Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "crystal growth" wg kryterium: Temat


Tytuł:
Growth and study of nonlinear optical crystals at the Hungarian Academy of Sciences
Autorzy:
Földvári, I.
Polgár, K.
Péter, A.
Beregi, E.
Szaller, Z.
Tematy:
crystal growth
nonlinear optical materials
Pokaż więcej
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308743.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
The former Research Laboratory for Crystal Physics continues the growth and defect structure investigation of nonlinear optical single crystals in a new organization, as a part of the Research Institute for Solid State Physics and Optics, Hungarian Academy of Sciences. The aim of the activity is to prepare specific crystals for basic and applied research as well as for applications. We improve the quality or modify the properties of well known nonlinear oxide and borate crystals and develop new materials. The principle nonlinear optical crystals in our profile are the followings: Paratellurite (TeO2), congruent, Mg-doped and stoichiometric lithium niobate (LiNbO3), a variety of sillenite structured crystals (Bi12MeO20, Me=Si, Ge, Ti, etc.), bismuth tellurite (Bi2TeO5) and nonlinear borates (BBO-beta-BaB2O4, LBO-LiB3O5, LTB-Li2B4O7, CLBO-CsLiB6O10 and YAB-YAI3(BO3)4). Details of the crystal preparation and the major achievements are discussed in the paper.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation on Nucleation Kinetics, Growth and Nonlinear Optical Properties of L-Cystine Hydrochloride Crystal
Autorzy:
Manivannan, D.
Kirubavathi, K.
Selvaraju, K.
Tematy:
crystal growth
nucleation kinetics
optical materials
NLO
Pokaż więcej
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1029827.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
The semiorganic nonlinear optical crystal of amino-carboxyl acid family, L-cystine hydrochloride (LCHCl) was successfully grown from its aqueous solution by the slow evaporation solution growth method. The solubility, metastable zone width and induction period were determined for the first time experimentally and there by the possibility of growing bulk crystals of LCHCl using deionized water as solvent. The induction period was recorded for the different supersaturation ratios (S=1.2, 1.3, 1.4, and 1.5), which reveals that the induction period of LCHCl decreases with increase in supersaturation. The nucleation kinetic parameters such as critical free energy, change of volume free energy, critical radius, number of molecules in the critical nucleus and nucleation rate have been evaluated for LCHCl crystals. The interfacial energy values of LCHCl were determined for different supersaturation ratio by means of varying temperatures. The single crystal X-ray diffraction gives the lattice parameters value of the grown crystals. The second harmonic generation efficiency was confirmed by the Kurtz-Perry powder method. The laser damage threshold energy of the grown crystal indicates that grown crystal has excellent resistance to laser radiation also compared with known other nonlinear optical crystals.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The influence of nanoporous anodic titanium oxide substrates on the growth of the crystalline hydroxyapatite coatings
Autorzy:
Jany, Benedykt
Zarzycki, Arkadiusz
Marszałek, Marta
Hajdyła, Mariusz
Maximenko, Alexey
Krok, Franciszek
Suchanek, Katarzyna
Opis:
In this study we investigate the effect of the nanoporous anodic titanium oxide substrate on the morphology and uniformity of hydrothermally precipitated hydroxyapatite coatings. Nanotubular TiO2 substrates were synthesized on a titanium plate by anodic oxidation and subsequently annealed at 500 °C or 600 °C to create the crystalline anatase and/or rutile forms of TiO2. The substrates were further used for HAp growth under hydrothermal conditions. The samples were then characterized with the XRD, Raman and SEM techniques. The results show that hydrothermal synthesis leads to formation of needle-like coating layer of HAp particles. The diameter and length of HAp crystals decrease with increasing annealing temperature of TiO2 nanotubular arrays. Furthermore, we demonstrate that nanostructured surface of titanium oxide has beneficial influence on the HAp nucleation and coverage.
Dostawca treści:
Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
Artykuł
Tytuł:
An efficient Monte Carlo Potts method for the grain growth simulation of single-phase systems
Autorzy:
Maazi, Noureddine
Lezzar, Balahouane
Tematy:
alloys
crystal growth
Monte Carlo simulation
microstructure
Pokaż więcej
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/29520251.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
The choice of the lattice sites to be reoriented in the Monte Carlo Potts algorithm for grain growth simulation is repeated in a non-homogeneous way. Therefore, some grains are favorably growing than others. This fact may seriously affect the simulation results. So a modified MC method is presented. Lattice sites are selected for reorientation one by one following their positions in the matrix in each Monte Carlo step (mcs). This approach ensures that the various selections of one lattice site within every mcs are eliminated, and no favorable growth of grains at the expense of others. The calculation time considerably decreases. The effect of real-time and physical temperature on the grain growth kinetics is discussed.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji < 100 > oraz < 111 >
Difficulties in 4 gallium phosphide (GaP) single crystals growing in < 100 > or < 111 > direction
Autorzy:
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Hruban, A.
Strzelecka, S.
Tematy:
GaP
monokrystalizacja
metoda LEC
crystal growth
LEG method
Pokaż więcej
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192234.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
Opracowano warunki otrzymywania monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Skonstruowano układy termiczne dla urządzenia MarkIV, w których można otrzymywać metodą Czochralskiego z herme-tyzacją cieczową (LEC - Liąuid Encapsulated Czochralski) duże monokryształy GaP. Zbadano termiczne warunki wzrostu kryształów. Doświadczalnie określono wpływ niektórych elementów układu termicznego na kształt pola temperatur w obszarze wzrostu kryształów. Otrzymano monokryształy GaP o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Zbadano ich własności elektryczne i strukturalne.
Technological parameters for growing 4"(GaP) single crystals in < 100 > and < 111 > direction were investigated. Thermal systems were constructed for MarklV puller, which allow growing GaP single crystals with big diameter by Liquid Encapsulated Czochralski method. The influence of some of the thermal system elements on the temperature field near the growing crystal was experimentally assessed. GaP crystals of 4" in diameter were obtained in < 100 > and < 111 > direction. Electrical and structural parameters were assessed.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A comparative study on the performance of radiation detectors from the HgI2 crystals grown by different techniques
Autorzy:
Martins, J. F. T.
Costa, F. E.
dos Santos, R. A.
de Mesquita, C. H.
Hamada, M. M.
Tematy:
crystal growth
iodide mercury crystal
physical vapor transport (PVT)
radiation detector
semiconductor crystal
Pokaż więcej
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146916.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
In this work, the establishment of a technology for HgI2 purification and crystal growth is described, aiming at a future application of this crystal as a room temperature radiation semiconductor detector. Two methods of crystal growth were studied in the development of this work: (1) physical vapor transport (PVT) and (2) saturated solution from dimethylsulphoxide (DMSO) complexes. In order to evaluate the crystals obtained using each of these methods, systematic measurements were carried out for determining the stoichiometry, structure, orientation, surface morphology and impurity of the crystal. The influence of these physicochemical properties of the crystals developed was evaluated in terms of their performance as a radiation detector. The best response to radiation was found for the crystals grown by the PVT technique. Significant improvement in the performance of HgI2 radiation detector was found, purifying the crystal by means of two successive growths by the PVT technique.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Second phase morphology in the Zn-Ti0.1-Cu0.1 single crystals obtained at different growth rates
Morfologia drugiej fazy w monokryształach Zn-Ti0.1-Cu0.1 otrzymywanych przy różnych szybkościach wzrostu
Autorzy:
Boczkal, G.
Tematy:
monokryształy
cynk
faza międzymetaliczna
crystal structure
crystal morphology
single crystal growth
zinc compounds
Pokaż więcej
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355011.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
The influence of growth rate on a morphology, distribution and crystallographic relationship of the intermetallic phase Zn16Ti in Zn-Ti0.1-Cu0.1 single crystals were investigated. The crystals obtained at rates in range of from 1.8mm/h to 16mm/h were tested. In all cases a strong elongation of the Zn16Ti particles along the [11-20] direction is observed. Moreover, it is found that a lamellar phase existing in the crystals develop in range of the growth rate from 6 to 10 mm/h and grows in the f10-11gplanes. In the case of the growth rate of 16mm/h oval-shaped areas of α phase (solid solution of zinc and 0.1wt.% of copper with trace content of titanium) elongated along [10-10] direction and surrounded by needle shaped precipitations are formed in the structure.
W pracy badano wpływ szybkości wzrostu monokryształów Zn-Ti0.1-Cu0.1 na morfologię, rozkład i zależności krystalograficzne fazy międzymetalicznej Zn16Ti. Do testów użyto kryształów wyhodowanych z prędkościami z zakresu od 1.8mm/h do 16mm/h. We wszystkich przypadkach zaobserwowano istnienie cząstek tylko jednej fazy Zn,sub>16Ti, wydłużonych na kierunku [11-20]. Ponadto stwierdzono, że przy szybkości wzrostu z zakresu 6 do 10mm/h, obserwowana faza międzymetaliczna ma postać płytkowa, preferująca płaszczyzny wzrostu f10-11g. W przypadku szybkości wzrostu 16mm/h zaobserwowano tworzenie się fazy iglastej, która otacza obszary czystej osnowy (roztwór stały cynku z dodatkiem 0.1% miedzi oraz niewielką zawartością tytanu) tworzące owale wydłużone na kierunku [10-10].
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
Growth of gallium antimonide single crystals in <111> and <100> directions by Czochralski method
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Bańkowska, A.
Hruban, A.
Tematy:
GaSb
monokrystalizacja
domieszkowanie
własności elektryczne
crystal growth
doping electrical properties
Pokaż więcej
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192038.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
Do otrzymywania monokryształów antymonku galu o orientacji <111> oraz <100> zastosowana została zintegrowana z syntezą in-situ zmodyfikowana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu wzrostu na własności elektryczne niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Uzyskano niedomieszkowane monokryształy GaSb typu p o koncentracji dziur w zakresie 1 ÷ 2 x 10^17 cm -³ i ruchliwości 600 ÷ 700 cm²/Vs (w 300 K). Przeprowadzono również próby domieszkowania na typ n oraz typ p. Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
The aim of this work was to find out technological conditions for growing undoped gallium antimonide (GaSb) single crystals in <111> and <100> direction. Integrated process of in-situ synthesis and modified Czochralski crystal growth has been applied. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on electrical properties of GaSb crystals was investigated. Undoped gallium antimonide single crystals were obtained with carrier concentration in the range 1 ÷ 2xl0^17 cm -³ and carrier mobility 600 ÷ 700 cm²Vs. First attempts of doping GaSb were made. The influence of doping (the way of doping and dopant quantity) on crystal parameters was also investigated.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies