Temat: carrier mobility - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Comparative study of the influence of the reorganization energy on the hole transport of two four-cyclic arenes
Studium porównawcze wpływu energii reorganizacji na przewodnictwo dziur dwu czteropierścieniowych arenów
Autorzy:: Kania, S.
Kuliński, J.
Sikorski, D.
Tematy:: reorganization energy
tetracene
p-quaterphenyl
carrier mobility
energia reorganizacji
tetracen
p-kwaterfenyl
ruchliwość nośników ładunku; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/296624.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Application of the method of quantum-mechanical calculations allowed the determination of the reorganization energy of the molecules of tetracene and p-quaterphenyl and the estimation of the transfer rate integral between neighbouring molecules present in the solid state. Comparison of the transfer rates for holes with the values of the mobility, obtained experimentally for the polycrystalline tetracene layers and p-quaterphenyl layers vaporized in the vacuum in the similar conditions indicate that the molecule’s structure possess the dominate impact on the conductivity of the thin layers of these compounds.
Zastosowanie metody obliczeń kwantowo-mechanicznych pozwoliło na wyznaczenie energii reorganizacji cząsteczek tetracenu i p-kwaterfenylu oraz oszacowanie wartości całki przenoszenia elektronu pomiędzy sąsiadującymi cząsteczkami znajdującymi się w fazie stałej. Porównanie szybkości przenoszenia dziur z wartościami ruchliwości dziur w polikrystalicznych warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu naparowanych w próżni w identyczny sposób wskazuje na dominujący wpływ budowy cząsteczki na przewodnictwo cienkich warstw tych związków.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: The effect of the dipole moment on hole conductivity of polycrystalline films of two anthracene derivatives
Wpływ momentu dipolowego na przewodnictwo dziur w warstwach polikrystalicznych dwu pochodnych antracenu
Autorzy:: Kania, S.
Kościelniak-Mucha, B.
Kuliński, J.
Słoma, P.
Wojciechowski, K.
Tematy:: charge carrier mobility
reorganization energy
transfer integral
anthrone
anthraquinone
TD-DFT
hole drift mobility
carrier transport
dipole moment
polycrystalline films
ruchliwość nośników ładunku
energia reorganizacji
antron
antrachinon
dryftowa ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
moment dipolowy
warstwy polikrystaliczne; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/296414.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Hole mobility in the polycrystalline layers of anthrone and anthraquinone differs in one order of magnitude in spite of nearly the same crystalline structure. The origin of this difference was determined with use of the quantum-mechanical calculations carried out at the density functional theory level using the B3lYP functional in conjunction with the 6-311++G(d,p) basis set. Based on theses calculations, we suppose that these difference can result from the presence of the dipol moment in the anthrone molecules.
Ruchliwości dziur w polikrystalicznych warstwach antronu i antrachinonu różnią się prawie o jeden rząd wielkości, pomimo niemal tej samej struktury krystalicznej. Źródło tej różnicy próbowano określić przy użyciu obliczeń kwantowo-mechanicznych przeprowadzonych na poziomie teorii funkcjonału gęstości (DFT) z wykorzystaniem funkcjonału B3LYP, stosując funkcje bazy 6-311++G(d,p). Na podstawie tych obliczeń przypuszczamy, że ta różnica jest wynikiem obecności momentu dipolowego w cząsteczkach antronu.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Evaluation of MOSFETs with crystalline high-k gate-dielectrics: device simulation and experimental data
Autorzy:: Zaunert, F.
Endres, R.
Stefanov, Y.
Schwalke, U.
Tematy:: crystalline high-k gate dielectric
rare-earth oxide
praseodymium oxide
gadolinium oxide
damascene metal gate
CMP
CMOS process
TSUPREM4
MEDICI
interface state density
carrier mobility
remote coulomb scattering; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308785.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The evaluation of the world's first MOSFETs with epitaxially-grown rare-earth high-k gate dielectrics is the main issue of this work. Electrical device characterization has been performed on MOSFETs with high-k gate oxides as well as their reference counterparts with silicon dioxide gate dielectric. In addition, by means of technology simulation with TSUPREM4, models of these devices are established. Current-voltage characteristics and parameter extraction on the simulated structures is conducted with the device simulator MEDICI. Measured and simulated device characteristics are presented and the impact of interface state and fixed charge densities is discussed. Device parameters of high-k devices fabricated with standard poly-silicon gate and replacement metal gate process are compared.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Elimination of the impact of RC constant on transient photocurrents measured in organic layers
Eliminacja wpływu stałej RC w pomiarach fotoprądów przejściowych warstw organicznych
Autorzy:: Kania, S.
Kuliński, J.
Tematy:: organic electronics
circuit time constant
carrier mobility
drift transport
1,5-dihydroxynaphthalene
TOF measurements
electrical characterization
SCLC
space charge limited currents
elektronika organiczna
stała czasowa obwodu
ruchliwość nośników ładunku
transport dryftowy
1,5-dihydroksynaftalen
pomiary TOF
charakterystyka elektryczna
prądy ograniczone ładunkiem przestrzennym; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/296553.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: We present a calculation method for elimination of the effect of the RC constant of the measuring circuit in the time-of-flight (TOF) measurements where a pulse generation of the photocurrent in a thin layer of low-molecular organic material is exploited. Presented method allows to eliminate the influence of the component of displacement current related to dielectric losses and obtaining the actual conduction current time dependence. The method was tested on the thin layers of 1,5-dihydroxynaphthalene.
Zastosowanie metody eliminacji wpływu stałej RC obwodu pomiarowego do analizy wyników pomiaru fotoprądów przejściowych płynących w cienkiej warstwie niskocząsteczkowego materiału organicznego umożliwia eliminację wpływu składowej prądu przesunięcia związanej ze stratami dielektrycznymi i uzyskanie rzeczywistego przebiegu prądu przewodzenia w funkcji czasu. Pozwala to na wyznaczenie prawidłowej wartości czasu charakterystycznego nawet dla cieńszych warstw, dla których daje się zrealizować pomiar charakterystyki stałoprądowej U-I w zakresie prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym. Otwiera to możliwość pełnej charakteryzacji własności elektrycznych badanego materiału organicznego przy użyciu jednej komórki pomiarowej. Możliwość numerycznego przedstawienia przebiegu przejściowego fotoprądu powinna pozwolić na badanie własności materiału metodą TOF dla uzyskania rozkładu pułapek.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Technical evaluation of APC chassis
Autorzy:: Dziubak, T.
Tematy:: armoured personnel carrier
operational appreciation
mobility property; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Techniczny Wojsk Lotniczych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/246149.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Success during combat on the modern battlefield is determined by numerous conditions. One of those conditions is a quich and unexpected (for the red force) transport of troops. Modern APCs (armoured personnel carrier) have similar terrain capability. Level of APCs adjustment to movement in a hard terrain conditions is the function of numerous indicators of its construction including e.g. correction of, usually specific, conditions for technical solutions of suspension or engine. It is possible to acquire global numericał indicator of APC utility evaluation, basing on e.g. evaluation of the terrain mobility. Such indicator is the objective way to estimate the level of fulfilling the technical specification of subject subgroup for tactical - technical specification by the APC construction. In the article is presented the proposal of methodical utility evaluation for modern APC chassis, which is based on account of proposed numerical indicators. Using the set indicators, we've provided comparison of directed and global evaluation of AMY Patria, towards other modern APCs. In the paper formulas of these indicators are described. The results of evaluation are presented on charts as well ensample types of terrain trials are shown on pictures.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1976 nr 4(16)
Pomiar ruchliwości dryftowej nośników ładunku w fotoczułych dielektrykach = Drift mobility of charge carriers in photosensitive dielectrics measurement
Pomiar ruchliwości dryftowej nośników ładunku w fotoczułych dielektrykach
Autorzy:: Turski Tomasz
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Powiązania:: Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:: Bibliogr. s. 50
s. 46-50 : il. ; 24 cm
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Activation processes for two chosen aromatic hydrocarbon materials
Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu i p-czterofenylu
Autorzy:: Kania, S.
Kuliński, J.
Tematy:: tetracen
ruchliwość elektronów
ruchliwość dziur
transport nośników ładunku
tetracene
electron mobility
hole mobility
carrier transport; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/296486.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest that tetracene is better for utilization as a vapour sensors.
Badano proces aktywacji i proces transportu nośników w warstwach tetracenu i czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne. Wydaje się, że większe możliwości zastosowań w technologii cienkowarstwowej ze względu na dużą głębokość modulacji konduktywności i niewystępowania efektu przebicia ma p-czterofenyl. Tetracen może mieć zastosowanie jako materiał modulujący swoje przewodnictwo w obecności gazów pod warunkiem zastosowania grubszych warstw.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Carrier concentration and in-plane mobility in both non-intentionally and Si-doped InAsSb and InAs/InAsSb type-II superlattice materials for space-based infrared detectors
Autorzy:: Morath, Christian P.
Casias, Lilian K.
Umana-Membreno, Gilberto A.
Webster, Preston T.
Grant, Perry C.
Maestas, Diana
Cowan, Vincent M.
Faraone, Lorenzo
Krishna, Sanjay
Balakrishnan, Ganesh
Tematy:: III-V infrared detectors
Bulk InAsSb
InAsSb/InAs superlattice
mobility
carrier concentration; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2204224.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The sensitivity of III-V-based infrared detectors is critically dependent upon the carrier concentration and mobility of the absorber layer, and thus, accurate knowledge of each is required to design structures for maximum detector performance. Here, measurements of the bulk in-plane resistivity, in-plane mobility, and carrier concentration as a function of temperature are reported for non-intentionally doped and Si-doped mid-wave infrared InAs₀.₉₁Sb₀.₀₉ alloy and InAs/InAs₀.₆₅Sb₀.₃₅ type-II superlattice materials grown on GaSb substrates. Standard temperature- and magnetic-field-dependent resistivity and the Hall measurements on mesa samples in the van der Pauw configuration are performed, and multicarrier fitting and modelling are used to isolate transport of each carrier species. The results show that up to 5 carrier species of the surface, interface and bulk variety contribute to conduction, with bulk electron and hole mobility up to 2·10⁵ cm²/V s and 8·10³ cm²/V s, respectively and background dopant concentration levels were between 10¹⁴ and 10¹⁵ cm¯³. The in-plane mobility temperatures dependence is determined and trends of each carrier species with temperature and dose are analysed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Electron drift mobility in amorphous anthrone layers
Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antronu
Autorzy:: Kania, S.
Tematy:: ruchliwość elektronów
transport nośników ładunku
antron bezpostaciowy
electron mobility
carrier transport
amorphous anthrone; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/296490.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous anthrone layers Enthrone (C14H10O) is the molecular crystal. The anthrone molecules due to theirs asymmetry posses permanent dipole moment, µ = 1.22 10-29 Cm. The anthrone samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with lower substrate temperatures. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results shows the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Either obtained mobility value , less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level do not permit state unambiguously if we are here with hopping transport mechanism, or with the band transport with participation of the trapping states.
Badano proces transportu elektronów w warstwach. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie zarówno transportu hoppingowego, jak i transportu w paśmie z udziałem pułapek.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Metodyka oceny użytkowej podwozia kołowych transporterów opancerzonych
Review of methodology of armoured personnel carrier
Autorzy:: Dziubak, T.
Wysocki, T.
Tematy:: kołowy transporter opancerzony
ocena użytkowa
właściwości ruchowe
armoured personnel carrier
operational appreciation
mobility property; Pokaż więcej
Wydawca:: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/210217.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Powodzenie w działaniach bojowych na współczesnym polu walki zdeterminowane jest wieloma czynnikami. Jednym z nich jest zapewnienie szybkiego i nieoczekiwanego dla przeciwnika transportu wojsk. Współczesne kołowe transportery opancerzone (KTO) posiadają pozornie podobną mobilność terenową. Stopień przystosowania tych pojazdów do poruszania się w trudnym terenie jest funkcją wielu zmiennych ich układu konstrukcyjnego, w tym, m.in. poprawności doboru zwykle specyficznych rozwiązań w układzie jezdnym, zawieszeniu czy napędowym. Możliwe jest pozyskanie globalnego liczbowego wskaźnika oceny użytkowej KTO, uwzględniającego m.in. ocenę jego mobilności terenowej. Taki wskaźnik jest obiektywną miarą stopnia spełniania przez konstrukcję pojazdu przedmiotowej podgrupy wymagań taktyczno-technicznych. W artykule przedstawiono propozycję metodyki przeprowadzania oceny użytkowej podwozia współczesnego KTO, którą oparto na rachunku zaproponowanych wskaźników liczbowych. Wykorzystując sformułowane wskaźniki, dokonano porównawczej ukierunkowanej i globalnej oceny użytkowej AMV Patria 8 × 8, którą odniesiono do innych współczesnych KTO.
Success during combat on modern battlefield is determined by numerous conditions. One of those conditions is a quick and unexpected (for the red force) transport of troops. Modern APCs (armored personnel carriers) have similar terrain capability. Level of APCs adjustment to movement in hard terrain conditions is the function of numerous indicators of its construction including, e.g., correction of, usually specific, conditions for technical solutions of suspension or engine. It is possible to acquire global numerical indicator of APC utility evaluation, basing on, e.g., evaluation of terrain mobility. Such indicator is the objective way to estimate a level of fulfilling the technical specification of subject subgroup for tactical-technical specification by the APC construction. The article presents a proposal of methodical utility evaluation for modern APC chassis, which is based on account of proposed numerical indicators. Using the set indicators, we have provided comparison of directed and global evaluation of AMV Patria, towards other modern APCs.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "carrier mobility" wg kryterium: Temat