractive for modern device applications. The characterisation results of the heterostructures dedicated for HBV varactors and 2-DEG transistors (HEMT) are described.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:: Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Tematy:: LP MOVPE
GaN
4H-SiC; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Autorzy:: Wosko, M
Paszkiewicz, B
Paszkiewicz, R
Tlaczala, M
Tematy:: AlGaN/GaN
heterostructure
AlN spacer
MOVPE; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/174100.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: AlGaN/GaN heterostructures attract attention of many research groups over the last decade because of their superior properties (high mobility and saturation velocity of 2DEG) and strong capability in high frequency/power electronics and sensors applications. One of the factors which reduces the mobility of two-dimensional electron gas (2DEG) is the alloy and interface roughness scattering mechanism occurring at the heterointerface. Mathematical calculations of a wave-function of 2DEG in the channel show that theses two phenomena play an important role, due to the fact that some electrons in 2DEG can migrate into AlGaN barrier and be strongly dissipated. One of the proposed solutions against alloy scattering in the buffer layer is the use of thin AlN spacer at the heterointerface between AlGaN and GaN layers. AlN layer enhances the conduction band offset due to a polarization-induced dipole in the AlN layer, and therefore increases carrier confinement. Several Al0.18GaN0.82/AlN/GaN heterostructures with different AlN spacer layer thickness were grown by MOVPE method for studies of the Hall mobility and sheet carrier concentration of 2DEG. Hall measurements performed using Van der Pauw shown mobility maximum at nominally 1.3 nm AlN spacer thickness and almost linear dependence of sheet carrier concentration with AlN spacer thickness in the range from 0.7 to 2 nm.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: MOVPE Technology of Fe-Compensated InP Layers for the Quantum Cascade Laser Applications
Autorzy:: Badura, Mikołaj
Tematy:: MOVPE technology
optoelectronics
quantum cascade lasers
epitaxy; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/226294.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Quantum cascade laser is one of the most sophisticated semiconductor devices. Its technology requires extremely high precision and layers quality. Device performance is limited by thermal extraction form laser core. One of solutions is to apply highly resistivity epitaxial material acting as insulating layer on top of the QCL. Present work describes consequent steps of elaboration of MOVPE technology of Fe-compensated InP layers for further applications in quantum cascade lasers.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: The influence of quantum well and barrier thicknesses on photoluminescence spectra of InGaAs/AlInAs superlattices grown by LP-MOVPE
Autorzy:: Łozińska, Adriana
Badura, Mikołaj
Bielak, Katarzyna
Ściana, Beata
Tłaczała, Marek
Tematy:: photoluminescence
quantum cascade lasers
MOVPE
metalorganic vapour phase epitaxy; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/174236.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In the presented work, the influence of the quantum well and barrier thicknesses on optical characteristics of InGaAs/AlInAs superlattices was reported. Six different structures of In_0.53Ga_0.47As/Al_0.48In_0.52As superlattices lattice-matched to InP were grown by low pressure metal organic vapour phase epitaxy (LP-MOVPE). Optical properties of the obtained structures were examined by means of photoluminescence spectroscopy. This technique allows quick, simple and non-destructive measurements of radiative optical transitions in different semiconductor heterostructures.The analysis of recorded photoluminescence spectra revealed the influence of the quantum well and barrier thicknesses on the emission line energy.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell
Autorzy:: Dawidowski, W.
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Mikolásek, M.
Latkowska, M.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Bielak, K.
Badura, M.
Kováč, J.
Tłaczała, M.
Tematy:: dilute nitrides
AP MOVPE
subcell
tandem solar cell
J-V characteristics; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/226630.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Tandem (two p-n junctions connected by tunnel junction) and multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds and alloys are the most effective photovoltaic devices. Record efficiency of the MJSCs exceeds 44% under concentrated sunlight. Individual subcells connected in series by tunnel junctions are crucial components of these devices. In this paper we present atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (AP-MOVPE) of InGaAsN based subcell for InGaAsN/GaAs tandem solar cell. The parameters of epitaxial structure (optical and electrical), fabrication process of the test solar cell devices and current-voltage (J-V) characteristics are presented and discussed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Growth and properties of ZnO films grown using pa-movpe with DMZn and N2O
Autorzy:: Nakano, T.
Nishimoto, K.
Sumiya, M.
Fuke, S.
Tematy:: ZnO
PA-MOVPE
epitaxial growth
DMZn
N2O
temperature modulation growth; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/385163.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: ZnO films were grown by plasma-assisted metal organic vapor phase epitaxy (PA-MOVPE) using dimethylzinc (DMZn) and N O gases. The crystallinity and surface morphology of ZnO films were investigated using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM), respectively. The crystallinity of ZnO improved (a) when the N2O flow rate was increased, because vapor phase reaction was suppressed while surface migration was enhanced, and (b) when the growth temperature was increased, because surface diffusion was enhanced. In the PA-MOVPE method with N2O gases and DMZn, both the N2O flow rate and crystal growth temperature strongly affected the crystallinity of ZnO films.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications
Autorzy:: Badura, M.
Bielak, K.
Ściana, B.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Dawidowski, W.
Żelazna, K.
Kudrawiec, R.
Tłaczała, M.
Tematy:: InGaAs
AlInAs
superlattice
metalorganic vapour phase epitaxy
MOVPE
quantum cascade laser
QCL; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/173549.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Quantum cascade laser is one of the most sophisticated semiconductor devices. The active region of the quantum cascade laser consists of hundreds thin layers, thus the deposition precision is the most crucial. The main technique for the fabrication of quantum cascade laser structure is molecular beam epitaxy, however, the prevalence of metalorganic vapour phase epitaxy techniques in the fabrication of semiconductor structures causes a perpetual work on the improvement production of the entire quantum cascade laser structure by the metalorganic vapour phase epitaxy. The paper presents technological aspects connected with the metalorganic vapour phase epitaxy growth of InGaAs/AlInAs low-dimensional structures for quantum cascade laser active region emitting ~9.6 μm radiation. Epitaxial growth of superlattice made of InGaAs/AlInAs lattice matched to InP was conducted at the AIXTRON 3x2″ FT system. Optical and structural properties of such heterostructures were characterised by means of high resolution X-ray diffraction, photoluminescence, contactless electroreflectance and scanning electron microscope techniques. Epitaxial growth and possible solutions of structure improvements are discussed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2003 T.31 nr 3/4
Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne
Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne = MOVPE deposition of III-V compounds. The main technological issues
Autorzy:: Dumiszewska Ewa
Wydawca:: ITME
Powiązania:: Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:: 76-91 s. : il. 24 cm.
Bibliogr. s. 90-91
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN
Autorzy:: Caban Piotr
Wydawca:: ITME
Powiązania:: Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:: 5-16 s. : il. 24 cm.
Bibliogr. s. 15-16
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "MOVPE" wg kryterium: Temat