Temat: electroluminescence

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Electroluminescent properties of some 1H-pyrazolo[3,4-b]quinoline derivatives
Właściwości elektroluminescencyjne niektórych układów heterocyklicznych z grupy 1H-pirazolo[3,4-b]chinolin
Autorzy:: Sanetra, Jerzy
Gondek, Ewa
Mac, Marek
Otowski, Wojciech
Danel, Andrzej
Pokladko, Monika
Opis:: In this paper the synthesis of some new chromophores which could be used in organic LED fabrication are presented. All of them are pyrazoloquinoline derivatives. They were characterized by absorption and photoemission spectroscopy. Some were used, dispersed in poly(N-vinylcarbazole) (PVK) matrix, as the emissive layer in LED structure.
W artykule przedstawiono wyniki badań elektrooptycznych wybranych luminoforów z grupy układów azaheterocyklicznych. Zbudowano jednowarstwowe diody ITO/MOL+PVK/Ca/Al, w których warstwę aktywną stanowiła mieszanina luminofory z tej grupy oraz polimeru matrycowego PVK. Zebrano i omówiono właściwości fotofizyczne molekuł.
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature
Autorzy:: Veleschuk, V
Vlasenko, A
Kisselyuk, M
Vlasenko, Z
Khmil, D
Borshch, V
Tematy:: electroluminescence at reverse bias
InGaN/GaN heterostructures
defect; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/174776.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The electroluminescence spectra at reverse biases in LED InGaN/GaN heterostructures at liquid nitrogen temperatures were studied. At the reverse bias and T = 77 K, avalanche microplasmas breakdowns were observed. Electroluminescence spectra demonstrate two peaks caused by the recombination of carriers in different parts of the structure (quantum well and p-GaN layer). The temperature narrowing the half-width and the shift of electroluminescence spectra peaks inherent to microplasmas were observed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Model of ageing process of electroluminescent structures
Model procesu starzenia struktur elektrouminescencyjnych
Autorzy:: Porada, Z.
Cież, M.
Prochwicz, W.
Tematy:: proces starzenia
model matematyczny
electroluminescence
ageing process
mathematical model; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192098.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In the presented paper the authors propose a new mathematical model of aging process proceeded in thick film electroluminescent structures. The impact of humidity, temperature and supply voltage parameters (amplitude, frequency) on luminance changes during long time exploitation tests was taken into consideration. It was observed that the electroluminophore in Destriau electroluminescent cells exhibit very fast decrease in luminance in the initial phase of exploitation. The results of investigations indicate that the increase of amplitude and frequency of supply voltage accelerate the aging process. The rate of the aging process is also significantly influenced by the ambient temperature and elevated humidity combined with a supply voltage. The proposed model enables to estimate the life-time of electroluminescent structures on a base of exploitation tests in their initial stage.
Autorzy proponują w artykule nowy matematyczny model procesu starzenia zachodzącego w grubowarstwowych strukturach elektroluminescencyjnych. Uwzględniono wpływ wilgoci, temperatury i parametrów napięcia zasilającego (amplituda, częstotliwość) na zmiany luminancji podczas prób eksploatacyjnych. Zaobserwowano, że w początkowej fazie eksploatacji elektroluminofor w strukturach Destriau - warstwowych strukturach elektroluminescencyjnych, bardzo szybko zmniejsza luminancję. Wyniki badań wskazują, że wzrost wielkości amplitudy napięcia zasilającego i częstotliwości przyspiesza proces starzenia. Szybkość procesu starzenia struktur elektroluminescencyjnych w istotny sposób zależy od temperatury otoczenia i podwyższonej wilgotności w powiązaniu z napięciem zasilania. Zaproponowany model umożliwia oszacowanie czasu życia struktur elektroluminescencyjnych w oparciu o wyniki badań eksploatacyjnych, już w początkowej ich fazie.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Imaging methods of detecting defects in photovoltaic solar cells and modules: a survey
Autorzy:: Maziuk, Maurycy
Jasińska, Laura
Domaradzki, Jarosław
Chodasewicz, Paweł
Tematy:: solar cells
defects
photovoltaic cell characterization
defect imaging
electroluminescence
photoluminescence; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/27311747.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In pursuit of increased efficiency and longer operating times of photovoltaic systems, one may encounter numerous difficulties in the form of defects that occur in both individual solar cells and whole modules. The causes of the occurrence range from structural defects to damage during assembly or, finally, wear and tear of the material due to operation. This article provides an overview of modern imaging methods used to detect various types of defects found in photovoltaic cells and panels. The first part reviews typical defects. The second part of the paper reviews imaging methods with examples of the authors’ own test results. The article concludes with recommendations and tables that provide a kind of comprehensive guide to the methods described, depending on the type of defects detected, the range of applicability, etc. The authors also shared their speculations on current trends and the possible path for further development and research in the field of solar cell defect analysis using imaging.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Some spirobiindane based 1H-pyrazolo [3,4-b] quinoline chromophore as novel chromophore for light-emitting diodes
Autorzy:: Gondek, Ewa
Danel, Andrzej
Kityk, Iwan V.
Lakshminarayana, Gandham
Armatys, Paweł
Szlachcic, Paweł
Karelus, Marcin
Chwast, Jacob
Nizioł, J.
Uchacz, Tomasz
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Technology of thick-film electroluminescent animated advertising
Autorzy:: Cież, M.
Witek, M.
Korpak, M.
Prochowicz, W.
Zaraska, K.
Tematy:: elektroluminescencja
technika grubowarstwowa elektroluminescencji
kolor półprzezroczysty
electroluminescence
thick-film electroluminescent
translucent color; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/378425.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Because of the undeniable advantages of powder electroluminescent light sources the authors have designed and tested an animated thick film electroluminescent advertising panel. The paper describes the design steps and phases of the technological process. Finally, the brightness characteristics and influence of color translucent inks covering the segments are presented. The expected life time of the electroluminescent structure under normal exploitation conditions is evaluated.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne
Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties
Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Autorzy:: Strupiński Włodzimierz
Współwytwórcy:: Brzozowski Waldemar
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Powiązania:: Materiały Elektroniczne
Opis:: s. 23-30 : il.
Bibliogr. s. 30
s. 23-30 : il. ; 24 cm.
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Optimization of technology of diode laser mirror processing to maximize the threshold of catastrophic optical degradation
Autorzy:: Dąbrowska, Elżbieta
Teodorczyk, Marian
Szymański, Michał
Maląg, Andrzej
Tematy:: laser diode
catastrophic optical damage
COD
laser mirror
semiconductor surface passivation
optical coating
electroluminescence; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1835816.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In this paper, optimization works on the technology of passivation and optical coatings of laser diode facets are described. The main goal is to increase the optical power at which the catastrophic optical mirror damage occurs. The coatings and passivation processes have been done in an ion source-aided electron-beam evaporator. The essence of passivation was to remove native oxides and produce a native thin nitride layer with simultaneous saturation of the dangling atomic bonds. The procedure has been realized with the help of nitrogen or forming gas (N2 + H2) beam. As a result, we present sets of technological parameters allowing to increase the catastrophic optical mirror damage threshold of diode lasers.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy
Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation
Autorzy:: Dąbrowska, E.
Teodorczyk, M.
Krzyżak, K.
Romaniec, M.
Sobczak, G.
Maląg, A.
Tematy:: dioda laserowa
test starzeniowy
degradacja diod
elektroluminescencja
laser diode
degradation of laser diode
life test
electroluminescence; Pokaż więcej
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192166.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.
The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation
Zmiana parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Konrad Krzyżak, Magdalena Romaniec, Grzegorz Sobczak, Andrzej Maląg.
Materiały Elektroniczne. T.42 Nr 3
Autorzy:: Dąbrowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Teodorczyk Marian
Romaniec Magdalena
Sobczak Grzegorz
Krzyżak Konrad
Maląg Andrzej
Wydawca:: ITME
Powiązania:: Electronic Materials
s.: 10
Materiały Elektroniczne
p.: 10
Opis:: s.: 5-10 il., 30 cm.
Bibliogr. s.: 10
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "electroluminescence" wg kryterium: Temat