Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "point defect" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
"Order-order" kinetics in triple-defect B2-ordered binary intermetallics : kinetic Monte Carlo simulation
Autorzy:
Pierron-Bohnes, V.
Abdank-Kozubski, Rafał
Biborski, Andrzej
Wydawca:
Trans Tech Publications
Opis:
Triple-defect formation in B2-ordered binary A-B intermetallic compounds results fromthe asymmetry between the formation energies of A- and B-antisite defects. Chemical disorderingin such systems is strictly correlated with vacancy formation, which is the reason for usually veryhigh vacancy concentration. Consequently, Kinetic Monte Carlo (KMC) simulation of processes occurringin the triple-defect systems and controlled by atomic migration via vacancy mechanism mustinvolve complete vacancy thermodynamics – i.e. the simulated system must contain the equilibriumtemperature-dependent number of vacancies. The fully consistent approach based on two differentMonte Carlo techniques has been applied in the present study. The AB intermetallic was modelled withan Ising-type Hamiltonian and KMC simulated for "order-order" kinetics with temperature-dependentequilibrium number of vacancies previously determined by means of Semi Grand Canonical MonteCarlo (SGCMC) simulations. The procedure required in addition the determination of saddle -pointenergies assigned to particular atomic jumps to nn vacancies. Their values were estimated in relationto the nn pair-interaction energies with reference to Molecular Statics simulations performed for NiAlsystem with EAM energetics. The results elucidated the role of triple-defect formation as the atomisticscaleorigin of the experimentally observed surprisingly low rate of the "order-order" kinetics in bulkNiAl.
Dostawca treści:
Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
Artykuł
Tytuł:
The Zahorski theorem is valid in Gevrey classes
Autorzy:
Schmets, Jean
Valdivia, Manuel
Tematy:
Gevrey classes
defect point
divergence point
Pokaż więcej
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Matematyczny PAN
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1205469.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
Let {Ω,F,G} be a partition of $ℝ^n$ such that Ω is open, F is $F_σ$ and of the first category, and G is $G_δ$. We prove that, for every γ ∈ ]1,∞[, there is an element of the Gevrey class Γγ which is analytic on Ω, has F as its set of defect points and has G as its set of divergence points.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Semigrand Canonical and Kinetic Monte Carlo simulations of binary B2-ordered nano-films with triple defects
Autorzy:
Evteev, A. V.
Murch, G. E.
Abdank-Kozubski, Rafał
Sowa, Piotr
Belova, I. V.
Levchenko, E. V.
Biborski, A.
Opis:
Equilibrium atomic configurations and the kinetics of "order–order" and surface segregation processes in B2-ordering stoichiometric A-50 at.%B binary thin films are investigated by means of Semigrand Canonical Monte Carlo (SGCMC) and Kinetic Monte Carlo (KMC) simulations. The (100)-oriented films are modeled with an Ising-type Hamiltonian with previously evaluated pair-interaction energy parameters yielding the effect of "triple-defect disordering". The SGCMC simulations provide equilibrium vacancy concentration and atomic configuration in the films with B-atom termination of both free surfaces achieved at high temperatures by the generation of an antiphase boundary. Despite strong vacancy surface segregation, the thermodynamic activation energy for their formation inside the films is the same as in the bulk material. KMC simulations implemented with the SGCMC-determined equilibrium vacancy concentration reveal very slow relaxation of the films towards equilibrium configuration. The B-termination of the (100) free surfaces is produced by A-atom diffusion inwards into the films mediated by vacancies segregating on surfaces.
Dostawca treści:
Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
Artykuł
Tytuł:
Interaction of point defects in piezoelectric materials - numerical simulation in the context of electric fatigue
Oddziaływanie defektów punktowych w materiałach piezoelektrycznych - symulacje numeryczne w kontekście zmęczenia elektrycznego
Autorzy:
Goy, O.
Mueller, R.
Gross, D.
Tematy:
materiały piezoelektryczne
defekty punktowe
zmęczenie elektryczne
materiały funkcjonalne
functional materials
piezoelectricity
electric fatigue
point defect
Pokaż więcej
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Mechaniki Teoretycznej i Stosowanej
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/280692.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
Opis:
The paper is concerned with the problem of electric fatigue in functional materials such as piezoelectric sensors and actuators. The fatigue degrades electromechanical properties with an increasing number of working cycles during which ionic and electronic charge carriers interact with each other within the bulk and on the interfaces of a material. This, in turn, influences local electric and mechanical fields coupled via the piezoelectric effect. It is assumed in the paper that the electric charges (vacancies) can be modelled as point defects, which tend to agglomerate and finally form clusters, especially in the vicinity of electrodes. As a result, the piled up defects affect the distribution of polarisation. To solve the problem quan\-ti\-tatively, the analysed system is discretised with a grid of square cells and then transformed by FFT. Several numerical examples are formulated. Migration of a single defect, attraction of two and clustering of more point defects are thoroughly discussed and illustrated in the paper.
Praca dotyczy zagadnienia zmęczenia elektrycznego materiałów funkcjonalnych, takich jak piezoelektryki używane do wyrobu czujników i elementów wykonawczych. Zmęczenie elektryczne powoduje degradację właściwości elektromechanicznych z rosnącą liczbą przebytych cykli roboczych, w czasie których jonowe ładunki elektryczne lub elektrony oddziaływują ze sobą wewnątrz i na skraju danego materiału. To z kolei wpływa na lokalne pola elektryczne i mechaniczne sprzężone ze sobą efektem piezoelektrycznym. Założono w pracy, że ładunki elektryczne (dziury) będą zamodelowane defektami punktowymi, które mają skłonność do gromadzenia się i tworzenia skupisk, zwłaszcza w pobliżu elektrod. W rezultacie, nagromadzone defekty zmieniają rozkład polaryzacji układu. Do ilościowego rozwiązania zagadnienia zastosowano dyskretyzację badanego układusiecią kwadratowych komórek i następnie przeprowadzono szybką transformatę Fouriera. Obliczenia wykonano na kilku przykładach. Szczegółowo przedyskutowano problem migracji pojedynczego oraz wzajemnego przyciągania dwóch defektów, by wreszcie zilustrować proces tworzenia skupisk przez całe gromady defektów punktowych.
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies