Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Pedagogiczna Biblioteka Wojewódzka im. Komisji Edukacji Narodowej w Lublinie Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaPedagogiczna Biblioteka Wojewódzka im. Komisji Edukacji Narodowej w Lublinie
Zmień bibliotekę

Wyszukujesz frazę "spintronika" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Resonant tunnelling diode with magnetised electrodes
    Rezonansowa dioda tunelowa z elektrodami magnetycznymi
    Autorzy:
    Szczepański, Tomasz
    Kudła, Sylwia
    Tematy:
    resonant tunnelling
    diode
    magnetic tunnelling diode
    spintronics
    rezonansowa dioda tunelowa
    magnetyczna dioda tunelowa
    spintronika
    Pokaż więcej
    Wydawca:
    Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/129532.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
    Opis:
    We analyse some basic properties of charge and spin transport in a semiconductor structure with an insulating barrier. In this system two semiconducting layers are separated by the insulator, creating a structure which is called a tunnel junction. The particles may pass through this junction according to the quantum tunnelling effect. By using two tunnel junctions with energy barriers made of insulating material, one can construct a quantum potential well . Inside the well the energy levels are quantised, which means that only discrete or quasi-discrete values of energy are allowed. Moreover, the probability of charge tunnelling through the system, which contains the potential well, depends on whether the energy of the incoming particles is in coincidence with the so-called resonant energy level. Such systems form the base of structures called resonant tunnelling diodes.
    Przedstawiono podstawowe własności transportu ładunku i spinu poprzez wielowarstwowe struktury półprzewodnikowe, zawierające warstwy izolatorów. Układ półprzewodników przedzielonych warstwą izolatora stanowi rodzaj złącza tunelowego, poprzez które cząstki przedostają się wykorzystując zjawisko tunelowania kwantowego. Za pomocą dwóch złącz tunelowych zawierających bariery energetyczne w postaci materiału izolatora, konstruujemy kwantową studnię potencjału. W jej obszarze poziomy energetyczne ulegają skwantowaniu, przyjmując wyłącznie wartości dyskretne lub quasi-dyskretne. Ponadto prawdopodobieństwo tunelowania ładunków przez układ zawierający studnię potencjału zależy od tego czy energia padających cząstek znajduje się w koincydencji z dozwolonym w jamie tzw. rezonansowym poziomem energetycznym. Tego typu systemy stanowią podstawę funkcjonowania tzw. rezonansowych diod tunelowych. Przeanalizowano zależności od różnych parametrów układu, takich jak energia poziomu rezonansowego, szerokość barier potencjału, oraz wpływ pola magnetycznego na elektryczne oraz spinowe własności transportowanych cząstek. Badania te mają kluczowe znaczenie w projektowaniu urządzeń na potrzeby spintroniki. Wykorzystują one polaryzację spinową prądu, akumulację spinu w studniach potencjału, manipulowanie spinem w układach elektronicznych przy wykorzystaniu pola magnetycznego oraz indukowanie magnetyzacji w obszarze studni kwantowej zawierającej rozszczepione spinowo poziomy rezonansowe.
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wielostanowa komórka pamięci magnetycznej - analiza czasowa szybkości zapisu oraz gęstości upakowania komórek
    Autorzy:
    Stebliński, P.
    Błachowicz, T.
    Tematy:
    spintronika
    logika magnetyczna
    pamięci BPM
    symulacje mikromagnetyczne
    spintronics
    magnetic logic
    BPM memory
    micromagnetic simulations
    Pokaż więcej
    Wydawca:
    Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/118440.pdf  Link otwiera się w nowym oknie
    Opis:
    Przebadano model wielostanowej komórki pamięci magnetycznej. Przeprowadzono analizę ilości stanów stabilnych, wyznaczono natężenie sygnału przełączającego (pole Zeemana) pomiędzy stanami w zależności od czasu przełączania oraz wyznaczono gęstość zapisu. 3-bitowa (o 8 niezależnych stanach stabilnych) komórka pamięci magnetycznej posiadała około 100 razy większą gęstość zapisu niż aktualnie spotykane pamięci SSD o najwyższej gęstości. Badane czasy przełączania były od 1000 do 100 tys. razy mniejsze niż we współczesnych półprzewodnikowych odpowiednikach. Ważną zaletą wyznaczonego nieukierunkowanego pola przełączającego była jego jednorodność w przestrzeni oraz jedynie zmiana w czasie.
    The model of multi-level magnetic cell memory was examined. The analysis of stable states, a switching signal (Zeeman field) intensity and direction in dependence of switching time along with writing density were performed. The 3-bit (8 independent stable states) magnetic cell memory achieved potential writing density of about 100-times higher then actual SSD memories having actually highest writing density. The examined switching times were from 1000 to 100000 times shorter then up to date semiconductor solutions. Importantly, the advantage of discovered switching field intensity was homogeneous in space and changed in time.
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Przełączanie prądowe magnetyzacji metodą spinowego efektu Halla
    Current-induced magnetization switching using spin Hall effect
    Autorzy:
    Grochot, Krzysztof
    Opis:
    Spin-orbit torque (SOT)-induced magnetization switching provides an alternative for non-volatile memory and logic devices. SOT-switching of perpendicular magnetization is usually observed in an external magnetic field collinear with the current, which however, is impractical in RAM technology. Here, I investigate the SOT generated by heavy metal (W), which induces switching of perpendicularly magnetized Co layer in exchange-biased (EB) multilayer structure: W(4.3)/Co(0.5 – 1.5)/NiO(10) (thickness in nm). W and Co layers were deposited by magnetron sputtering in argon atmosphere, whereas the NiO layer was prepared in a separate chamber in oxygen atmosphere using pulsed laser deposition. The in-plane EB at the interface of ferromagnetic Co and antiferromagnetic NiO induces the effective in-plane magnetic field of +10.5 kA/m and leads to deterministic SOT-driven field-free switching. In 10 × 100 μm^2 Hall bars with 0.75 nm thick Co the lowest critical current density of 1 · 10^11 A/m^2 was measured that is three times smaller than in Pt(3)/CoFe(0.9)/IrMn(3)/Pt(1) structure. In addition, in order to determine the spin Hall angle, we measured harmonic Hall voltage and investigated the Spin Hall Magnetoresistance as a function of Co thickness.
    Przełączanie prądowe magnetyzacji przy użyciu spinowo-orbitalnego momentu siły (ang. spin-orbit torque, SOT) jest alternatywą dla nieulotnych pamięci RAM oraz urządzeń logicznych. Przełączanie magnetyzacji wykorzystujące SOT, najłatwiej zaobserwować w zewnętrznym polu magnetycznym kolinearnym z przepływającym przez urządzenie lub komórkę pamięci prądem elektrycznym. Przykładanie zewnętrznego pola magnetycznego jest niepraktyczne z punktu widzenia zastosowania w pamięciach RAM. W niniejszej pracy badane jest zjawisko SOT generowane przez metal ciężki (W) indukujące przełączanie warstwy ferromagnetyka (Co), w której występuje jednozwrotowa anizotropia magnetyczna w płaszczyźnie (ang. exchange bias in plane). Przedmiot badań stanowi cienkowarstwowy układ W(4.3)/Co(0.5 – 1.5)/NiO(10) (grubości w nm). Warstwy W i Co naniesione zostały w atmosferze argonu techniką magnetronowego rozpylania katodowego, natomiast warstwę NiO nanoszono w oddzielnej komorze przy użyciu impulsowej depozycji laserowej w atmosferze tlenu. Magnetyczna anizotropia jednozwrotowa w płaszczyźnie występująca na interfejsie pomiędzy warstwami ferromagnetyka Co i antyferromagnetyka NiO indukuje efektywne pole magnetyczne w płaszczyźnie o wartości + 10.5 kA/m, które pozwala na przełączanie prądowe magnetyzacji za pomocą SOT w zerowym zewnętrznym polu magnetycznym. Badane nanourządzenia (paski Halla) o wymiarach 10 × 100 μm^2 z warstwą Co o grubościach w zakresie od 0.69 nm do 1.25 nm wykonano metodami litografii elektronowej i trawienia jonowego. Najmniejsza krytyczna gęstość prądu potrzebna do przełączania warstwy Co o grubości 0.75 nm wynosi 1 · 10^11 A/m^2. Wartość ta jest trzykrotnie mniejsza od gęstości prądu przełączania dla układu Pt(3)/CoFe(0.9)/IrMn(3)/Pt(1). Dodatkowo w celu wyznaczenia spinowego kąta Halla, wykonano pomiary metodą harmonicznych oraz spinowej magnetorezystancji w funkcji grubości warstwy Co.
    Dostawca treści:
    Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego
    Inne
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies