Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "electronic diode" wg kryterium: Temat


Tytuł:
Practical realization of ideal diode full-wave rectifiers
Praktyczna realizacja idealnego prostownika dwupołówkowego
Autorzy:
Chytil, J.
Tematy:
dioda idealna
dioda półprzewodnikowa
prostownik pełnofalowy
MOSFET
ideal diode
electronic diode
full-wave rectifier
Pokaż więcej
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/407676.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
This paper discuses practical realization of full-wave rectifiers made of electronic diodes for high current bipolar electronic loads. The presented solution minimizes the voltage drop and nonlinearity of loads in the region of low voltages. Compared to standard or Schottky diodes, electronic (also referred to as ideal) diodes exhibit very low voltage drop and power dissipation. In the full-wave rectifier, MOSFETs with very low RDSon (low units of milliohms) are used. Ideal rectifiers have been traditionally used as structural elements in switched power supplies; they are often applied in low dissipation power switches and started to be utilized as full-wave rectifiers.
Artykuł omawia praktyczną realizację prostownika dwupołówkowego wykonanego z użyciem diod prostowniczych dla obciążeń wysokoprądowych. Zaproponowane rozwiązanie minimalizuje spadek napięcia i nieliniowość obciążenia w zakresie małych napięć. W porównaniu do standardowej diody Schottkiego, diody „elektroniczne” (nazywane również idealnymi) wykazują bardzo mały spadek napięcia i straty mocy. W prostowniku dwupołówkowym użyto tranzystory MOSFET o bardzo niskiej RDSon (rzędu miliomów). Idealne prostowniki są tradycyjnie używane jako elementy konstrukcyjne w zasilaczach impulsowych; są one często stosowane w niskostratnych przełącznikach mocy i zaczynają być stosowane jako prostowniki dwupołówkowe.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 2002 T.30 nr 3
Thermal residual stress state in laser diode/heatsink joint systems depending on the properties of the heatsink material. FEM analysis
Autorzy:
Kaliński Dariusz
Wydawca:
ITME
Powiązania:
Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:
Bibliogr. s. 27
15-27 s. : il. 24 cm.
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających
Materiały Elektroniczne 1992 nr 2(78)
Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających = Silicon epitaxial layers for microwave tunung diodes
Autorzy:
Skwarcz Jerzy
Współwytwórcy:
Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Wydawca:
Wydaw. Przemysłowe WEMA
Powiązania:
Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:
s. 16-22 : il.
Bibliogr. s. 22
s. 16-22 : il. ; 24 cm.
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Kryształy Yb:Sr3Y(BO3)3 do budowy pompowanych diodowo laserów femtosekundowych
Materiały Elektroniczne 2004 T.32 nr 1/4
Kryształy Yb:Sr3Y(BO3)3 do budowy pompowanych diodowo laserów femtosekundowych = Yb:Sr3Y(BO3)3 single crystals for diode pumped femtosecond lasers
Autorzy:
Szyrski Włodzimierz
Wydawca:
ITME
Powiązania:
Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:
Bibliogr. s. 62-63
49-63 s. : il. 24 cm.
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Dynamika procesów cieplnych zachodzących w obszarze aktywnym liniowych matryc diod laserowych
Dynamika procesów cieplnych zachodzących w obszarze aktywnym liniowych matryc diod laserowych = Thermal processes dynamics in active regions of laser diodes in linear arrays
Materiały Elektroniczne 2000 T.28 nr 4
Autorzy:
Wróbel Sylwia
Współwytwórcy:
Maląg Andrzej
Kozłowska Anna
Wydawca:
ITME
Powiązania:
Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:
25-31 s. : il.
25-31 s. : il. 24 cm.
Bibliogr. s. 31
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych = Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements
Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych
Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 3
Autorzy:
Dąbrowska Elżbieta
Współwytwórcy:
Maląg Andrzej
Teodorczyk Marian
Sobczak Grzegorz
Wydawca:
ITME
Powiązania:
Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:
Bibliogr. s. 9
3-9 s. : il. 30 cm.
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn = Investigation of solder - induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 4
Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Grzegorz Sobczak, Andrzej Maląg.
Autorzy:
Dąbrowska Elżbieta
Współwytwórcy:
Maląg Andrzej
Teodorczyk Marian
Sobczak Grzegorz
Wydawca:
ITME
Powiązania:
Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:
Bibliogr. s. 29-30
13-31 s. : il. 30 cm.
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 1
Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm
Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm = The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band
Autorzy:
Dąbrowska Elżbieta
Współwytwórcy:
Teodorczyk Marian
Nakielska Magdalena
Romaniec Magdalena
Sobczak Grzegorz
Maląg Andrzej
Wydawca:
ITME
Powiązania:
Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:
3-13 s. : il. 30 cm.
Bibliogr. s. 13
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Analiza właściwości dwuwiązkowego interferometru siatkowego z laserem półprzewodnikowym. Rozprawa doktorska
Analiza właściwości dwuwiązkowego interferometru siatkowego z laserem półprzewodnikowym. = Analysis of the properties of double - beam grating interferometer with semiconductor laser
Autorzy:
Kozłowska Anna
Współwytwórcy:
Kujawińska, Małgorzata. Promotor.
Wydawca:
Polit.Warsz.
Powiązania:
PhD Dissertations
Prace doktorskie
Opis:
133 s. : il. ; 30 cm.
Bibliogr. s.127-133
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy
Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy = High power laser diodes - design optimisation issues
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 1
Autorzy:
Maląg Andrzej
Wydawca:
ITME
Powiązania:
Materiały Elektroniczne
Electronic Materials
Opis:
Bibliogr. s. 45-46
21-46 s. : il. 24 cm.
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies