Temat: sputtering - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wytwarzanie ultra cienkich warstw z wykorzystaniem line 440 sputtering system
Ultra thin layer preparation with using the line 440 sputtering system
Autorzy:: Lubańska, Z.
Grudniewski, T.
Chodyka, M.
Tematy:: elektronika
sputtering magnetronowy
plazma
electronic
magnetron sputtering
plasma; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/250357.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: W artykule omówiono jedną z możliwych technik nanoszenia cienkich warstw na podłoża szklane jaką jest sputtering magnetronowy. Metoda polega na nanoszeniu na przygotowane podłoża, materiałów w wyniku rozpylania plazmowego. LINE 440 jest aparaturą najnowszej generacji wykorzystywaną do celów naukowo-badawczych w Centrum Badań nad Innowacjami przy Państwowej Szkole Wyższej w Białej Podlaskiej.
The article describes one of the possible techniques for thin films preparation on glass substrates. The method involves applying to the surface of sample externally controlled media, which is sprayed in a magnetic field and then deposited onto a substrate. Line 440 is the latest generation apparatus used for the purposes of research at the Center for Innovation Research at the State School in Biala Podlaska.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Fotoaktywne powłoki dwutlenku tytanu osadzane reaktywną metodą gas impulse magnetron sputtering (GIMS)
Photoactive titanium dioxide thin films deposited by reactive gas impulse magnetron sputtering (GIMS)
Autorzy:: Jakubowska, M.
Tematy:: TiO2
magnetron sputtering
Gas Impulse Magnetron Sputtering; Pokaż więcej
Wydawca:: ADVSEO
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/134853.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Titanium dioxide (TiO2) is one of the most extensively studied metal oxides, also in a form of thin films. It is a polymorphous material known to exist in three crystalline forms, two tetragonal (anatase and rutile) and one orthorhombic (brookite). In the present paper, the way of deposition of thin films of rutile with the help of reactive magnetron sputtering in pure oxygen introduced to the vacuum chamber in the form of short gas pulses is presented. Compared to typical reactive magnetron sputtering, this novel deposition technique, known as gas impulse magnetron sputtering (GIMS), has an advantage of a minimal target poisoning and stechiometric TiO2. Properties of the films deposited on medical grade Ti6Al7Nb alloy were investigated with the use of SEM, EDS, GI-XRD and FTIR. Their photoactivity was determined by the measurements of water and diiodomethane wetting angles after UV light illumination of different duration, varying between 5 and 25 minutes. In addition, the bactericidal activity of the illuminated TiO2 films in contact with E. Coli bacteria was tested using a live-dead test. It has been found that 200-400nm thick stechiometric films of reactive GIMS deposited rutile and anatase are characterised by very fine nanostructure and strong photoactivity.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Analiza wpływu trawienia powierzchni w procesie sputteringu magnetronowego
Etching effect analysis in the process of magnetron sputtering
Autorzy:: Grudniewski, T.
Chodyka, M.
Lubańska, Z.
Tematy:: trawienie powierzchni
sputtering magnetronowy
surface etching
sputtering magnetron; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/250398.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: W prezentowanym artykule, autorzy starają się zwrócić uwagę na proces wstępnego przygotowania próbek do nanoszenia warstw metodą sputteringu magnetronowego. Wykorzystywaną metodą w urządzeniu, na którym przeprowadzono badania proces ten polega na bombardowaniu powierzchni próbki plazmą i wytrawianiu jej górnych warstw. Autorzy postanowili zatem zbadać jaki wpływ ma trawienie na próbkę oraz czy wybite z próbki atomy materiału mogą być osadzone na innym podłożu. Dodatkowo przeanalizowano jedną z możliwości modyfikacji kształtu plazmy poprzez wprowadzenie, do komory roboczej, bardzo silnych magnesów.
In this paper, the authors pay attention to the pre-treatment process for creating layers by magnetron sputtering. The method used by the device on which the study was conducted involves bombarding the sample surface plasma and etching the upper layers. The authors therefore decided to investigate what impact the digestion of the sample has and whether the sample atoms knocked out of the material can be embedded on other substrates. In addition, one possible modification of the plasma shape was analyzed by introducing very strong magnets into the working chamber.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Structure and Electrical Resistivity Dependence of Molybdenum Thin Films Deposited by DC Modulated Pulsed Magnetron Sputtering
Autorzy:: Wicher, B.
Chodun, R.
Nowakowska-Langier, K.
Okrasa, S.
Król, K.
Minikayev, R.
Strzelecki, G.
Zdunek, K.
Tematy:: magnetron sputtering
modulated pulse magnetron sputtering
plasma&films characterization; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/350987.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: This work reports the results of a study of Mo thin films synthesis by DC Pulsed Magnetron Sputtering method (PMS), operating at pulse main frequency of 100 kHz and modulated by the additional modulation frequency, driving in the range of 5-1000 Hz (modulated Pulse Magnetron Sputtering – mPMS). We have studied the influence of mPMS on plasma chemical reactions and mechanisms of layer growth using optical emission spectroscopy technique. Our experiment showed strong influence of mPMS method, on the morphology (scanning electron microscopy), phase composition (X-ray diffractometry) and electric properties (4-point probes method) of nanocrystalline and amorphous Mo films. From the utilitarian point of view, low value of resistivity – 43,2 μΩcm of synthesized Mo films predestines them as back contacts for thin solar cells CIGS. Our results revealed that additional modulation frequency should be considered as an important factor for optimization of films synthesis by means of PMS-based methods.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: How material properties affect depth profiles : insight from computer modeling
Autorzy:: Paruch, Robert J.
Postawa, Zbigniew
Garrison, Barbara J.
Opis:: A previously developed steady-state statistical sputtering model (SS-SSM) is useful for interpretation of molecular dynamics (MD) simulations of repetitive bombardment. This method is applicable to computer modeling of depth profiling. In this paper, we demonstrate how the formalism provided by SS-SSM is used to identify the factors that determine the depth resolution of δ-layer depth profiling. The analysis is based on MD simulations of repetitive keV C60 bombardment of coinage metal samples. The results show that the primary dependence of the depth profiling quality is on the sample binding energy, with bigger binding energies giving better depth resolution. The effects of sample atom mass and surface opacity are also discussed.
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Effect of Sample Thickness on Carbon Ejection from Ultrathin Graphite Bombarded by keV C_{60}
Autorzy:: Golunski, M.
Postawa, Z.
Tematy:: Computer simulations
sputtering
graphene; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1030136.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Molecular dynamics computer simulations are employed to investigate the effect of a sample thickness on the ejection process from ultrathin graphite. The thickness of graphite varies from 2 to 16 graphene layers and the system is bombarded by 10 keV C₆₀ projectiles at normal incidence. The ejection yield and the kinetic energy of emitted atoms are monitored. The implications of the results to a novel analytical approach in secondary ion mass spectrometry based on the ultrathin free-standing graphene substrates and transmission geometry are discussed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Combined molecular dynamics and analytical model for repetitive cluster bombardment of solids
Autorzy:: Postawa, Zbigniew
Garrison, Barbara J.
Paruch, Robert
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Sterowanie procesem reaktywnego rozpylania magnetronowego
Process control of reactive magnetron sputtering
Autorzy:: Stec, A.
Tematy:: reaktywne rozpylanie
magnetron
reactive sputtering; Pokaż więcej
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/156298.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: W pracy przedstawiono wybrane zagadnienia związane ze sterowaniem procesem rektywnego rozpylania magnetronowego. Omówiono najczęściej stosowane metody sterowania. Przedstawiono zależność opisującą charakterystykę prądowo-napięciową oraz sposób modelowania dynamiki procesu związanego z reaktywnym rozpylaniem. Zaproponowano układ regulacji do pracy w trybie przejściowym.
Some aspects of reactive sputtering process control are presented. Most popular control methods are described. current-voltage relation and modelling dynamics of reactive sputtering are presented. Block diagram of a feedback system is proposed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Study of physical processes associated with argon cluster projectile hitting Ag(111) surface
Badanie procesów fizycznych towarzyszących uderzeniu argonowego pocisku klasterowego w powierzchnię Ag(111)
Autorzy:: Pałka, Grzegorz
Opis:: The study compared the effectiveness achieved by projectiles made of a different number of argon atoms in the removal of atoms from the surface of silver crystal, by hitting this surface. They are based on an analysis of the sputtering yields calculated using molecular dynamics computer modeling. To interpret the obtained results images made using positions of atoms in the various steps of the simulation of sputtering process calculated by the program were also used. The program, whose output has been compiled, modeled only the elastic energy transfer processes. The range of values of the primary kinetic energy of the projectiles in these simulations is much larger than considered so far, and includes values greater than previously considered in scientific papers. The aim of this study is to answer the question, whether patterns of efficiency of the observed erosion of the material bombarded with low-energy projectiles remain true for much higher energies.The observed relationship between the sputtering yield and the primary kinetic energy of the cluster projectile Ar872 is not linear over a wide range of energy, which has not been previously investigated. This may indicate the influence of unknown effects on the sputtering process for high energy, which result in increased efficiency of forced atomic emission from the crystal surface of silver.For the projectile of primary kinetic energy of 1000 keV the best performance is achieved by Ar101 cluster. Most likely, for the clusters of different sizes other kinetic energy will be most effective. This is related to the kinetic energy per one atom and the surface of the projectile interaction with the crystal surface, which determine the density of deposited energy in the bombarded material and the depth at which it will be deposited.In carrying out simulations for the sputtering process for high energy per atom of the projectile, it can be estimated, at which point, for specific atoms, forming a surface and projectile, the performance of emission per atom shell stop growing. This information can be very useful in the experiments.The analysis allowed to observe that for the value of the primary kinetic energy of projectiles exceding those considered so far, the results of the simulation derive from the dependencies observed for lower energies. Many of the reported conclusions are not sustainable in a broader range of energy. In this area, more research is needed: both experimental and by computer modeling.
W pracy dokonano porównania efektywności osiąganej przez pociski złożone z różnej liczby atomów argonu w usuwaniu atomów z powierzchni kryształu srebra, poprzez uderzenie w tę powierzchnię. Oparto je o analizę współczynników rozpylenia obliczonych przy pomocy modelowania komputerowego metodą dynamiki molekularnej. Do interpretacji otrzymanych wyników posłużyły również ilustracje wykonane na podstawie położeń atomów w różnych krokach symulacji procesu rozpylania obliczonych przez wykorzystany program. Program, którego dane wyjściowe zostały opracowane, modelował jedynie elastyczne procesy przekazu energii. Zakres wartości energii kinetycznej pocisku w tych symulacjach jest znacznie szerszy niż uwzględniane do tej pory i obejmuje wartości większe od rozpatrywanych dotychczas w pracach naukowych. Celem tej pracy jest próba odpowiedzi na pytanie, czy zależności efektywności erozji bombardowanego materiału zaobserwowane przy niskich energiach pocisków pozostają prawdziwe dla znacznie wyższych energii.Zaobserwowany charakter zależności współczynnika rozpylenia od pierwotnej energii kinetycznej dla pocisku klasterowego Ar872 nie jest liniowy w szerokim zakresie energii, co nie zostało wcześniej zbadane. Może to świadczyć o wpływie nieznanych dotąd efektów na proces rozpylania dla wysokich energii, które skutkują wzrostem efektywności wymuszenia emisji atomów z powierzchni kryształu srebra.Dla pierwotnej energii kinetycznej pocisku klasterowego równej 1000 keV największą wydajność osiągnął klaster Ar101. Najprawdopodobniej dla innych energii kinetycznych klastry o innej wielkości będą najbardziej efektywne. Jest to związane z energią kinetyczną przypadającą na jeden atom oraz powierzchnią oddziaływania pocisku z tarczą, które decydują o gęstości energii zdeponowanej w bombardowanym materiale oraz głębokości, na jakiej zostanie ona zdeponowana.Wykonując symulacje procesu rozpylania dla wysokich energii przypadających na atom pocisku, można oszacować, w którym miejscu, dla konkretnych atomów tworzących tarczę oraz pocisk, wydajność emisji przypadająca na jeden atom pocisku przestaje rosnąć. Te informacje mogą być bardzo przydatne w zastosowaniach doświadczalnych.Wykonana analiza pozwoliła zaobserwować, że dla wartości pierwotnej energii kinetycznej pocisków przekraczających wartości rozpatrywane do tej pory, w wynikach symulacji wstępują odstępstwa od zależności obserwowanych dla niższych energii. Wiele wykazanych wniosków jest nie do utrzymania w szerszym zakresie energii. W tym obszarze konieczne są kolejne badania: zarówno doświadczalne, jak i przy pomocy modelowania komputerowego.
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Inne

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Electronic sputtering of solid O_{2} by keV Ne ions
Autorzy:: Pędrys, Roman
Anders, Christian
Urbassek, Herbert M.
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "sputtering" wg kryterium: Temat