Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Pedagogiczna Biblioteka Wojewódzka im. Komisji Edukacji Narodowej w Lublinie Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaPedagogiczna Biblioteka Wojewódzka im. Komisji Edukacji Narodowej w Lublinie
Zmień bibliotekę

Wyszukujesz frazę "heterostructures" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 20
Tytuł:
Low frequency noise in Si and Si/SiGe/Si PMOSFETs
Autorzy:
Thomas, S. M.
Prest, M. J.
Fulgoni, D. J. F.
Bacon, A. R.
Grasby, T. J.
Leadley, D. R.
Parker, E. H. C.
Whall, T. E.
Tematy:
electronic noise
silicon-germanium heterostructures
MOSFET
dynamic threshold mode
Pokaż więcej
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308779.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
Measurements of 1/f noise in Si and Si0.64Ge0.36 PMOSFETs have been compared with theoretical models of carrier tunnelling into the oxide. Reduced noise is observed in the heterostructure device as compared to the Si control. We suggest that this is primarily associated with an energy dependent density of oxide trap states and a displacement of the Fermi level at the SiO2 interface in the heterostructure relative to Si. The present study also emphasizes the important role of transconductance enhancement in the dynamic threshold mode in lowering the input referred voltage noise.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Chemical analysis of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures
Autorzy:
Macherzynski, W
Indykiewicz, K
Paszkiewicz, B
Tematy:
ohmic contact
AlGaN/GaN heterostructures
surface morphology
Pokaż więcej
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174572.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures, which have low contact resistance and a good surface morphology, are required for the development of high temperature, high power and high frequency electronic devices. The paper presents the investigation of a Ti/Al based Ti/Al/Ni/Au ohmic contact to AlGaN/GaN heterostructures. Multilayer metallization of Ti/Al/Ni/Au was evaporated by an electron gun (titanium and nickel layers) and a resistance heater (aluminum and gold layers). The contacts were annealed by rapid thermal annealing (RTA) system in a nitrogen ambient atmosphere over the temperature range from 715 to 865 °C. The time of the annealing process was 60 seconds. The chemical analysis, formation and deterioration mechanisms of Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures were studied as a function of the annealing process conditions by a scanning electron microscope (SEM) equipped with an energy dispersive spectrometer (EDS).
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature
Autorzy:
Veleschuk, V
Vlasenko, A
Kisselyuk, M
Vlasenko, Z
Khmil, D
Borshch, V
Tematy:
electroluminescence at reverse bias
InGaN/GaN heterostructures
defect
Pokaż więcej
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/174776.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
The electroluminescence spectra at reverse biases in LED InGaN/GaN heterostructures at liquid nitrogen temperatures were studied. At the reverse bias and T = 77 K, avalanche microplasmas breakdowns were observed. Electroluminescence spectra demonstrate two peaks caused by the recombination of carriers in different parts of the structure (quantum well and p-GaN layer). The temperature narrowing the half-width and the shift of electroluminescence spectra peaks inherent to microplasmas were observed.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Evolution and recent advances in RF/microwave transistors
Autorzy:
Liou, J.J.
Schwierz, F.
Tematy:
microwave devices
RF devices
heterostructures
HEMT
HBT
frequency limits
RF CMOS
Pokaż więcej
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308200.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
Most applications for radio frequency/microwave (thereafter called RF) transistors had been military oriented in the early 1980s. Recently, this has been changed drastically due to the explosive growth of the markets for civil wireless communication systems. This paper gives an overview on the evolution, current status, and future trend of transistors used in RF electronic systems. Important background, development and major milestones leading to modern RF transistors are presented. The concept of heterostructure, a feature frequently used in RF transistors, is discussed. The different transistor types and their figures of merit are then addressed. Finally an outlook of expected future developments and applications of RF transistors is given.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Density functional theory study of Au-fcc/Ge and Au-hcp/Ge interfaces
Autorzy:
Jany, Benedykt
Oleś, Andrzej
Sikora, Olga
Sternik, Małgorzata
Krok, Franciszek
Piekarz, Przemysław
Opis:
In recent years, nanostructures with hexagonal polytypes of gold have been synthesised, opening new possibilities in nanoscience and nanotechnology. As bulk gold crystallizes in the fcc phase, surface effects can play an important role in stabilizing hexagonal gold nanostructures. Here, we investigate several heterostructures with Ge substrates, including the fcc and hcp phases of gold that have been observed experimentally. We determine and discuss their interfacial energies and optimized atomic arrangements, comparing the theory results with available experimental data. Our DFT calculations for the Au-fcc(011)/Ge(001) junction show how the presence of defects in the interface layer can help to stabilize the atomic pattern, consistent with microscopic images. Although the Au-hcp/Ge interface is characterized by a similar interface energy, it reveals large atomic displacements due to significant mismatch. Finally, analyzing the electronic properties, we demonstrate that Au/Ge systems have metallic character, but covalent-like bonding states between interfacial Ge and Au atoms are also present.
Dostawca treści:
Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 20

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies