Temat: current-voltage - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Current-voltage characteristic and electroluminescence of UV LEDs 365 nm at liquid nitrogen temperature
Autorzy:: Veleschuk, Vitaly
Vlasenko, Alexander
Vlasenko, Zoya
Petrenko, Ihor
Malyi, Yevhen
Borshch, Vladimir
Borshch, Olena
Shefer, Alexander
Tematy:: S-shaped current-voltage characteristic
UV LED; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/174330.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: For InGaN/AlGaN/GaN ultraviolet (λ = 365 nm) light emitting diodes, the S-shaped current-voltage characteristic was observed at liquid nitrogen temperature due to the transition from single injection (electrons) to double (electrons and holes) injection. Initially only electron injection into the active region takes place and as the current is increased, the injection of holes starts. It has been found that at the voltage of the minimum of the negative differential resistance region, oscillations of the current, accompanied by increasing electroluminescence intensity arise, and the repetition rate of the oscillations increases with the direct current rise. The intensity of the main ultraviolet and yellow electroluminescence bands sharply increases with increasing current at negative differential resistance region due to the rise of holes injection.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Dynamic Charge Carrier Transport Behaviors in Zirconium Oxide for Nuclear Cladding Materials
Autorzy:: Park, Il-Kyu
Lee, Sang-Seok
Mok, Yong Kyoon
Jeon, Chan-Woo
Kim, Hyun-Gil
Tematy:: zirconium
nuclear cladding
Zr oxide
capacitance-voltage
current-voltage; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/351043.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Dynamic charge carrier transport behavior in the zirconium (Zr) oxide was investigated based on the frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) and temperature-dependent current-voltage (I-V) measurements. The Zr oxide was formed on the ZIRLO and newly developed zirconium-based alloy (NDZ) by corrosion in the PWR-simulated loop at 360°C. The corrosion test for 90 days showed that the NDZ exhibits better corrosion resistance than ZIRLO alloy. Based on the C-V measurement, dielectric constant values for the Zr oxide was estimated to be 11.28 and 11.52 for the ZIRLO and NDZ. The capacitance difference between low and high frequency was larger in the ZIRLO than in the NDZ, which was attributed to more mobile electrical charge carriers in the oxide layer on the ZIRLO alloy. The current through the oxide layers on the ZIRLO increased more drastically with increasing temperature than on the NDZ, which indicating that more charge trap sites exist in the ZIRLO than in NDZ. Based on the dynamiccharge carrier transport behavior, it was concluded that the electrical charge carrier transport within the oxide layers was closely related with the corrosion behavior of the Zr alloys.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Influence of element’s parameters on the output characteristics of the voltage multiplier when powered from the inverter in resonance conditions
Autorzy:: Mućko, Jan
Tematy:: high direct current voltage generator
DC
direct current
output characteristics
resonant inverter
voltage multiplier; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/59111794.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The article presents the influence of the parameters of the high voltage direct current (HVDC) generator with a multiplier, such as: leakage inductance of the high voltage (HV) transformer, capacitance, and the number of multiplier stages on the value of the output voltage, voltage ripple, power and frequency of the supply voltage as a function of the output current. The presented characteristics were obtained under the synchronization conditions of the inverter output voltage and current that powers the multiplier. The presented results will be useful when designing HVDC generators with Cockcroft-Walton multipliers.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: A Survey Addressing on High Performance On-Chip VLSI Interconnect
Autorzy:: Mohamed Yousuff, C.
Mohamed Yousuf Hasan, V.
Khan Galib, M. R.
Tematy:: current-mode signaling
hybrid current/voltage mode circuits
on-chip interconnects delay and power
voltage mode signaling; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/226784.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: With the rapid increase in transmission speeds of communication systems, the demand for very high-speed lowpower VLSI circuits is on the rise. Although the performance of CMOS technologies improves notably with scaling, conventional CMOS circuits cannot simultaneously satisfy the speed and power requirements of these applications. In this paper we survey the state of the art of on-chip interconnect techniques for improving performance, power and delay optimization and also comparative analysis of various techniques for high speed design have been discussed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308057.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: This study describes a novel technique to form good quality low temperature oxide (< 350 C degree). Low temperature oxide was formed by N2O + SiH4:N2 plasma in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) system on the silicon surface reactively etched in CF4 plasma (RIE - reactive ion etching). The fabricated oxide demonstrated excellent (for low temperature dielectric formation process) currentvoltage (I-V) characteristics, such as: low leakage current, high breakdown voltage and good reliability. Experimental results indicate that the proposed method of fluorine incorporation into the SiO2/Si inteface improves electrical parameters of MOS structures.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: The power electronics controlled current source utilized in the reference current generator
Autorzy:: Gwóźdź, M.
Tematy:: power electronics
current controlled voltage source
current generator; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/377579.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The paper considers wide-band voltage controlled power electronics current source. The current source has been designed as a part of 1-channel reference current generator designed for current meters testing. The control module of the generator utilizes specialized Analog Devices Inc. DSPs based microcomputer module for power electronics applications. Used solutions have allowed obtain high quality referencing of the output current within reference signal. The paper presents the structure and selected aspects of the control algorithm of the current source. Also selected investigations results of laboratory prototype of generator with utilization of controlled current source are presented.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Wpływ modyfikacji warystorów do ograniczników przepięć typu SPD na rozkład konduktywności i na charakterystyki przewodzenia
Influence of modification of varistors for the SPD type arresters on the conductivity distribution and conductance characteristics
Autorzy:: Bandel, J.
Mielcarek, W.
Sibilski, H.
Tematy:: ograniczniki przepięć
warystory
konduktywność
charakterystyka prądowo napięciowa
arresters
varistors
conductivity
current-voltage characteristics; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/159339.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Zapotrzebowanie na warystory do ograniczników przepięć jest bardzo duże, zarówno do ograniczników typu SPD jak i stosowanych na wyższe napięcia znamionowe. Głównym celem jest opracowanie nowej generacji nanostruktur, która zapewni jednorodny rozkład konduktywności na całej płaszczyźnie warystora. To umożliwi zmniejszenie wymiarów warystorów, przy równoczesnej poprawie jakości użytego materiału. Równocześnie możliwe będzie modelowanie charakterystyk prądowo-napięciowych przy większej gęstości prądu przewodzenia.
The required demand of varistors for the arresters, not only for the SPD type, but also for these used at high voltage systems, is very high. The idea of this paper was to develop a new generation of nanostructures of the material which assure a uniform distribution of the conductivity. These enable to reduce the size of the voltage limiting elements and therefore quantity of material used. Also it will be possible to modulate current voltage characteristic with simultaneous great density of current.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Application of a microcontroller in simulation of the photovoltaic generators
Zastosowanie mikrokontrolera do symulacji generatorow fotowoltaicznych
Autorzy:: Kapica, J.
Tematy:: solar energy
photovoltaic generator
simulation
MOSFET technology
microcontroller
mathematical model
current-voltage curve; Pokaż więcej
Wydawca:: Komisja Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/792476.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308059.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: This study describes the effects of high temperature annealing performed on structures fluorinated during initial silicon dioxide reactive ion etching (RIE) process in CF4 plasma prior to the plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of the final oxide. The obtained results show that fluorine incorporated at the PECVD oxide/Si interface during RIE is very stable even at high temperatures. Application of fluorination and high temperature annealing during oxide layer fabrication significantly improved the properties of the interface (Ditmb decreased), as well as those of the bulk of the oxide layer (Qeff decreased). The integrity of the oxide (higher Vbd ) and its uniformity (Vbd distribution) are also improved.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: A study on the effect of harmonie components of the current supplying an induction motor with reactive power compensation with the use of capacitors on the power loss and voltage variations
Autorzy:: Nawrowski, R.
Stein, Z.
Zieliński, M.
Tematy:: induction motor
current and voltage harmonics
power loss compensation; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/97224.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The paper presents an analysis of the effect of voltage harmonics on the power loss in an LV line supplying an induction motor with reactive power compensation, with the use of capacitors, and analysis of the values of output voltage of an MV/LV transformer depending on the load type and value.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "current-voltage" wg kryterium: Temat