Temat: dark current - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: The determination of the carriers recombination parameters based on the HOT HgCdTe current-voltage characteristics
Autorzy:: Manyk, Tetiana
Rutkowski, Jarosław
Madejczyk, Paweł
Gawron, Waldemar
Martyniuk, Piotr
Tematy:: HgCdTe
MWIR detectors
dark current
I-V characteristics
recombination; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2074201.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: A theoretical analysis of the mid-wavelength infrared range detectors based on the HgCdTe materials for high operating temperatures is presented. Numerical calculations were compared with the experimental data for HgCdTe heterostructures grown by the MOCVD on the GaAs substrates. Theoretical modelling was performed by the commercial platform SimuAPSYS (Crosslight). SimuAPSYS fully supports numerical simulations and helps understand the mechanisms occurring in the detector structures. Theoretical estimates were compared with the dark current density experimental data at the selected characteristic temperatures: 230 K and 300 K. The proper agreement between theoretical and experimental data was reached by changing Auger-1 and Auger-7 recombination rates and Shockley-Read-Hall carrier lifetime. The level of the match was confirmed by a theoretical evaluation of the current responsivity and zero-bias dynamic resistance area product (R0A) of the tested detectors.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: A review of dark current nonlinearities in CCD image sensors
Przegląd nieliniowości prądu ciemnego w matrycach CCD
Autorzy:: Popowicz, A.
Tematy:: charge coupled devices
imaging
dark current
matryce CCD
obrazowanie
prąd ciemny; Pokaż więcej
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/157862.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Charge coupled devices are the image sensors extensively used in scientific imaging. One of the problems of low light imaging is the collection of additional thermal charge during the exposure. In the paper the results and conclusions of 4-year research on dark current abnormalities are presented. Their sources and possible explanation for the observed phenomena are investigated. The dark current unique behavior should be taken into account especially while imaging in extremely low light level conditions.
Matryce CCD są czujnikami wykorzystywanymi do rejestracji obrazów. Ze względu na pełne wykorzystanie powierzchni światłoczułej są one wykorzystywane, gdy ilość padającego światła jest bardzo niska. Do takich zastosowań należy m.in. obrazowanie w astronomii, gdzie czasy naświetlania pojedynczego zdjęcia sięgają wielu minut. Jednym z problemów przy tego typu zastosowaniach jest obecność prądu ciemnego, który wnosi do obrazu składową addytywną zależną od temperatury czujnika. W celu wyeliminowania tych zjawisk temperaturę matrycy CCD stabilizuje się wykorzystując m.in. ogniwa Peltiera oraz wykonuje się tzw. klatki ciemne (zdjęcia bez dostępu światła), aby następnie odjąć je od otrzymanego obrazu. Taka technika korekcji zakłada, że procesy termiczne przebiegają w sposób stały oraz, że są one niezależne od oświetlania matrycy. W artykule przedstawiono trzy typy nieliniowości prądu ciemnego, dla których powyższe założenia nie są spełnione. Pierwszy typ powiązano ze specyficznym położeniem defektu generującego ładunek termiczny, natomiast drugi typ skojarzono z obecnością defektów strukturalnych - dyslokacji. Trzecim rodzajem opisywanych zjawisk są losowe skoki tempa generacji termicznej. Wiedza o problemach prądu ciemnego jest kluczowa w przypadku dokonywania korekcji naukowych zdjęć źródeł emitujących niewielką ilość światła. Uwzględnienie odmiennych zachowań generacji termicznej pozwala na poprawę jakości skorygowanych obrazów.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Design and performance of dual-band MWIR/LWIR focal plane arrays based on a type-II superlattice nBn structure
Autorzy:: Lee, Hyun-Jin
Eom, Jun Ho
Jung, Hyun Chul
Kang, Ko-Ku
Ryu, Seong Min
Jang, Ahreum
Kim, Jong Gi
Kim, Young Ho
Jung, Han
Kim, Sun Ho
Choi, Jong Hwa
Tematy:: InAs/GaSb type-II superlattice
dualband detector
dark current
spectral quantum efficiency
noise equivalent temperature difference; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2204217.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Dual-band infrared detector, which acquires more image information than single-band detectors, has excellent detection, recognition, and identification capabilities. The dual-band detector can have two bumps to connect with each absorber layer, but it is difficult to implement small pitch focal plane arrays and its fabrication process is complicated. Therefore, the most effective way for a dual-band detector is to acquire each band by biasselectable with one bump. To aim this, a dual-band MWIR/LWIR detector based on an InAs/GaSb type-II superlattice nBn structure was designed and its performance was evaluated in this work. Since two absorber layers were separated by the barrier layer, each band can be detected by bias-selectable with one bump. The fabricated dual-band device exhibited the dark current and spectral response characteristics of MWIR and LWIR bands under negative and positive bias, respectively. Spectral crosstalk that is a major issue in dualband detectors was also improved. Finally, a 20 µm pitch 640 x 512 dual-band detector was fabricated, and both MWIR and LWIR images exhibited an average noise equivalent temperature difference of 30 mK or less at 80 K.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Long wavelength type-II superlattice barrier infrared detector for CubeSat hyperspectral thermal imager
Autorzy:: Rafol, Sir B.
Gunapala, Sarath D.
Ting, David Z.
Soibel, Alexander
Khoshakhlagh, Arezou
Keo, Sam A.
Pepper, Brian J.
Hill, Cory J.
Maruyama, Yuki
Fisher, Anita M.
Sood, Ashok
Zeller, John
Wright, Robert
Lucey, Paul
Nunes, Miguel
Flynn, Luke
Babu, Sachidananda
Ghuman, Parminder
Tematy:: type-II superlattice
focal plane array
infrared detector
quantum efficiency
noise equivalent difference temperature
dark current density
anti-reflective coating; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2204204.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The hyperspectral thermal imaging instrument for technology demonstration funded by NASA’s Earth Science Technology Office under the In-Space Validation of Earth Science Technologies program requires focal plane array with reasonably good performance at a low cost. The instrument is designed to fit in a 6U CubeSat platform for a low-Earth orbit. It will collect data on hydrological parameters and Earth surface temperature for agricultural remote sensing. The long wavelength infrared type-II strain layer superlattices barrier infrared detector focal plane array is chosen for this mission. With the driving requirement dictated by the power consumption of the cryocooler and signal-noise-ratio, cut-off wavelengths and dark current are utilized to model instrument operating temperature. Many focal plane arrays are fabricated and characterised, and the best performing focal plane array that fulfils the requirements is selected. The spectral band, dark current and 8-9.4 μm pass band quantum efficiency of the candidate focal plane array are: 8-10.7 μm, 2.1∙10ˉ⁵ A/cm², and 47%, respectively. The corresponding noise equivalent difference temperature and operability are 30 mK and 99.7%, respectively. Anti-reflective coating is deposited on the focal plane array surface to enhance the quantum efficiency and to reduce the interference pattern due to an absorption layer parallel surfaces cladding material.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Impact of the saturation current IS and ideality factor N on the performance of the characteristic (I-V) of a solar cell
Wpływ prądu nasycenia IS i współczynnika doskonałości złącza n na charakterystykę (I-V) ogniwa słonecznego
Autorzy:: Khalis, M.
Masrour, R.
Mir, Y.
Zazoui, M.
Tematy:: dark
illumination current–voltage
Si
GaAs
CIGS
current saturation
ideality factor
defect
neural network method
aktualne nasycenie
współczynnik idealności
wada
metoda sieci neuronowej; Pokaż więcej
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/29520331.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The performance of a solar cell mainly is due to the quality of the starting material. During the production of the solar cell, several defects in different regions of the material appear. These defects degrade the efficiency of the solar cell. Thorough knowledge of the physical properties of defects requires highly sophisticated electrical current-voltage (I-V) characterization techniques that provide information on the physical origin of the defects. The characteristic (I-V) of the cell is governed by several parameters, such as the saturation current Is and the ideality factor n which are the indicators of the quality of the solar cell. These parameters significantly reflect the existence of defects in the material. On the other hand, the use of such a characteristic to go back to the nature of the defects is not widespread because it lacks a data base between the main defects and the modification of the characteristic (I-V). To extract the different parameters, we developed a method based on artificial neurons in Matlab code, then we applied this method to the following cells: GaAs, Si-mono and polycrystalline and CIGS thin-film cells by applying the model with two diodes. The results obtained demonstrate that the behavior of the ideality factor and the saturation current vary from one cell to another. This variance is important for polycrystalline Si and CIGS cells. Thus, this model is the most suitable for the diagnosis of the characteristics (IV) for Si and GaAs, but remains incoherent (Mismatches) to describe the characteristic of the CIGS cell because of the non-uniform presence of shunt defects which allowed us to add another component of the leakage current. Finally, this method correlates with the experimental characteristic (I-V).
Zachowanie się ogniw słonecznych zależy w dużej mierze od jakości materiału. W procesie wytwarzania baterii może pojawić się szereg wad w różnych jej częściach. Te wady obniżają wydajność ogniwa. Dokładna analiza właściwości fizycznych wad wymaga dokładnego określenia charakterystyki prądowonapięciowej (I-V), która dostarczyłaby informacji o przyczynie tych wad. Charakterystyka prądowo-napięciowa (I-V) baterii zależy od szeregu parametrów takich jak prąd nasycenia Is, i współczynnik doskonałości złącza n, które są wskaźnikami jakości baterii. Te parametry dobrze odzwierciedlają istnienie wad w materiale. Z drugiej strony, ze względu na brak danych dotyczących korelacji między głównymi wadami i zmianami charakterystyk (IV), wykorzystanie tych charakterystyk do określenia natury powstałych wad nie jest rozpowszechnione. Aby rozróżnić wpływ różnych parametrów opracowano metodę wykorzystującą sztuczną sieć neuronową i oprograowanie MatLab. Tę metodę zastosowano do następujących ogniw słonechnych: GaAs, Si-mono and polikrystaliczny oraz cienkie warstwy CIGS popraz zaqstosowanie modelu z dwoma diodami. Uzyskane wyniki wykazały, że zachowanie się współczynnika doskonałości złącza i prądu nasycenia zmienia się dla różnych ogniw. Te różnice są ważne zarówno dla ogniw Si jak i CIGS. Stąd opracowany model jest najbardziej przydatny do diagnozowania charakterystyk (I-V) dla ogniw Si i GaAs, ale jest niespójny przy opisie ogniw CIGS, ponieważ występują w nich w sposób nierównomierny wady powodujące zwarcie elektrod. To pozwoliło Autorom dodać prąd upływu, jako dodatkowy parameter modelu. W artykule potwierdzono zgodność opracowanej metody z doświadczalnymi charakterystykami (I-V).
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "dark current" wg kryterium: Temat