Temat: transistor - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Komputerowo wspomagane stanowisko do badania tranzystorów stosowanych w motoryzacji
A computer-assisted stand for testing transistors used in the automotive industry
Autorzy:: Wołczyński, Z.
Stępniewski, M.
Tematy:: tranzystor
rodzaje tranzystorów
funkcje tranzystorów
tranzystor w motoryzacji
transistor
transistor types
transistor functions
transistor in automotive industry; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/310390.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: W artykule omówiony został tranzystor jako element elektroniczny coraz częściej wykorzystywany w motoryzacji. Zaprezentowano rodzaje, typy oraz sposoby doboru i diagnozowania tranzystorów w ujęciu dla zastosowań motoryzacyjnych. Wskazano najważniejsze cechy tranzystora w zastosowaniach motoryzacyjnych. Pokazano sposoby pomiaru najistotniejszych parametrów tranzystora dla zastosowań motoryzacyjnych, w tym wykorzystanie komputerowej techniki pomiarowej w szybkim uzyskaniu istotnych charakterystyk tranzystora.
The article discusses the transistor as an electronic element increasingly used in the automotive industry. The types, types and ways of selecting and diagnosing transistors in terms of automotive applications are presented. The most important features of the transistor in automotive applications are indicated. Methods of measuring the most important transistor parameters for automotive applications, including the use of computer measuring technology in quickly obtaining significant transistor characteristics are shown.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: PHEMT transistor models for accurate CAD of MMIC amplifiers
Autorzy:: Nosal, Z.
Tematy:: monolithic microwave integrated circuits
transistor modeling; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308763.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: Selected models of PHEMT transistors are presented for the popular Philips DO2AH process. The models are based on a set of measurements of transistor parameters and have been verified against measurements of fabricated MMIC amplifiers. The usefulness of particular models for the CAD of microwave circuits is discussed.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Detection and Recording of Acoustic Emission in Discrete IGBT Transistors
Autorzy:: Gordon, R.
Dreas, A.
Tematy:: IGBT Modules
IGBT Transistor
Acoustic Emission; Pokaż więcej
Wydawca:: STE GROUP
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2064954.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The article presents the results of experimental research, which is to show a correlation between the change of operating status of single IGBT transistor and its acoustic emission. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally and determine possibility of the damage to the element based on registered acoustic signal.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Compact nanosecond pulse generator based on IGBT and spark gap cooperation
Autorzy:: Achour, Y.
Starzyński, J.
Łasica, A.
Tematy:: pulsed power
nanosecond generator
Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
spark gap
avalanche mode Bipolar Junction Transistor; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/202157.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The present paper describes a new architecture of a high-voltage solid-state pulse generator. This generator combines the two types of energy storage systems: inductive and capacitive, and consequently operates two types of switches: opening and closing. For the opening switch, an isolated gate bipolar transistor (IGBT) was chosen due to its interesting characteristics in terms of controllability and robustness. For the closing switch, two solutions were tested: spark-gap (SG) for a powerful low-cost solution and avalanche mode bipolar junction transistor (BJT) for a fully semiconductor structure. The new architecture has several advantages: simple structure and driving system, high and stable controllable repetition rate that can reach 1 kHz, short rising time of a few nanoseconds, high gain and efficiency, and low cost. The paper starts with the mathematical analysis of the generator operation followed by numerical simulation of the device. Finally add a comma the results were confirmed by the experimental test with a prototype generator. Additionally, a comparative study was carried out for the classical SG versus the avalanche mode BJT working as a closing switch.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: History of Semiconductors
Autorzy:: Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Tematy:: band theory
laser
Moore's law
semiconductors
transistor; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308134.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The history of semiconductors is presented beginning with the first documented observation of a semiconductor effect (Faraday), through the development of the first devices (point-contact rectifiers and transistors, early field-effect transistors) and the theory of semiconductors up to the contemporary devices (SOI and multigate devices).
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base
Autorzy:: Zaręba, A.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Tematy:: heterojunction bipolar transistor
SiGe
base width modulation; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308625.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: A model of the position of the edge of emitter-base junction in the base and collector current pre-exponential ideality factor in HBT transistor with a SiGe base is presented. The model is valid for transistors with nonuniform profiles of doping and Ge content. The importance of taking into account the dependence of the effective density of states in SiGe on local Ge content and that of electron diffusion coefficient in SiGe on drift field for modeling accuracy is studied.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Selected applications of the MOSFETs in AC-DC rectifier systems
Wybrane zastosowania tranzystorów MOSFET w układach prostownikowych
Autorzy:: Tutaj, J.
Tematy:: MOSFET transistor
rectifier circuits
electronic key
electronic commutator
transistor rectifier
tranzystor MOSFET
układy prostownikowe
klucz elektroniczny
komutator elektroniczny
prostownik tranzystorowy; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/311897.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The paper presents the principle of the uncontrolled transistor rectifier single- and/or multi-phase. The results of computer simulation waveforms of power and voltages are also given as well as of the currents of the uncontrolled transistor rectifier in single- and/or multi-phase, single- and/or double-way connections using PSPICE. The possibility of using a modified transistor rectifier in low-voltage power supply systems is indicated. In comparison with the conventional diode rectifiers (realized on the silicon power diodes), the transistor rectifier, exhibit a number of advantages, namely: they have a much lower forward-voltage drop, and therefore less power losses on heat, and better energetic efficiency and reliability. These transistor rectifiers can be made in the form of a Modular Circuit (MC) or an Application Specified Integrated Circuit (ASIC). Computer simulation allowed for the imitation of any selected waveforms of voltages and currents in the electronic commutator acting as a modified transistor rectifier. This simulation also confirmed the benefits of using a transistor rectifier instead of a conventional diode rectifier, such as higher energetic efficiency (reduction of power losses caused by the heat in the electronic commutator) and the associated reliability
Artykuł opisuje zasadę działania oraz modele fizyczne komutatorów elektronicznych, działających jako tranzystorowe prostowniki z wykorzystaniem tranzystorów MOSFET z wstecznym przewodnictwem prądu jako klucze elektroniczne o małym spadku napięcia. Komutator elektroniczny, działający jako tranzystorowy prostownik, może być stosowany w wielu dziedzinach, na przykład, jako prostownik prądnicy samochodowej i konwencjonalnego prądnico-rozrusznika, spawarek mobilnych itp. Artykuł opisuje również nową konfigurację prostownika tranzystorowego bez użycia optoelektronicznych elementów separacyjnych, dzięki czemu możliwa jest łatwa realizacja prostownika w technologii układów scalonych. Symulacja komputerowa pozwala na uzyskanie przebiegów czasowych prądów i napięć na wszystkich elementach modelu fizycznego komutatora elektronicznego, zarówno podczas normalnej pracy, jak również w wybranych stanach awaryjnych. W pracy przedstawiono również wyniki badań laboratoryjnych, gdzie eksperymentalne tranzystory MOSFET były używane jako szybko przełączalne sterowalne zawory elektryczne (klucze elektroniczne) o stosunkowo niskim spadku napięcia w stanie przewodzenia. W badaniach eksperymentalnych, jako komutator elektroniczny został wykorzystany moduł tranzystorów MOSFET typu FM600TU firmy Mitsubishi. Tranzystorowy prostownika trójfazowy w układzie mostkowym ma wiele zalet w porównaniu z konwencjonalnym diodowym prostownikiem, takich jak wyższa sprawność energetyczna oraz większa niezawodność, wynikająca z niższej temperatury zaworów elektrycznych. W artykule zamieszczono również prostownik tranzystorowy jednofazowy, zintegrowany ze stabilizatorem impulsowym, który może być zrealizowany również jako jeden układ scalony.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Tesla switch of 4 batteries based on the Arduino Uno board
Przełącznik Tesli dla 4 akumulatorów oparty na module Arduino Uno
Autorzy:: Polishchuk, Mykola
Grinyuk, Serhii
Kostiuchko, Serhii
Tkachuk, Anatolii
Savaryn, Pavlo
Tematy:: generator
batteries
transistor
microcontroller
baterie
tranzystor
mikrokontroler; Pokaż więcej
Wydawca:: Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/27315451.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: The paper considered the theoretical information of generators for several power sources, schematic theirsolutions, and the main disadvantages and advantages. A generator for 4 batteries based on field-effect transistors with optical galvanic isolation and a clock generator built on the basisof the Atmega328 microcontroller, which is part of the Arduino Uno device, was studied. The result of the study was the confirmation of the existenceof the "Tesla-switch"effect. A program code was developed for the alternate switching of six transistor switches of the optical decoupling. The structural diagram of the device was studied, and the influence of the generator frequency and the consumed power of the load on the output parameters of the device were determined. The considered idea of energy saving and environmental friendliness of power supply systems is relevant, in particular in casesof blackouts.
W artykule rozważono informacje teoretyczne dotyczące generatorów dla kilku źródeł zasilania, schematy ich rozwiązań oraz główne wadyi zalety. Zbadano generator dla 4 baterii oparty na tranzystorach polowychz optyczną izolacjągalwaniczną oraz generator zegara zbudowany na bazie mikrokontrolera Atmega328, który jest częścią urządzenia Arduino Uno. Wynikiem badań było potwierdzenie istnienia efektu "Tesla-switch". Opracowano kod programu do naprzemiennego przełączania sześciu przełączników tranzystorowych odsprzęgacza optycznego. Zbadano schemat strukturalny urządzenia oraz określono wpływ częstotliwości generatora i mocy pobieranej przez obciążenie na parametry wyjściowe urządzenia. Rozważana idea oszczędzania energii i przyjazności dla środowiska systemów zasilania jest istotna, w szczególności w przypadku awarii zasilania.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Selected applications of the MOSFETS in AC-DC rectifier systems
Wybrane zastosowania tranzystorów MOSFET w układach prostownikowych
Autorzy:: Tutaj, J.
Tematy:: MOSFET
rectifier circuit
transistor
układ prostownikowy
tranzystor; Pokaż więcej
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/251034.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: This paper describes the principles of operation and the physical model of an electronic commutator acting as a reverse-conducting transistor AC-DC rectifier with MOSFETs as fast-switching controlled electrical valves with a low ON-state voltage drop. An electronic commutator, when seen as a transistor AC-DC rectifier, can be used in many fields, e.g., for multifunctional automotive generator/starter and conventional DC motors and generators, generator sets, welding machines, etc. The paper also describes a new reverse-conducting transistor AC-DC rectifier, without the use of optoelectronic separation (which does not require a separate power supply), which may be easily realized in IC technology. Computer simulation allows for currents timing of all components of the electronic-commutator’s physical model, both during normal operation as well as in some states of emergency. The paper presents the results of bench experimental studies where the MOSFETs were used as a fast-switching controlled electrical valves with a relatively low ON-state voltage drop. For experimental studies, an electronic commutator has been put together on the Mitsubishi FM600TU module. The reverse-conducting transistor AC-DC rectifier in a three-phase bridge connection has a lot of advantages compared to the conventional diode AC-DC rectifier, such as higher energy efficiency and greater reliability resulting from the lower temperature of electrical valves.
Artykuł opisuje zasadę działania oraz modele fizyczne komutatorów elektronicznych, działających jako tranzystorowe prostowniki z wykorzystaniem tranzystorów MOSFET z wstecznym przewodnictwem prądu jako klucze elektroniczne o małym spadku napięcia. Komutator elektroniczny, dzialający jako tranzystorowy pro-stownik, może być stosowany w wielu dziedzinach, na przykład, jako prostownik prądnicy samochodowej i konwencjonalnego prądnicorozrusznika, spawarek mobilnych itp. Artykuł opisuje również nową konfigurację prostownika tranzystorowego bez użycia optoelektronicznych elementow separacyjnych, dzięki czemu możliwa jest łatwa realizacja prostownika w technologii układów scalonych. Symulacja komputerowa pozwa-la na uzyskanie przebiegów czasowych prądów i napięć na wszystkich elementach modelu fizycznego komutatora elektronicznego, zarówno podczas normalnej pracy, jak również w wybranych stanach awaryjnych. W pracy przedstawiono również wyniki badań laboratoryjnych, gdzie eksperymentalne tranzystory MOSFET były używane jako szybko przełączalne sterowalne zawory elektryczne (klucze elektroniczne) o stosunkowo niskim spadku napięcia w stanie przewodzenia. W badaniach eksperymentalnych, jako komutator elektroniczny został wykorzystany moduł tranzystorów MOSFET typu FM600TU firmy Mitsubishi. Tranzystorowy prostownika trójfazowy w układzie mostkowym ma wiele zalet w porównaniu z konwencjonalnym diodowym prostownikiem, takich jak wyższa sprawność energetyczna oraz większa niezawodność, wynikająca z niższej temperatury zaworów elektrycznych. W artkule zamieszczono również prostownik tranzystorowy jednofazowy, zintegrowany ze stabilizatorem impulsowym, który może być zrealizowany również jako jeden układ scalony.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: The Analysis Of Accuracy Of Selected Methods Of Measuring The Thermal Resistance Of IGBTs
Autorzy:: Górecki, K.
Górecki, P.
Tematy:: IGBT
thermal resistance
measurements
transistor
semiconductor devices; Pokaż więcej
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/220969.pdf Link otwiera się w nowym oknie
Opis:: In the paper selected methods of measuring the thermal resistance of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) are presented and the accuracy of these methods is analysed. The analysis of the measurement error is performed and operating conditions of the considered device, at which each measurement method assures the least measuring error, are pointed out. Theoretical considerations are illustrated with some results of measurements and calculations.
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "transistor" wg kryterium: Temat