Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "oscillator strength" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
A comparative picture of structural and electrochemical properties of fluorinated liquid crystals - a theoretical study
Autorzy:
Prasad, S.
Ojha, D.
Tematy:
HOMO
LUMO
phase stability
oscillator strength
Pokaż więcej
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1055084.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
A comparative picture of structural and electrochemical properties of fluorinated liquid crystals viz. p-phenylene-4-methoxybenzoate-4-trifluoromethylbenzoate (FLUORO1), and 4-propyloxyphenyl-4-(4-trifluoromethyl benzoyloxy) benzoate (FLUORO2) have been studied. The structure of liquid crystals have been optimized by the density functional B3LYP with 6-31 + G(d) basis set using crystallographic geometry as input. Molecular charge distribution, and phase stability of these molecules have been analyzed based on the Mulliken, and Loewdin population analysis. The electronic absorption spectra of molecules have been simulated by employing the density functional theory method. The effects of substituted groups on electrochemical properties such as highly occupied molecular orbital, lowly unoccupied molecular orbital energies, and energy gap (E_{g}) have been investigated. It has been observed that substitution of additional alkyl groups leads to prominent decrement in electrochemical properties.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oscillator strength of optical transitions in InGaAsN/GaAsN/GaAs quantum wells
Autorzy:
Mika, A
Sek, G
Ryczko, K
Kozub, M
Musial, A
Marynski, A
Misiewicz, J
Langer, F
Höfling, S
Appel, T
Kamp, M
Forchel, A
Tematy:
dilute nitride
quantum well
oscillator strength
Pokaż więcej
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173586.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
Experimental and theoretical considerations and results on the effect of nitrogen incorporation on the oscillator strength of optical transitions in InGaNAs/GaAs quantum wells (QWs) are presented. Therefore, a set of dilute nitride quantum well structures was grown by molecular beam epitaxy. Optical investigation via spectroscopic methods have been performed at various temperatures for both the as-grown samples, and after rapid thermal annealing. The fundamental transition energy and its oscillator strength vs. the QW composition have been systematically investigated. Additionally, the effect of the bandgap discontinuities on the transitions intensity has also been considered. The experimental data have been confronted with the band structure calculations within the effective mass approximation employing a two level repulsion model for the nitrogen-containing structures. The obtained results are crucial for possible future applications employing the quantum well in cavity structures and bringing the practical exploitation of quantum electrodynamics phenomena to the telecommunication spectral range.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies