- Tytuł:
- The 100 W class A power amplifier for L-band T/R module
- Autorzy:
-
Wojtasiak, W.
Gryglewski, D.
Sędek, E. - Tematy:
-
modelling
MESFETs
finite difference time domain method
power transistors
microwave transistors - Pokaż więcej
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/308787.pdf Link otwiera się w nowym oknie
- Opis:
- In the paper a balanced high power amplifier with class A silicon bipolar transistors for L-band T/R module is described. The amplifier was designed for maximum power and minimum transmitance distortions. The obtained parameters of the amplifier are as follow: output power at 1 dB compression P(1dB)>49 dBm, linear gain IS21I>10 dB, and transmitance deviations during the RF pulse: phase delta arg(S2)<0.9° and deltaP(out)<0.2 dB.
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł